論文 - PRISTOVSEK Markus
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Growth mode of InGaN on GaN (0001) in MOVPE 査読有り
Pristovsek M., Stellmach J., Leyer M., Kneissl M.
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 巻 頁: S565-S569 2009年
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Volmer-Weber growth mode of InN quantum dots on GaN by MOVPE 査読有り
Meissner Christian, Ploch Simon, Pristovsek Markus, Kneissl Michael
PHYSICA STATUS SOLIDI C: CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, VOL 6, SUPPL 2 6 巻 頁: S545-S548 2009年
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Growth and characterization of manganese-doped InAsP 査読有り
Pristovsek M., Meissner Ch., Kneissl M., Jakomin R., Vantaggio S., Tarricone L.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 巻 ( 23 ) 頁: 5028-5031 2008年11月
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Ripening of InAs quantum dots on GaAs (001) investigated with in situ scanning tunneling microscopy in metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Kremzow Raimund, Pristovsek Markus, Kneissl Michael
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 巻 ( 23 ) 頁: 4751-4753 2008年11月
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The critical thickness of InGaN on (0001)GaN 査読有り
Leyer M., Stellmach J., Meissner Ch., Pristovsek M., Kneissl M.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 巻 ( 23 ) 頁: 4913-4915 2008年11月
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Indium nitride quantum dot growth modes in metalorganic vapour phase epitaxy 査読有り
Meissner Christian, Ploch Simon, Leyer Martin, Pristovsek Markus, Kneissl Michael
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 巻 ( 23 ) 頁: 4959-4962 2008年11月
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Properties of InMnP (001) grown by MOVPE 査読有り
Pristovsek M., Philippou A., Raehmer B., Richter W.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 310 巻 ( 18 ) 頁: 4046-4049 2008年8月
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In-Situ Monitoring for Nano-Structure Growth in MOVPE 査読有り
Pristovsek Markus, Richter Wolfgang
SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES 頁: 67-86 2008年
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Segregation and desorption of antimony in InP (001) in MOVPE 査読有り
Weeke S., Leyer M., Pristovsek M., Brunner F., Weyers M., Richter W.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 巻 頁: 159-162 2007年1月
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In situ scanning tunnelling microscopy during metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り
Pristovsek M., Raehmer B., Breusig M., Kremzow R., Richter W.
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 巻 頁: 8-11 2007年1月
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Homoepitaxial growth rate measurement using in situ reflectance anisotropy spectroscopy 査読有り
Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 298 巻 頁: 46-49 2007年1月
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In situ scanning tunneling microscopy during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り
Raehmer Bert, Pristovsek Markus, Breusing Markus, Kremzow Raimund, Richter Wolfgang
APPLIED PHYSICS LETTERS 89 巻 ( 6 ) 2006年8月
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InN growth on sapphire using different nitridation procedures 査読有り
Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Pichter W
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE 203 巻 ( 7 ) 頁: 1622-1625 2006年5月
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Development of InN metalorganic vapor phase epitaxy using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り
Drago M, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY 40 巻 ( 10-11 ) 頁: 993-996 2005年11月
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A fast reflectance anisotropy spectrometer for in situ growth monitoring 査読有り
Kaspari C, Pristovsek M, Richter W
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS 242 巻 ( 13 ) 頁: 2561-2569 2005年11月
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Growth of strained GaAsSb layers on GaAs(001) by MOVPE 査読有り
Pristovsek M, Zorn M, Zeimer U, Weyers M
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 276 巻 ( 3-4 ) 頁: 347-353 2005年4月
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InN growth and annealing investigations using in-situ spectroscopic ellipsometry 査読有り
Drago M, Schmidtling T, Werner C, Pristovsek M, Pohl UW, Richter W
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 272 巻 ( 1-4 ) 頁: 87-93 2004年12月
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Nitrogen-arsenic exchange process and investigation of the nitrided GaAs surfaces in MOVPE 査読有り
Hoffmann V, Poser F, Kaspari C, Weeke S, Pristovsek M, Richter W
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 272 巻 ( 1-4 ) 頁: 30-36 2004年12月
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Structural analysis by reflectance anisotropy spectroscopy: As and Sb on GaAs(110) 査読有り
Pulci O, Fleischer K, Pristovsek M, Tsukamoto S, Del Sole R, Richter W
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER 16 巻 ( 39 ) 頁: S4367-S4374 2004年10月
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In situ study of low-temperature growth and Mn, Si, Sn doping of GaAs (001) in molecular beam epitaxy 査読有り
Pristovsek M, Tsukamoto S
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH 265 巻 ( 3-4 ) 頁: 425-433 2004年5月