論文 - PRISTOVSEK Markus

Nonpolar m-plane AlxGa1-xN layers grown on m-plane sapphire by MOVPE

Duc V Dinh, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   512 巻   頁： 100 - 104   2019年4月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2019.02.020

Web of Science

Effect of gas phase temperature on InGaN grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Liu Zhibin, Nitta Shugo, Usami Shigeyoshi, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   509 巻   頁： 50 - 53   2019年3月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.007

Web of Science

Morphological study of InGaN on GaN substrate by supersaturation

Liu Zhibin, Nitta Shugo, Robin Yoann, Kushimoto Maki, Deki Manato, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   508 巻   頁： 58 - 65   2019年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.12.028

Web of Science

How to obtain metal-polar untwinned high-quality (10-13) GaN on m-plane sapphire

Hu Nan, Dinh Duc V., Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   507 巻   頁： 205 - 208   2019年2月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.11.013

Web of Science

MOVPE growth and high-temperature annealing of (10(1)over-bar0) AlN layers on (10(1)over-bar0) sapphire

Dinh Duc V., Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   502 巻   頁： 14 - 18   2018年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.09.001

Web of Science

What is red? On the chromaticity of orange-red InGaN/GaN based LEDs

Robin Y., Pristovsek M., Amano H., Oehler F., Oliver R. A., Humphreys C. J.

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   124 巻 ( 18 )   2018年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.5047240

Web of Science

Simultaneous Growth of Various InGaN/GaN Core-Shell Microstructures for Color Tunable Device Applications

Robin Yoann, Liao Yaqiang, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE   215 巻 ( 21 )   2018年11月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssa.201800361

Web of Science

Comparing high-purity c- and m-plane GaN layers for Schottky barrier diodes grown homoepitaxially by metalorganic vapor phase epitaxy

Nagamatsu Kentaro, Ando Yuto, Ye Zheng, Barry Ousmane, Tanaka Atsushi, Deki Manato, Nitta Shugo, Honda Yoshio, Pristovsek Markus, Amano Hiroshi

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   57 巻 ( 10 )   2018年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/JJAP.57.105501

Web of Science

Scopus

High-temperature thermal annealing of nonpolar (10(1)over-bar0) AlN layers sputtered on (1 0(1)over-bar0) sapphire

Dinh Duc V, Hu Nan, Honda Yoshio, Amano Hiroshi, Pristovsek Markus

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   498 巻   頁： 377 - 380   2018年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2018.07.015

Web of Science

Reduction of Residual Impurities in Homoepitaxial m-Plane (10(1)over-bar0) GaN by Using N-2 Carrier Gas in Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

Barry Ousmane I., Lekhal Kaddour, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

PHYSICA STATUS SOLIDI-RAPID RESEARCH LETTERS   12 巻 ( 8 )   2018年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssr.201800124

Web of Science

Insight into the performance of multi-color InGaN/GaN nanorod light emitting diodes

Robin Y., Bae S. Y., Shubina T. V., Pristovsek M., Evropeitsev E. A., Kirilenko D. A., Davydov V. Yu., Smirnov A. N., Toropov A. A., Jmerik V. N., Kushimoto M., Nitta S., Ivanov S. V., Amano H.

SCIENTIFIC REPORTS   8 巻 ( 1 )   2018年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1038/s41598-018-25473-x

Web of Science

Scopus

Interface amorphization in hexagonal boron nitride films on sapphire substrate grown by metalorganic vapor phase epitaxy

Yang Xu, Nitta Shugo, Pristovsek Markus, Liu Yuhuai, Nagamatsu Kentaro, Kushimoto Maki, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

APPLIED PHYSICS EXPRESS   11 巻 ( 5 )   2018年5月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.7567/APEX.11.051002

Web of Science

Scopus

Growth of hexagonal boron nitride on sapphire substrate by pulsed-mode metalorganic vapor phase epitaxy 査読有り

Yang Xu, Nitta Shugo, Nagamatsu Kentaro, Bae Si-Young, Lee Ho-Jun, Liu Yuhuai, Pristovsek Markus, Honda Yoshio, Amano Hiroshi

JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH   482 巻   頁： 1 - 8   2018年1月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1016/j.jcrysgro.2017.10.036

Web of Science

Structural and optical properties of Gd implanted GaN with various crystallographic orientations 査読有り

A. Mackova, P. Malinsky, A. Jagerova, Z. Sofer, K. Klimova, D. Sedmidubsky, M. Pristovsek, M. Mikulics, J. Lorincik, R. Boettger, S. Akhmadaliev

THIN SOLID FILMS   638 巻   頁： 63 - 72   2017年9月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）   出版者・発行元：ELSEVIER SCIENCE SA  

Structure, morphology, and optical properties of Gd implanted GaN epitaxial layers were studied for (0001), (11-20), and (11-22) orientations. The GaN layers grown by MOVPE on sapphire were subsequently implanted with 200 keV Gd+ ions using fluences of 5 x 10(15) and 5 x 10(16) cm(-2). Dopant depth profiling was accomplished by Rutherford Back-Scattering spectrometry (RBS). Structural and optical changes during subsequent annealing were characterized by RBS, Raman spectroscopy, and photoluminescence measurements. Post-implantation annealing induced a structural reorganization of GaN structure in the buried layer depending on the introduced disorder level, i.e. depending on the implantation fluence and on crystallographic orientation. The defect density depth distribution was evaluated by RBS. The surface morphology and optical properties depend on particular crystallographic orientation. (C) 2017 Elsevier B.V. All rights reserved.

DOI： 10.1016/j.tsf.2017.07.036

Web of Science

Surface reconstructions of (0001) AlN during metal-organic vapor phase epitaxy 査読有り

Pristovsek Markus, Bellman Konrad, Mehnke Frank, Stellmach Joachim, Wernicke Tim, Kneissl Michael

PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS   254 巻 ( 8 )   2017年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1002/pssb.201600711

Web of Science

Effects of Wavelength and Defect Density on the Efficiency of (In, Ga) N-Based Light-Emitting Diodes 査読有り

Pristovsek Markus, Bao An, Oliver Rachel A., Badcock Tom, Ali Muhammad, Shields Andrew

PHYSICAL REVIEW APPLIED   7 巻 ( 6 )   2017年6月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1103/PhysRevApplied.7.064007

Web of Science

Development of Sustainable Smart Society based on Transformative Electronics

Ogura M., Ando Y., Usami S., Nagamatsu K., Kushimoto M., Deki M., Tanaka A., Nitta S., Honda Y., Pristovsek M., Kawai H., Yagi S., Amano H.

2017 IEEE INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING (IEDM)     2017年

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Web of Science

Radiative recombination mechanisms in polar and non-polar InGaN/GaN quantum well LED structures 査読有り

Badcock T. J., Ali M., Zhu T., Pristovsek M., Oliver R. A., Shields A. J.

APPLIED PHYSICS LETTERS   109 巻 ( 15 )   2016年10月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.4964842

Web of Science

Determination of axial and lateral exciton diffusion length in GaN by electron energy dependent cathodoluminescence 査読有り

Hocker Matthias, Maier Pascal, Jerg Lisa, Tischer Ingo, Neusser Gregor, Kranz Christine, Pristovsek Markus, Humphreys Colin J., Leute Robert A. R., Heinz Dominik, Rettig Oliver, Scholz Ferdinand, Thonke Klaus

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.4961417

Web of Science

Deoxidation of (001) III-V semiconductors in metal-organic vapour phase epitaxy 査読有り

Kaspari Christian, Pristovsek Markus, Richter Wolfgang

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   120 巻 ( 8 )   2016年8月

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： 10.1063/1.4961414

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