Presentations -
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Stripe-Length Dependent Laterally Graded SiGe Profiles by Rapid-Melting-Growth International conference
R. Matsumura, Y. Tojo, H. Yokoyama, M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
E-MRS 2012 Fall Meeting
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Defect Free Multi-Structures of [SiGe/Insulator]2 on Si (100) platform International conference
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
E-MRS 2012 Fall Meeting
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Al誘起成長法によるGe薄膜/ガラスの(111)面方位制御
都甲薫，黒澤昌志，深田直樹，齋藤徳之，吉澤徳子，宇佐美徳隆，宮尾正信，末益崇
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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Sn触媒を用いた非晶質Ge薄膜/絶縁膜の低温成長
黒澤昌志，田岡紀之，坂下満男，中塚理，宮尾正信，財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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低温固相結晶化による高移動度poly-GeSn層の形成
竹内和歌奈，田岡紀之，黒澤昌志，福留誉司，坂下満男，中塚理，財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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大粒径SiGe結晶/絶縁膜のシードレス溶融成長
加藤立奨，黒澤昌志，松村亮，東條友樹，佐道泰造，宮尾正信
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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SiGe溶融成長によるSGOI構造の濃度制御 -Si濃度分布に与える冷却速度効果-
松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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(111)-Oriented Large-Grain Ge on Insulator by Gold-Induced Crystallization Combined with Interfacial Layer Insertion International conference
J.-H. Park, T. Suzuki, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays 2012 (AM-FPD'12)
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Multi-Layered SiGe-on-Insulator Structures by Rapid-Melting-Growth International conference
Y. Tojo, R. Matsumura, H. Yokoyama, M. Kurosawa, K. Toko, T. Sadoh, and M. Miyao
2012 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
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界面酸化膜挿入型 Au 誘起層交換成長法による大粒径 Ge(111)/絶縁膜の低温成長 -界面酸化膜厚依存性-
鈴木恒晴, パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 宮尾正信, 佐道泰造
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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絶縁膜上におけるGe(Si)薄膜の溶融成長 〜Si偏析効果による大粒径化〜
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
電子情報通信学会 シリコン材料・デバイス(SDM)研究会
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Au誘起層交換成長法による大粒径Ge(111)結晶/絶縁膜の形成： 界面酸化膜挿入効果
パク・ジョンヒョク，鈴木恒晴，黒澤昌志，宮尾正信，佐道泰造
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融成長法による面方位ハイブリッドGOI構造の創製 〜Si基板上へのGe(100), (110), (111)混載〜
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融横方向成長による傾斜構造GeSn/絶縁膜の形成
黒澤昌志, 東條友樹, 松村亮, 宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融GOIの成長フロント衝突領域におけるコヒーレント格子整合
佐道泰造, 黒澤昌志, 加藤立奨, 東條友樹, 大田康晴, 都甲薫, 宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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全率固溶型SiGe混晶におけるシードレス溶融成長
加藤立奨，黒澤昌志，横山裕之，佐道泰造，宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融成長法によるSGOI(SiGe on Insulator)多段構造の形成 -Ge/SiO2/SiGe/SiN/Si(100)構造-
東條友樹，横山裕之，松村亮，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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レーザーアニール法によるGOI(Ge on Insulator)構造の形成
横山裕之，東條友樹，黒澤昌志，佐道泰造，部家彰，松尾直人，宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融法における成長流の可視化 -SiGe偏析の活用-
東條友樹，松村亮，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会
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溶融 SiGe成長による濃度傾斜型SGOI構造の形成 ―成長速度と偏析現象―
松村亮，東條友樹，横山裕之，黒澤昌志，佐道泰造，宮尾正信
2012年（平成24年）春季 第59回応用物理学関係連合講演会