講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作 国際会議
大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二
2014年電気化学秋季大会 2014年9月27日
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 2014年11月30日
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction
M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算 国際会議
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
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MONOSメモリにおけるSiO<sub>2</sub>膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察 国際会議
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016年1月22日
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IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性 国際会議
服部 綾実, 矢田 圭司, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2018年9月9日 日本
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服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2018年3月22日
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IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御 国際会議
伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
日本表面科学会 2016年11月29日
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GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果 国際会議
洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 第69回年次大会 2014年3月27日
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GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析 国際会議
関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
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GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション 国際会議
白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健大, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一
電子情報通信学会 2017年11月9日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2012年9月26日
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First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015年12月10日
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First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO<sub>2</sub> Interface by Thermal Oxidation
S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials 2015年9月27日
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First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013 2013年9月9日
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First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)<sub>2</sub>/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> phase change memory
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015) 2015年12月2日
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First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces
K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015年10月4日
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Evaluation of Energy Band Structure of Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF) 2015年11月2日
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Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations
T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 IEEE International Electron Devices Meeting 2013年12月9日