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水中パルスレーザアニール法により形成した高濃度ドープp型/n型多結晶Ge1-xSnx薄膜の熱電特性
髙橋恒太, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明, 黒澤昌志
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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歪SOI基板上に形成したSi1-xSnx薄膜への高濃度p型ドーピング
稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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熱処理によるAg/Ge構造の表面平坦化とGe析出量制御
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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層状化合物CaGe2を前駆体に用いたゲルマネン形成の試み
黒澤昌志, 淺枝駿冴, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
第78回応用物理学会秋季学術講演会
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新しいIV族多元混晶薄膜の結晶成長とデバイス応用
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
2017年真空・表面科学合同講演会
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Synthesis of p- and n-type Ge1-xSnx thin films toward new group-IV thermoelectric materials International conference
M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, A. Ohta, N. Uchida, Y. Ohishi, T. Maeda, O. Nakatsuka, and S. Zaima
2017 Annual International Conference on Thermoelectrics (2017ICT)
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エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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Control of lattice constant of Ge1-x-ySixSny layer for energy band engineering in Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny heterostructure International conference
M. Fukuda, K. Watanabe, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
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Solid phase epitaxy of Si1-xSnx layers on various substrates International conference
M. Kurosawa, M. Kato, K. Takahashi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
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Formation of heavily Sb and Ga doped poly-Ge1-xSnx layers on insulator using pulsed laser annealing in water International conference
K. Takahashi, M. Kurosawa, H. Ikenoue, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
10th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-10)
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アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 第72回年次大会（2017年）
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熱電素子応用を目指したn型Ge0.94Sn0.06単結晶薄膜の基礎物性評価
岩橋泰正, 黒澤昌志, 内田紀行, 大石佑治, 前田辰郎, 中塚理, 財満鎭明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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水中パルスレーザアニールを用いた多結晶Ge1-xSnxへの高濃度ドーピング
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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GaドープSi1-xSnx薄膜の結晶成長と電気特性評価
稲石優, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Ge上にエピタキシャル成長したAg(111)表面の平坦化および化学構造評価
伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Geバッファ層導入によるSi(001)基板上への歪緩和Ge1-x-ySixSny層の形成
渡邉千皓, 福田雅大, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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Impact of Thermal Annealing on Mophology and Chemical Bonding Features at Epitaxial Ag(111) Surface Grown on Ge(111) International conference
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
ISPlasma2017/IC-PLANTS2017
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Chemical Analysis of Epitaxial Ag(111) Surface Formed on Group-IV Semiconductor International conference
K. Ito, A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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Solid phase crystallization of Ge0.98Sn0.02 layers on various insulating substrates International conference
I. Yoshikawa, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
10th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultralarge Scale Integration"
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絶縁膜上にあるIV族二次元結晶の電子状態解析
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
科学技術交流財団 第３回「次世代デバイス実現に向けた先端二次元物質の物理と化学」研究会