講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算
洗平昌晃，山本貴博，白石賢二
第19回 半導体スピン工学の基礎と応用
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ 国際会議
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)
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Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作
大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二
2014年電気化学秋季大会
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会
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GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果
洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 第69回年次大会
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Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure 国際会議
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
27th International Conference on Microelectronic Test Structures
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Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 国際会議
T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
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SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察
長川健太, 神谷克政, 洗平昌晃, 白石賢二
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 2013年秋季大会
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First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions 国際会議
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013
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Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 国際会議
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
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第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二
日本物理学会
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Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会