Papers - SAKASHITA, Mitsuo
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Importance of control of oxidant partial pressure on structural and electrical properties of Pr-oxide films Reviewed
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
Thin Solid Films Vol. 557 page： 276 2014.4
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Stabilized formation of tetragonal ZrO2 thin film with high permittivity Reviewed
K. Kato, T. Saito, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
Thin Solid Films Vol. 557 page： 192 2014.4
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Impacts of AlGeO formation by post thermal oxidation of Al2O3/Ge structure on interfacial properties Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
Thin Solid Films Vol. 557 page： 282 2014.4
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Reduction of Schottky Barrier Height for n-type Ge Contact by using Sn Electrode Reviewed
A. Suzuki, S. Asaba, J. Yokoi, K. Kato, M. Kurosawa, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 53 page： 04EA06 2014.3
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Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate Reviewed
Kusumandari, N.taoka, W. takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Materials Research Vol. 896 page： 241 2014.2
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件 Reviewed
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 page： 16 2014.1
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固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性 Reviewed
加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 page： 37 2014.1
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価 Reviewed
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 page： 131 2014.1
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性 Reviewed
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 page： 205 2014.1
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n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 Reviewed
竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） Vol. 114 page： 113 2014
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絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ Reviewed
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） Vol. 114 page： 91 2014
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 Reviewed
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） Vol. 114 page： 11 2014
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials On Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic Invited Reviewed
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita and S. Zaima
ECS Trans. 2013 Vol. 58 page： 149 2013.10
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Reduction of Interface States Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
ECS Trans. 2013 Vol. 58 page： 301 2013.10
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer Reviewed
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao and S. Zaima
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao and S. Zaima Vol. 103 page： 101904 2013.9
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge Reviewed
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 103 page： 082114 2013.8
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Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma Reviewed
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. Vol. 103 page： 033511 2013.7
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響 Reviewed
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ page： 155-158 2013.1
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明 Reviewed
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ page： 39-42 2013.1
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成 Reviewed
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ page： 151-154 2013.1