講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method
A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016) 2016年3月6日
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Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造 国際会議
志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志
日本物理学会 2018年9月9日
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Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成 国際会議
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015年12月1日
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Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO<sub>2</sub> layer of MONOS memories
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 2014年5月28日
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 2014年12月15日
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
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金接合系の構造と表面原子拡散 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2009年3月29日
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金原子のエレクトロマイグレーションに関する第一原理計算 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2008年9月22日
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超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション 国際会議
小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会 2019年6月21日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算 国際会議
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
日本物理学会 第70回年次大会(2015年) 2015年3月21日
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絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015年12月1日
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会 2016年3月19日
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絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析 国際会議
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 第71回年次大会（2016年） 2016年3月19日
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 国際会議
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会 2018年6月25日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討 国際会議
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015年1月24日
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第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性 国際会議
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二
日本物理学会 2013年3月26日
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磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 2013年秋季大会 2013年9月25日
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0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -ＩＴ機器の消費電力1/10などの実現に道-
2013年6月