論文 - 宇佐美　徳隆

Formation mechanism of twin boundaries during crystal growth of silicon

K. Kutsukake, T. Abe, N. Usami, K. Fujiwara, K. Morishita and K. Nakajima

Scripta Materialia   65 巻 ( 6 ) 頁： 556-559   2011年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Line Width Dependence of Anisotropic Strain State in SiGe Films Induced by Selective Ion Implantation

Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, S. Nagakura, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

Applied Physics Express   4 巻 ( 9 )   2011年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/APEX.4.095701

Configuration and local elastic interaction of ferroelectric domains and misfit dislocation in PbTiO3/SrTiO3 epitaxial thin films

T. Kiguchi, K. Aoyagi, Y. Ehara, H. Funakubo, T. Yamada, N. Usami and T. J. Konno

Science and Technology of Advanced Materials   12 巻 ( 3 )   2011年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/1468-6996/12/3/034413

Implementation of faceted dendrite growth on floating cast method to realize high-quality multicrsytalline Si ingot for solar cells

N. Usami, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   109 巻 ( 8 )   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3576108

Effects of increased compressive strain on hole effective mass and scattering mechanisms in strained Ge channels

K. Sawano, K. Toyama, R. Masutomi, T. Okamoto, K. Arimoto, K. Nakagawa, N. Usami and Y. Shiraki

Microelectronic Engineering   88 巻   頁： 465-468   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

In situ Observation of Polycrystalline Silicon Thin Films Grown Using Aluminum-Doped Zinc Oxide on Glass Substrate by the Aluminum-Induced Crystallization

M. Jung, A. Okada, T. Saito, T. Suemasu, C. Y. Chung, Y. Kawazoe and N. Usami

Japanese Journal of Applied Physics   50 巻 ( 4 )   2011年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.50.04DP02

Impact of type of crystal defects in multicrystalline Si on electrical properties and interaction with impurities

I. Takahashi, N. Usami, H. Mizuseki, Y. Kawazoe, G. Stokkan and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   109 巻 ( 3 )   2011年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3544208

Pattern formation mechanism of a periodically faceted interface during crystallization of Si

M. Tokairin, K. Fujiwara, K. Kutsukake, H. Kodama, N. Usami and K. Nakajima

Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 24 ) 頁： 3670-3674   2010年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

A grazing incidence small-angle x-ray scattering analysis on capped Ge nanodots in layer structures

H. Okuda, M. Kato, K. Kuno, S. Ochiai, N. Usami, K. Nakajima and O. Sakata

Journal of Physics-Condensed Matter   22 巻 ( 47 )   2010年12月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1088/0953-8984/22/47/474003

Impact of amorphous Ge thin layer at the amorphous Si/Al interface on Al-induced crystallization

H. Suzuki, N. Usami, A. Nomura, T. Shishido, K. Nakajima and T. Suemasu

Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 22 ) 頁： 3257-3260   2010年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Direct bandgap measurements in a three-dimensionally macroporous silicon 9R polytype using monochromated transmission electron microscope

L. Gu, Y. Yu, W. Sigle, N. Usami, S. Tsukimoto, J. Maier, Y. Ikuhara and P. A. van Aken

Applied Physics Letters   97 巻 ( 21 )   2010年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3518703

Room-temperature electroluminescence from Si microdisks with Ge quantum dots

J. S. Xia, Y. Takeda, N. Usami, T. Maruizumi and Y. Shiraki

Optics Express   18 巻 ( 13 ) 頁： 13945-13950   2010年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth mechanism of the Si < 110 > faceted dendrite

K. Fujiwara, H. Fukuda, N. Usami, K. Nakajima and S. Uda

Physical Review B   81 巻 ( 22 )   2010年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevB.81.224106

Generation mechanism of dislocations during directional solidification of multicrystalline silicon using artificially designed seed

I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, G. Stokkan, K. Morishita and K. Nakajima

Journal of Crystal Growth   312 巻 ( 7 ) 頁： 897-901   2010年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Ion dose, energy, and species dependencies of strain relaxation of SiGe buffer layers fabricated by ion implantation technique

Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

Journal of Applied Physics   107 巻 ( 10 )   2010年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3374688

Optical anisotropies of Si grown on step-graded SiGe(110) layers

R. E. Balderas-Navarro, L. F. Lastras-Martinez, K. Arimoto, R. Castro-Garcia, O. Villalobos-Aguilar, A. Lastras-Martinez, K. Nakagawa, K. Sawano, Y. Shiraki, N. Usami and K. Nakajima

Applied Physics Letters   96 巻 ( 9 )   2010年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3339881

Formation of uniaxially strained SiGe by selective ion implantation technique

K. Sawano, Y. Hoshi, A. Yamada, Y. Hiraoka, N. Usami, K. Arimoto, K. Nakagawa and Y. Shiraki

Thin Solid Films   518 巻 ( 9 ) 頁： 2454-2457   2010年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Relationship between grain boundary structures in Si multicrystals and generation of dislocations during crystal growth

N. Usami, R. Yokoyama, I. Takahashi, K. Kutsukake, K. Fujiwara and K. Nakajima

Journal of Applied Physics   107 巻 ( 1 )   2010年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.3276219

Ion energy and dose dependence of strain relaxation for thin SiGe buffer layers using Si+ implantation

Y. Hoshi, K. Sawano, A. Yamada, K. Arimoto, N. Usami, K. Nakagawa and Y. Shiraki

Thin Solid Films   518 巻   頁： S162-S164   2010年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Computational Investigation of Relationship between Shear Stress and Multicrystalline Structure in Silicon

I. Takahashi, N. Usami, K. Kutsukake, K. Morishita and K. Nakajima

Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 4 )   2010年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.49.04DP01