講演・口頭発表等 - 中塚 理
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Characterization of bonding structures of directly bonded hybrid crystal orientation substrates 国際会議
E. Toyoda, A. Sakai, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
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Tensile strained Ge layers on strain-relaxed Ge1-xSnx/virtual Ge substrates 国際会議
S. Takeuchi, A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
5th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures
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Ge(001)表面の酸素エッチングおよび酸化過程の走査トンネル顕微鏡による観察評価
山崎理弘，若園恭伸，酒井朗，中塚理，小川正毅，財満鎭明
第6回・日本表面科学会中部支部・学術講演会
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ダイレクトSiウェーハボンディングにおける接合特性の評価
豊田英二，磯貝宏道，仙田剛士，泉妻宏治，中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第54回応用物理学関係連合講演会
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Ge(001)基板上NiGe薄膜のPt添加による熱的安定性向上
鈴木敦之，中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第54回応用物理学関係連合講演会
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パターン加工されたSiGe/Siヘテロメサ構造における局所歪のX線マイクロ回折評価
湯川勝規，望月省吾，中塚理，酒井朗，福田一徳，木村滋，坂田修身，泉妻宏治，仙田剛士，豊田英二，小川正毅，財満鎭明
第54回応用物理学関係連合講演会
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Hybrid Orientation Technology (HOT) 基板の接合界面および結晶性の評価
豊田英二，磯貝宏道，仙田剛士，泉妻宏治，中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第54回応用物理学関係連合講演会
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Ge(001)表面の酸素エッチングおよび初期酸化過程の原子スケール評価
山崎理弘，若園恭伸，酒井朗，中塚理，竹内正太郎，小川正毅，財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会・シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第１２回研究会）
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Scanning Tunneling Microscopy Study on the Reaction of Oxygen with Clean Ge(001) Surfaces 国際会議
A. Sakai, Y. Wakazono, O. Nakatsuka, S. Zaima, and M. Ogawa
210th Meeting of The Electrochemical Society
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Ni-Silicide/Si and SiGe(C) Contact Technology for ULSI Applications 国際会議
O. Nakastuka, S. Zaima, A. Sakai, and M. Ogawa
The 14th annual IEEE International Conference on Advanced Thermal Processing of Semiconductors
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Buffer layer technology with misfit dislocation engineering 国際会議
A. Sakai, O. Nakatsuka, M. Ogawa, and S. Zaima
The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Mosaicity and Dislocations in Strain-Relaxed SiGe Buffer Layers on SOI Substrates 国際会議
O. Nakatsuka, N. Taoka, A. Sakai, S. Mochizuki, M. Ogawa, and S. Zaima
The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 71-72, Oct. 2-3, 2006, Sendai, Japan.
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Dislocation Structure and Strain Relaxation of SiGe and Ge Sub-micron Stripe Lines on Si(001) Substrates 国際会議
O. Nakatsuka, S. Mochizuki, A. Sakai, H. Kondo, K. Yukawa, M. Ogawa, and S. Zaima
The 2nd International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Interfacial Structure of HfON/SiN/Si Gate Stacks 国際会議
O. Nakatsuka, M. Sakashita, H. Kondo, E. Ikenaga, M. Kobata, J.-J. Kim, H. Nohira, T. Hattori, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima
The 2nd International Workshop on Hard X-ray Photoelectron Spectroscopy
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Ni/Ti/Si積層構造より形成したエピタキシャルNiSi2/Si(001)超平坦界面の電気特性評価
鈴木敦之，中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第67回応用物理学会学術講演会
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Ge1-xSnx層の歪緩和および転位構造に及ぼすGe基板の効果
竹内正太郎，酒井朗，中塚理，小川正毅，財満鎭明
第67回応用物理学会学術講演会
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仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge1-xSnxバッファ層の成長と構造評価
竹内正太郎，酒井朗，山本幸司，中塚理，小川正毅，財満鎭明
第67回応用物理学会学術講演会
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Ge(001)表面の初期酸化およびエッチング過程の走査トンネル顕微鏡評価
若園恭伸，山崎理弘，酒井朗，中塚理，竹内正太郎，小川正毅，財満鎭明
第67回応用物理学会学術講演会
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Control and characterization of strain in SiGe/Si heterostructures with engineered misfit dislocations 国際会議
A. Sakai, N. Taoka, S. Mochizuki, K. Yukawa, O. Nakatsuka, S. Takeda, S. Kimura, M. Ogawa, and S. Zaima
The third International SiGe Technology and Device Meeting
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Strain relaxation of patterned Ge and SiGe structures on Si(001) substrates 国際会議