研究者詳細 - 洗平　昌晃

講演・口頭発表等 - 洗平　昌晃

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Si_1-xSn_x半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

Si/SiO₂(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性に関する理論的研究

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

MONOSメモリにおけるSiO₂膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)

First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb₂Te₃ 国際会議

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015)

絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会

Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成

黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会

Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin 国際会議

Masaaki Araidai

International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)

Evaluation of Energy Band Structure of Si_1-xSn_x by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy 国際会議

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF)

Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction 国際会議

M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)₂/Sb₂Te₃ phase change memory 国際会議

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO₂ layer of MONOS memories 国際会議

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces 国際会議

K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process 国際会議

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO₂ Interface by Thermal Oxidation 国際会議

S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)

超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算

高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

日本物理学会第70回年次大会(2015年)

電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算

洗平昌晃，山本貴博，白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

白川裕規，洗平昌晃，神谷克政，白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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