論文 - 黒澤 昌志
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Control of Ge1-x-ySixSny layer lattice constant for energy band alignment in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructures 査読有り
M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Semiconductor Science and Technology 頁： Vol. 32, No. 10, pp. 104008-1〜8 2017年9月
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First-principles study on adsorption structures and electronic states of stanene on α-alumina surface 査読有り
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, and K. Shiraishi
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 9, pp. 095701-1〜4 2017年8月
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Growth and Applications of Si1-xSnx Thin Films 査読有り
M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 80, Issue 4, pp. 253-258 2017年8月
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エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 117, No. 101, pp. 43-48 2017年6月
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Evaluation of energy band offset of Si1-xSnx semiconductors by numerical calculation using density functional theory 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, M. Araidai, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 4S, pp.04CR10-1〜5 2017年3月
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Low-temperature crystallization of Ge-rich GeSn layers on Si3N4 substrate 査読有り
I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 151-155 2017年1月
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnx層中Sbの高活性化
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第22回） 頁： pp. 67-70 2017年1月
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Hydrogen-surfactant-mediated epitaxy of Ge1-x Snx layer and its effects on crystalline quality and photoluminescence property 査読有り
O. Nakatsuka, S. Fujinami, T. Asano, T. Koyama, M. Kurosawa, M. Sakashita, H. Kishida, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB05-1〜6 2016年12月
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Solid-phase crystallization of Si1-x-ySnxCy ternary alloy layers and characterization of their crystalline and optical properties 査読有り
S. Yano, T. Yamaha, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 56, No. 1S, pp. 01AB02-1〜7 2016年11月
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Large single-crystal Ge-on-insulator by thermally-assisted (~400C) Si-seeded-pulse-laser annealing 査読有り
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, and M. Miyao
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 8-11 2016年11月
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Formation and characterization of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny double heterostructures with strain-controlled Ge1-x-ySixSny layers 査読有り
M. Fukuda, T. Yamaha, T. Asano, S. Fujinami, Y. Shimura, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Materials Science in Semiconductor Processing 頁： Vol. 70, pp. 156-161 2016年10月
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Thermoelectric Properties of Ge-Rich GeSn Films Grown on Insulators 査読有り
M. Kurosawa, K. Liu, M. Izawa, I. Tsunoda, and S. Zaima
ECS Transactions 頁： Vol. 75, Issue 8, pp. 481-487 2016年9月
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金属誘起層交換法によるAg上Si, Ge極薄膜の形成 ーシリセン, ゲルマネンの創製を目指してー 招待有り 査読有り
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
表面科学 頁： Vol. 37, No. 8, pp. 374-379 2016年8月
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Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys 査読有り
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S2, pp. 08PE04-1〜4 2016年7月
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Surface-segregated Si and Ge ultrathin films formed by Ag-induced layer exchange process 査読有り
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 8S1, pp. 08NB07-1〜5 2016年7月
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Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介, 竹内和歌奈, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子情報通信学会 信学技報 頁： Vol. 116, No. 1, pp. 23-26 2016年4月
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Growth of ultrahigh-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer and its impact on controlling Schottky barrier height of metal/Ge contact 査読有り
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB12-1〜6 2016年3月
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Effect of in situ Sb doping on crystalline and electrical characteristics of n-type Ge1-xSnx epitaxial layer 査読有り
J. Jeon, T. Asano, Y. Shimura, W. Takeuchi, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Japanese Journal of Applied Physics 頁： Vol. 55, No. 4S, pp. 04EB13-1〜5 2016年3月
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Low thermal budget n-type doping into Ge(001) surface using ultraviolet laser irradiation in phosphoric acid solution 査読有り
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Applied Physics Letters 頁： Vol. 108, Issue 5, pp. 052104-1〜4 2016年2月
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界面エネルギー制御による絶縁膜上GeSn薄膜の低温結晶成長
吉川勲, 黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 頁： pp. 21-24 2016年1月