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ヘテロエピタキシャルAl/Ge(111)上に偏析した極薄Geの化学分析
小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一
第66回応用物理学会春季学術講演会
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温度と組成に依存するSi1-xGexナノワイヤ中の準弾道的熱輸送
岡本昂, 柳澤亮人, Md. Mahfuz Alam, 澤野憲太郎, 黒澤昌志, 野村政宏
第66回応用物理学会春季学術講演会
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液浸ラマン分光法による組成傾斜SiGeワイヤの異方性二軸応力分布評価
横川凌, 高橋恒太, 富田基裕, 黒澤昌志, 渡邉孝信, 小椋厚志
第66回応用物理学会春季学術講演会
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ノンドープ組成傾斜SiGeワイヤの微小ゼーベック係数測定
熊田剛大, 中村俊貴, 富田基裕, 中田壮哉, 高橋恒太, 黒澤昌志, 渡邉孝信
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）
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GaSb(001)基板上に形成したSi1-xSnx薄膜の結晶構造評価
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および光電特性評価
福田雅大, 坂下満男, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第24回）
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偏析法によりAg(111)表面上に創製されたゲルマネンの構造評価
志満津宏樹, 柚原淳司, 仲武昌史, 伊藤公一, 大田晃生, 洗平昌晃, 黒澤昌志, Guy Le Lay
第18回日本表面真空学会中部支部学術講演会
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Ge 2D Crystal Growth on Hetero-epitaxial Ag/Ge(111) by N2 Annealing International conference
A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
49th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC)
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GeSn-related group-IV semiconductor heterostructures for electronic and optoelectronic applications International conference
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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エピタキシャルAl/Ge(111)の形成と真空中熱処理による表面平坦化およびGe析出
小林征登, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 田岡紀之, 池田弥央, 牧原克典, 宮﨑誠一
第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
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GaSb(001)基板上におけるSi1-xSnx薄膜の固相成長
丹下龍志, 黒澤昌志, 中塚理, 財満鎭明
第6回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター東海地区学術講演会
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First-Principles Study on Hydrogen Adsorption and Desorption of Silicene and Germanene International conference
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
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Formation and Optoelectronic Characterization of Strain-relaxed Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny Double-heterostructure International conference
M. Fukuda, M. Sakashita, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, and S. Zaima
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
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Thermoelectric Performance of Polycrystalline Si1-x-yGexSny Ternary Alloy Layer Prepared with Ion Implantation International conference
Y. Peng, M. Kurosawa, O. Nakatsuka, J. Gao, L. Miao, and S. Zaima
14th International Conference on Atomically Controlled Surfaces, Interfaces and Nanostructures (ACSIN-14) in conjunction with 26th International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM26)
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次世代半導体デバイスに向けたIV族混晶薄膜の形成と物性制御
高橋恒太, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第10回半導体材料・デバイスフォーラム
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First-principles study on hydrogen adsorption-desorption property and simulated STM Images of germanene
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会
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Why chose a diffusion method towards creation of silicene & germanene?
M. Kurosawa, A. Ohta, and M. Araidai
第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会
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Two dimensional Ge crystal growth by annealing of Metal/Ge stack
A. Ohta, K. Ito, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Ikeda, K. Makihara, and S. Miyazaki
第２回 ポストグラフェン材料のデバイス開発研究会
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Composition and Strain Engineering of New Group-IV Thermoelectric Materials International conference
M. Kurosawa, Y. Imai, T. Iwahashi, K. Takahashi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
AiMES 2018 Meeting
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Evaluation of Laterally Graded Silicon Germanium Wires for Thermoelectric Devices fabricated by Rapid Melting Growth International conference
R. Yokogawa, S. Hashimoto, K. Takahashi, S. Oba, M. Tomita, M. Kurosawa, T. Watanabe, and A. Ogura
AiMES 2018 Meeting