講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM
森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日 応用物理学会
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強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討
牧芳和，新井千慧，洗平昌晃，白石賢二，中山隆史
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日 応用物理学会
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熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定
長嶋佑哉，木村友哉，洗平昌晃，長川健太，草場彰，寒川義裕，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日 応用物理学会
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AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察
赤石大地，洗平昌晃，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
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MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究
森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月28日 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
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First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements 招待有り 国際会議
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日 Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT
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First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日 Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT
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Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF) 2021年11月15日 The Japan Society of Applied Physics
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Development of Physically Informed Neural Network Potential 国際会議
S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日 Institute of Materials and Systems for Sustainability
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First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar 国際会議
F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日 Institute of Materials and Systems for Sustainability
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ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発
伊藤匠哉，洗平昌晃，白石賢二
日本物理学会 2021年秋季大会 2021年9月21日 日本物理学会
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Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 招待有り
中西徹，長川健太，洗平昌晃，年吉洋，杉山達彦，橋口原，白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日 応用物理学会
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透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価
伊藤麻維，洗平昌晃，大田晃生，中塚理，黒澤昌志
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日 応用物理学会
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Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について 招待有り
小川湧太郎，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日 応用物理学会
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Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議
M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, M. Kurosawa
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021年9月6日 The Japan Society of Applied Physics
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Multicanonical simulations with physically informed neural network potentials on chemical reactions in gas phase 国際会議
Masaaki Araidai
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021年3月2日
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ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察
榊原聡真，長川健太，洗平昌晃，草場 彰，寒川 義裕，白石賢二
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月23日
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K イオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討
中西徹, 長川健太, 洗平昌晃, 年吉洋, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二
第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月23日
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Fe/MgO 界面への窒素不純物が磁気異方性と TMR に与える影響について
小川湧太郎, 洗平昌晃, 遠藤哲郎, 白石賢二
第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
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Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth 国際会議
S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi
The International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月20日