Papers - SAKASHITA, Mitsuo
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Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures Reviewed
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52 page： 01AC04 2013
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Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Reviewed
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. Vol. 417 page： 012001 2013
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Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure Reviewed
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron Vol. 83 page： 56 2013
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical Reviewed
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 52 page： 04CA08 2013
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ラジカルプロセスによるAl2O3/Ge界面特性の改善
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 page： 125-128 2012.1
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Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会研究報告“ゲートスタック研究会 page： 129-132 2012.1
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Characterization of Damage of Al2O3/Ge Gate Stack Structure Induced with Light Radiation during Plasma Nitridation Reviewed
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 51 page： 01AJ01 2012
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Improvement of Al2O3/Ge interfacial properties by O2-annealing Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Thin Solid Films Vol. 520 page： 3397 2012
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電流検出型原子間力顕微鏡を用いた欠陥に起因するPr酸化膜のリーク電流機構の解明 Reviewed
足立正樹, 加藤雄三, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 123-126 2011.1
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Pr酸化膜/Si構造へのAl導入による界面反応抑制効果 Reviewed
古田和也, 竹内和歌奈, 加藤公彦, 坂下満男, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 51-54 2011.1
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Al2O3界面層およびラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造および電気的特性の制御 Reviewed
加藤公彦, 京極真也, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 55-58 2011.1
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Pr酸化膜/PrON/Ge構造におけるPrの化学結合状態が電気的特性に及ぼす影響 Reviewed
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 近藤博基, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 99-102 2011.1
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Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy Reviewed
M. Adachi, M. Sakashita, H. Kondo, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 50 page： 04DA08 2011
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Effect of Pr Valence State on Interfacial Structure and Electrical Properties of Pr-oxide/PrON/Ge Gate Stack Structure Reviewed
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, H. Kondo, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 50 page： 04DA17 2011
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原子層堆積法により形成したPrAlOの結晶構造および電気的特性
古田和也、竹内和歌奈、坂下満男、近藤博基、中塚理、財満鎭明
ゲートスタック技術の進展 -新構造・新材料を中心に- page： 39-42 2010.6
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1.2 nm-SiONゲート絶縁膜における局所劣化現象の電流検出型原子間力顕微鏡を用いたナノスケール観察
加藤雄三, 平安座朝誠, 坂下満男, 近藤博基, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 105-108 2010.1
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Pr(EtCp)3を用いたPr酸化膜の原子層堆積とその結晶構造及び電気的特性
古田和也, 松井裕高, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 125-128 2010.1
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ALD-Pr酸化膜/Ge3N4/Ge構造における界面構造と電気的特性
加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- page： 121-124 2010.1
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*Metal-organic chemical vapor deposition of high-dielectric-constant praseodymium oxide films using a cyclopentadienyl precursor Reviewed
H. Kondo, S. Sakurai, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 95 page： 012105 2010
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*Formation of Pr Oxide Films by Atomic Layer Deposition Using Pr(EtCp)3 precursor Reviewed
H. Kondo, H. Matsui, K. Furuta, M. Sakashita, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 49 page： 04DA14 2010