Presentations -
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フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~250℃)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会
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Low-temperature (<250C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique International conference
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
IEEE Region 10 International Conference 2010 (TENCON2010)
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Layer-Exchange-Induced Low-temperature crystallization (<250oC) of Si on insulator International conference
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
The 4th International Workshop on Electrical Engineering
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High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates International conference
M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh
International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)
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Au誘起層交換成長法によるGe結晶/絶縁膜の極低温形成(～250℃)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
平成22年度(第63回) 電気関係学会九州支部連合大会
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Single-Crystalline (100) Ge Stripes with High-Mobilities Formed on Insulating Substrates by Rapid-Melting-Growth with Artificial Single-Crystal Si Seeds International conference
K. Toko, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)
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Uniaxial and Biaxial Strain Distribution Mapping in SOI Micro-Structures by Polarized Raman Spectroscopy International conference
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)
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Defect-Free GOI (Ge on Insulator) by SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy International conference
M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, and T. Sadoh
International Conference on Solid State Devices and Materials 2010 (SSDM 2010)
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Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(～250℃)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
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偏光ラマン分光法による局所ひずみ軸のダイレクト評価
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
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Al誘起層交換法によるSiGe結晶の配向成長機構
川畑直之, 黒澤昌志, パク・ジョンヒョク, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年秋季 第71回応用物理学会学術講演会
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SiGe Mixing-Triggered Melting-Growth for Orientation-Controlled Ge on Transparent Insulating Substrates International conference
K. Toko, T. Tanaka, H. Yokoyama, M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)
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Al-Induced Oriented-Crystallization of Si Films on Quartz and Its Application to Epitaxial-Template for Ge Growth International conference
M. Kurosawa, N. Kawabata, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
International SiGe Technology and Device Meeting 2010 (ISTDM'10)
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ガラス上におけるSiGe薄膜のアルミニウム誘起結晶化とその成長メカニズム
川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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人工単結晶核を用いたSiGeミキシング誘起溶融成長法 ―GOI (Ge on Insulator)の方位制御―
横山裕之, 川畑直之, 坂根尭, 大田康晴, 田中貴規, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
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絶縁膜上におけるSi単結晶粒の方位制御とSiGeミキシング誘起横方向Geエピタキシャル成長
黒澤昌志, 川畑直之, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
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Al誘起結晶化Si0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析
犬塚純平, 板倉賢, 西田稔, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
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Al誘起層交換成長法により形成したSiGe/絶縁膜の配向性制御
川畑直之, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法による無欠陥/高移動度GOI (Ge on Insulator)の形成
都甲薫, 田中貴規, 大田康晴, 坂根尭, 横山裕之, 黒澤昌志, 川畑直之, 佐道泰造, 宮尾正信
2010年春季 第57回応用物理学関係連合講演会
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SiGe Mixing-Triggered Liquid-Phase Epitaxy for Defect-Free GOI (Ge on Insulator) International conference
K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sadoh, and M. Miyao
5th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics