講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy 国際会議
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF)
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction 国際会議
M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)2/Sb2Te3 phase change memory 国際会議
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO2 layer of MONOS memories 国際会議
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces 国際会議
K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process 国際会議
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation 国際会議
S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
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シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
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超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
日本物理学会 第70回年次大会(2015年)
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算
洗平昌晃，山本貴博，白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
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MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算
白川裕規，洗平昌晃，神谷克政，白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
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SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算
洗平昌晃，山本貴博，白石賢二
第19回 半導体スピン工学の基礎と応用
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ 国際会議
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)
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Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作
大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二
2014年電気化学秋季大会
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会
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GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果
洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 第69回年次大会
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Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure 国際会議
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
27th International Conference on Microelectronic Test Structures
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Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 国際会議
T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 IEEE International Electron Devices Meeting