Presentations -
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14族原子層材料の合成プロセス技術開発と物性解明への展望
黒澤昌志
第29回VBLシンポジウム「原子層材料の科学と工学」
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14族半導体における新たな挑戦 ― エネルギーバーベスティング応用と2次元結晶の創製
黒澤昌志
奈良先端科学技術大学 物質科学特論A(博士前期課程)／物質理工学特別講義(博士後期課程)（共同開講）
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Challenges in group-IV nanosheets: Toward thermoelectric applications and 2D crystal synthesis
Masashi Kurosawa
imec seminar
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14族元素からなる二次元物質：物性解明に向けた挑戦
黒澤昌志
第２２８回総研セミナー「原子層科学の最新動向」
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Material, Process, and Device Technologies of GeSn/GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications International conference
Osamu Nakatsuka, Tatsuro Maeda, Dong Wang, Koji Sueoka, Tomo Tanaka, Yusuke Noda, Keisuke Yamamoto, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
248th ECS Meeting
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Formation of n-Type Ge1−XSnx Epitaxial Layer on Si(111) Substrate Using Phosphorus Ion Implantation by Yoshiki Kato International conference
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
248th ECS Meeting
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Phonon-Drag-Enhanced Thermoelectric Performance in n-Type Si1-xSnx Epitaxial Layers International conference
Masashi Kurosawa, Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
Materials Science & Technology (MS&T25)
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Si(001)基板上n型Si薄膜におけるフォノンドラッグ効果
木村優希, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒川康良, 宇佐美徳隆, 片瀬貴義, 黒澤昌志
日本セラミックス協会 第38回秋季シンポジウム
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Cutoff Wavelength Control of GeSn HOT Infrared Detectors by Sn Concentration International conference
Tomo Tanaka, Hiroyuki Ishii, Rahmat Hadi Saputro, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Tatsuro Maeda
International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025)
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Epitaxial Growth of Ultra-High Sn Composition Ge0.5Sn0.5 and Possible Formation of Ge–Sn Ordered Bonds International conference
Kaito Shibata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka
International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025)
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Room temperature operation of Ge1−xSnx/Ge1−x−ySixSny resonant tunneling diode International conference
Shota Torimoto, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
International Conference on Solid State Devices and Materials 2025 (SSDM2025)
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原子層堆積法によるGeO2層形成およびGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Si(001)上Ge薄膜のc-Al2O3基板への転写プロセス検討
田中真裕, Wei-Chen Wen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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PN接合型GeSn赤外線検出器の室温動作実証
田中朋, 石井裕之, Saputro Rahmat Hadi, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理, 前田辰郎
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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トポケミカル反応により形成したメチル化ゲルマナン薄膜のフォトルミネッセンス特性
中山敦稀, 中嶋海都, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 佐々木拓也, 丹羽健, 長谷川正, 中塚理, 黒澤昌志
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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Si1−yGeyバッファ層を用いたSi1−xSnxエピタキシャル薄膜の成長と歪み制御
伊藤創生, 黒澤昌志, Wei-Chen Wen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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空間相関モデルを用いたGe0.5Sn0.5エピタキシャル膜の原子配列に関する考察
横川凌, 柴田海斗, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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組成均一なGe0.5Sn0.5エピタキシャル層形成と共鳴ラマン効果の観測
柴田海斗, 柴山茂久, 横川凌, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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スパッタリング法によるSi(001)基板上への高Sn組成Ge1−xSnx層のヘテロエピタキシャル成長
後藤幸作, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第86回応用物理学会秋季学術講演会
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スパッタリング法によるSi(111)基板上高品質エピタキシャルGe層形成
奥田太一, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第86回応用物理学会秋季学術講演会