論文 - 黒澤 昌志
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Development of Germanium-Tin-Related Semiconductor Heterostructures for Energy Band Design in Electronic and Optoelectronic Applications 査読有り
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, S. Shibayama, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 92, Issue 4, pp. 41-46 2019年10月
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Realizing High Thermoelectric Performance at Ambient Temperature by Ternary Alloying in Polycrystalline Si1-x-yGexSny Thin Films with Boron Ion Implantation 査読有り
Y. Peng, L. Miao, J. Gao, C. Liu, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Scientific Reports 頁： Vol. 9, No.1, pp.14342-1〜9 2019年10月
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ゲルマニウム錫Ⅳ族混晶薄膜の結晶成長と電子物性 招待有り 査読有り
中塚理, 黒澤昌志
応用物理 頁： Vol. 88, No. 9, pp. 597-603 2019年9月
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Formation and Optoelectronic Property of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double Heterostructure on Boron-Ion-Implanted Ge(001) Substrate 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 58, No. SI, pp. SIIB23-1〜6 2019年7月
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Operation of thin-film thermoelectric generator of Ge-rich poly-Ge1-xSnx on SiO2 fabricated by a low thermal budget process 査読有り
K. Takahashi, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Kurosawa
Applied Physics Express 頁： Vol. 12, No. 5, pp. 051016-1〜6 2019年5月
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GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 71-74 2019年1月
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ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定
熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 197-200 2019年1月
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価
福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回） 頁： pp. 265-268 2019年1月
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Synthesis of heavily Ga-doped Si1-xSnx/Si heterostructures and their valence-band-offset determination 査読有り
M. Kurosawa, Y. Inaishi, R. Tange, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 58, No. SA, pp. SAAD02-1〜4 2018年11月
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Germanene Epitaxial Growth by Segregation through Ag(111) Thin Films on Ge(111) 査読有り
J. Yuhara, H. Shimazu, K. Ito, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, M. Nakatake, and G. Le Lay
ACS Nano 頁： Vol. 12, Issue 11, pp. 11632-11637 2018年10月
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Optoelectronic properties of High-Si-content-Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny Double-Heterostructure 査読有り
M. Fukuda, D. Rainko, M. Sakashita, M. Kurosawa, D. Buca, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124018-1〜9 2018年10月
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Ultra-thin Germanium-Tin on Insulator structure through the direct bonding technique 査読有り
T. Maeda, W. H. Chang, T. Irisawa, H. Ishii, H. Oka, M. Kurosawa, Y. Imai, O. Nakatsuka, and N. Uchida
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 33, No. 12, pp. 124002-1〜5 2018年10月
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Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices Fabricated by Rapid Melting Growth 査読有り
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
ECS Transactions 頁： Vol. 86, Issue 7, pp. 87-93 2018年9月
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A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials 査読有り
M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 86, issue 7, pp. 321-328 2018年9月
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エネルギーハーベスティング応用に向けたIV族混晶（Ge1-xSnx）薄膜の結晶成長 招待有り 査読有り
黒澤昌志
日本熱電学会学会誌 頁： Vol. 15, No.1, pp.26-31 2018年8月
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Growth of two-dimensional Ge crystal by annealing of heteroepitaxial Ag/Ge(111) under N2 ambient 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 6S1, pp. 06HD08-1〜5 2018年5月
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Segregated SiGe Ultrathin Layer Formation and Surface Planarization on Epitaxial Ag(111) by Annealing of Ag/SiGe(111) with Different Ge/(Si+Ge) Compositions 査読有り
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ05-1〜6 2018年3月
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Dopant behavior in heavily doped polycrystalline Ge1-xSnx layers prepared with pulsed laser annealing in water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 57, No. 4S, pp. 04FJ02-1〜6 2018年2月
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High n-type Sb dopant activation in Ge-rich poly-Ge1-xSnx layers on SiO2 using pulsed laser annealing in flowing water 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 112, Issue 6, pp. 062104-1〜5 2018年2月
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Self-organized lattice-matched epitaxy of Si1-xSnx alloys on (001)-oriented Si, Ge, and InP substrates 査読有り
M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 111, Issue 19, pp. 192106-1〜4 2017年11月