講演・口頭発表等 - 中塚 理
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Crystalline and Electrical Properties of Thin Pd Silicide Layer/Si Contacts 国際会議
R. Suryana, S. Akimoto, O. Nakatsuka and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2008 (ADMETA): 18th Asian Session
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Formation of Tensile-Strained Ge Layers on Ge1-xSnx Buffer Layers and Control of Strain and Dislocation Structures 国際会議
O. Nakatsuka, Y. Shimura, A. Sakai, and S. Zaima
4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Analysis of Uniaxial Tensile Strain in Microfabricated Ge/Si1-x Gex Structures on Si(001) Substrates 国際会議
T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, and S. Zaima
4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Formation and Characterization of Compositionally Step-graded Ge1-x Snx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers 国際会議
Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
4th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics, pp. 27-28, Sendai, Japan, Sept. 25-27, 2008.
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Control of Sn Precipitation and Strain relaxation in Compositionally Step-graded Ge1-xSnx Buffer Layers for Tensile-strained Ge Layers 国際会議
Y. Shimura, N. Tsutsui, O. Nakatsuka, A. Sakai, and S. Zaima
2008 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
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Direct Silicon Bonding基板接合界面の原子レベル観察と評価
酒井朗，上田貴哉，大原悠司，中塚理，財満鎭明，豊田英二，泉妻宏治，坂田孝夫，森博太郎
第69回応用物理学会学術講演会
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金属シリサイド・ジャーマナイド/半導体コンタクトの界面構造および電子物性制御
中塚理，酒井朗，財満鎭明
第69回応用物理学会学術講演会
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伸張歪Ge形成に向けたGe1-xSnxバッファ層のSn組成及び転位構造制御
志村洋介，筒井宣匡，中塚理，酒井朗，財満鎭明
第69回応用物理学会学術講演会
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Ge(001)表面上のSnおよびGe1-xSnx初期成長に及ぼす原子状水素照射の効果
篠田竜也，山崎理弘，中塚理，財満鎭明
第69回応用物理学会学術講演会
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Direct Silicon Bonding (DSB) 基板の結晶性の評価
豊田英二，酒井朗，中塚理，財満鎭明，磯貝宏道，泉妻宏治，仙田剛士，表一彦，今井康彦，木村滋
第69回応用物理学会学術講演会
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Direct Si Bonding基板の微細構造
大原悠司，上田貴哉，酒井朗，中塚理，財満鎭明，豊田英二，泉妻宏治，木村滋，坂田孝夫，森博太郎
第69回応用物理学会学術講演会
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Microstructures in Directly Bonded Si Substrates 国際会議
A. Sakai, Y. Ohara, T. Ueda, O. Nakatsuka, M. Ogawa, S. Zaima, E. Toyoda
The fourth International SiGe Technology and Device Meeting, pp. 153-154, HsinChu, Taiwan, May 11-14, 2008.
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Characterization and Analyses of Interface Structures in Directly Bonded Si(011)/Si(001) Substrates 国際会議
E. Toyoda, A. Sakai, O. Nakatuka, S. Zaima, M. Ogawa, H. Isogai, T. Senda, K. Izunome, and K. Omote
The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
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Effect of Hydrogen on Initial Growth of Sn and Ge1-xSnx on Ge(001) substrates 国際会議
M. Yamazaki, O. Nakatsuka, T. Shinoda, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima
The fourth International SiGe Technology and Device Meeting
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Novel Method to Introduce Uniaxial Tensile Strain in Ge by Microfabrication of Ge/Si1-xGex Structures on Si(001) Substrates 国際会議
T. Mizutani, O. Nakatsuka, A. Sakai, H. Kondo, M. Ogawa, and S. Zaima
The fourth International SiGe Technology and Device Meeting, pp. 149-150, HsinChu, Taiwan, May 11-14, 2008.
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高不純物濃度Si(001)基板上におけるNi/Ti/Si系の固相反応および電気特性評価
秋元信吾，中塚理，スルヤナリサ，鈴木敦之，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第55回応用物理学関係連合講演会
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X線マイクロ回折によるIV族半導体薄膜の局所歪構造評価
中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第55回応用物理学関係連合講演会
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Ge MOSゲートスタックにおける界面反応の評価および制御技術
財満鎭明，近藤博基，坂下満男，中塚理，酒井朗，小川正毅
第55回応用物理学関係連合講演会
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アルコール原料ホットフィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブ成長機構の解明
種田智，酒井朗，中塚理，小川正毅，財満鎭明
第55回応用物理学関係連合講演会
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走査トンネル顕微鏡によるTi/Highly oriented pyrolytic graphite界面反応の評価
久田憲司，種田智，中塚理，酒井朗，小川正毅，財満鎭明
第55回応用物理学関係連合講演会