論文 - 牧原　克典

X-ray Photoemission Study of SiO2/Si/Si0.55Ge0.45/Si Heterostructures 査読有り

A. Ohta. K. Makihara, S. Miyazaki, M. Sakuraba and J. Murota

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   96-C 巻 ( 5 ) 頁： 680-685   2013年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Ikeda, H. Murakamis, S. Higashi and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   96-C 巻 ( 5 ) 頁： 702-707   2013年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of Resistive Switching of Pt/Si- rich Oxide/TiN System 査読有り

M. Fukushima, A. Ohta, K. Makihara and S. Miyazaki

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   96-C 巻 ( 5 ) 頁： 708-713   2013年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of Local Electronic Transport through Ultrathin Au/Highly-dense Si Nanocolumar Structures by Conducting-Probe Atomic Force Microscopy 査読有り

D. Takeuchi, K. Makihara, M. Ikeda, S. Miyazaki, H. Kaki and T. Hayashi

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   96-C 巻 ( 5 ) 頁： 718-721   2013年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Photoexcited Carrier Transfer in a NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures 査読有り

M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki,

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   96-C 巻 ( 5 ) 頁： 694-698   2013年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots 査読有り

H. Takami, K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   52 巻 ( 4 ) 頁： 04CG08   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Temporal Changes of Charge Distribution in High Density Self-aligned Si-based Quantum Dots as Evaluated by AFM/KFM 査読有り

N. Tsunekawa K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki

Trans. of MRS-J   38 巻 ( 3 ) 頁： 393-396   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of Resistive Switching Behaviors of RF Sputtered Si Oxide ReRAMs with Ti-based Electrodes 査読有り

A. Ohta, M. Fukusima, K. Makihara, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻   頁： 11NJ06   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Highly-crystallized Ge:H Film Growth from GeH4 VHF-ICP -Crystalline Nucleation Initiated by Ni-nanodots- 査読有り

K. Makihara, J. Gao, K. Sakaike, S. Hayashi, H. Deki, M. Ikeda, S. Higashi and S. Miyazak

Jpn. J. Appl. Phys.   52 巻 ( 9 ) 頁： 11NA04   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Study on Charge Storage and Optical Response of Hybrid Nanodots Floating Gate MOS Devices for Their Optoelectronic Application 査読有り

S. Miyazaki, M. Ikeda and K. Makihara

ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁： 231-237   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Resistive Switching Properties of SiOx/TiO2 Multi-Stack in Ti-electrode MIM Diodes 査読有り

A. Ohta, K. Makihara, M. Fukusima, H. Murakami, S. Higashi and S. Miyazaki

ECS Trans   58 巻 ( 9 ) 頁： 293-300   2013年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Evaluation of Charge Trapping Properties of Microcrystalline Germanium Thin Films by Kelvin Force Microscopy 査読有り

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki

Journal of Non-Crystalline Solids   358 巻 ( 17 ) 頁： 2086-2089   2012年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.035

Electroluminescence from One-dimensionally Self-Aligned Si-based Quantum Dots with High Areal Dot Density 査読有り

K. Makihara, H. Deki, M Ikeda and S, Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   51 巻 ( 4 ) 頁： 04DG08   2012年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1143/JJAP.51.04DG08

Characterization of Resistance-Switching Properties of SiOx Films Using Pt Nanodots Electrodes 査読有り

K. Makihara, M. Fukushima, A. Ohta, M. Ikeda and S. Miyazaki

ECS TRANSACTIONS   50 巻 ( 9 ) 頁： 459-464   2012年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Study of Electron Transport Characteristics Through Self-Aligned Si-Based Quantum Dots 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda and S. Miyazaki

Journal of Applied Physics   112 巻   頁： 104301   2012年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： http://dx.doi.org/10.1063/1.4766383

Light Induced Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid FG in MOS Structures 査読有り

N. Morisawa, M. Ikeda, S. Nakanishi, A. Kawanami, K. Makihara and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   49 巻   頁： 04DJ04   2011年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Characterization of Electronic Charged States of Impurity Doped Si Quantum Dots Using AFM/Kelvin Probe Technique 査読有り

K. Makihara and S. Miyazaki

Japanese Journal of Applied Physics   49 巻 ( 2 ) 頁： 065002   2011年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

High Density Formation of Ge Quantum Dots on SiO2 査読有り

K. Makihara, M. Ikeda, A. Ohta, S. Takeuchi, Y. Shimura, S. Zaima and S. Miyazaki

Solid State Electronics   60 巻   頁： 65-69   2011年

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担当区分：筆頭著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Optical Response of Si-Quantum-Dots/NiSi-Nanodots Stack Hybrid Floating Gate in MOS Structures 査読有り

N. Morisawa, M. Ikeda, K. Makihara and S. Miyazaki

Key Engineering Materials   470 巻   頁： 135-139   2011年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Study on Collective Electron Motion in Si-Nano Dot Floating Gate MOS Capacitor 査読有り

M. Muraguchi, Y. Sakurai, Y. Takada, S. Nomura, K. Shiraishi, M. Ikeda, K. Makihara, S. Miyazaki, Y. Shigeta, T. Endoh

IEICE TRANSACTIONS on Electronics   94-C 巻 ( 5 ) 頁： 730-736   2011年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）