Presentations -
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Hydrogen desorption from GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient towards germanene synthesizing International conference
Masashi Kurosawa, Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2025)
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証
鳥本昇汰, 石本修斗, 加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第72回応用物理学会春季学術講演会
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Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe−Sn秩序結合形成の兆候
柴田海斗, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第72回応用物理学会春季学術講演会
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Si(001)基板上Si1−xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
伊藤創生, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第72回応用物理学会春季学術講演会
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Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成
奥田太一, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第72回応用物理学会春季学術講演会
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表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成
松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第72回応用物理学会春季学術講演会
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メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第72回応用物理学会春季学術講演会
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Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method International conference
Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
ISPlasma2025/IC-PLANTS2025
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Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure International conference
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop
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Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1−x−ySixSny thin films International conference
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop
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Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate International conference
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop
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ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚 理, 柴山茂久
第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会
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CaGe2エピタキシャル薄膜の形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第11回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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ALD-GeO2界面層によるGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚 理, 柴山茂久
第11回応用物理学会名古屋大学スチューデントチャプター 東海地区学術講演会
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分子線エピタキシー法によるCaGe2薄膜形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ
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スパッタリング法を用いたSiバッファ上Si1-xSnx薄膜の結晶成長
伊藤創生, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ
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Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures International conference
Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers International conference
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111) International conference
Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications International conference
Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
15th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics