Presentations -
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Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications International conference
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Evaluation of Band Structure of Single Crystalline Si-rich Si1-xSnx Thin Film International conference
H. Ishizaki, R. Yokogawa, Y. Ito, M. Kurosawa, and A. Ogura
PRiME 2024
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Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films International conference
M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
PRiME 2024
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Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer International conference
S. Shibayama, S. Mori, Y. Kato, M. Sakashita, M. Kurosawa, and O. Nakatsuka
PRiME 2024
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GeSiSn/GeSnヘテロ接合を用いた p型HEMTの構造設計
鳥本昇汰, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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単結晶歪Si1-xSnxのバンド構造評価(Ⅱ)
石崎寛規, 横川凌, 箕輪卓哉, 黒澤昌志, 小椋厚志
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響
中塚理, 壁谷汰知, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果
柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開
中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理
松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作
前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理
第85回応用物理学会秋季学術講演会
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Si(111)基板上CaSi2エピタキシャル薄膜の低温熱電特性
加藤高, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, Ahmad Al Ghiffari, Rifky Syariati, 石井史之, 片瀬貴義, 黒澤昌志
日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム
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イオン注入法により形成したn型4H-SiC薄膜の低温熱電特性
椙村樹, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 和田涼太, 黒井隆, 片瀬貴義, 黒澤昌志
日本セラミックス協会 第37回秋季シンポジウム
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Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure International conference
Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024)
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Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient International conference
Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Masashi Kurosawa
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024)
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Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy International conference
Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024)
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GeSn on Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Layer Transfer Technique International conference
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Takaaki Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024)
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Fabrication of planar thermoelectric generators using phosphorus-doped silicon nanocrystals/amorphous silicon composite films International conference
Yasuyoshi Kurokawa, Keisuke Shibata, Shinya Kato, Masashi Kurosawa, Satoru Miyamoto, Takashi Itoh, and Noritaka Usami
International Conference on Solid State Devices and Materials 2024 (SSDM2024)