講演・口頭発表等 - 坂下 満男
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Study of Ge Surface Passivation using Radical Nitridation Technique for Ge Channel MOS Transistors 国際会議
K. Kato, H. Kondo, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
The 1st Korea-Japan Symposium on Surface Technology
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Analysis of Local Leakage Current of Pr Oxide Thin Films with Conductive Atomic Force Microscopy 国際会議
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
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Effects of Al Incorporation into Pr-oxides Formed by Atomic Layer Deposition 国際会議
2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)
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Nitrogen content dependence of crystalline and electrical properties of ternary transition metal gate electrodes 国際会議
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE)
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Crystalline and electrical properties of PrAlO gate insulator films formed by atomic layer deposition 国際会議
International Symposium on Technology Evolution for Silicon Nano Electronics (ISTESNE)
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Control of Interfacial Properties of Pr-oxide/Ge Gate Stack Structure by Introduction of Nitrogen 国際会議
5th International SiGe Technology Device Meeting 2010 (ISTDM2010)
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Formation of Pr Oxide Films by Atomic Layer Deposition using Pr(EtCp)3 Precursor 国際会議
2009 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM)
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LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果
坂下満男, 加藤亮祐, 京極真也, 近藤博基, 財満鎭明
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会研究集会
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Pr-Oxide-Based Dielectric Films on Ge Substrates 国際会議
2007 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Ge基板上に堆積したPr酸化物ゲート絶縁膜の角度分解XPSによる評価
坂下満男、鬼頭伸幸、酒井 朗、小川正毅、財満鎭明
第68回応用物理学会学術講演会
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Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価
坂下満男、鬼頭伸幸、酒井 朗、小川正毅、財満鎭明
応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会研究集会
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Prシリケイト膜の結晶構造と電気的特性の熱処理依存性
坂下満男、山矢 隼、酒井 朗、小川正毅、財満鎭明
第52回応用物理学関係連合講演会