講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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Oxygen Vacancy Diffusion in BaTiO3 via Machine Learning Potential 国際会議
Masaaki Araidai, Tomofumi Tada
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2025 2025年12月13日
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Synthesis of GeH layers on Ge/Si(111) at room temperature 国際会議
Kaito Nakajima, Atsuki Nakayama, Wei-Chen Wen, Yuji Yamamoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Masaaki Araidai, and Masashi Kurosawa
16th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2025年11月17日
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Continuous growth of germanene and stanene lateral heterostructures 国際共著 国際会議
J. Yuhara, T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay
23rd International Vacuum Congress (IVC-23) 2025年9月18日
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トポケミカル反応により形成したメチル化ゲルマナン薄膜のフォトルミネッセンス特性
中山敦稀, 中嶋海都, 洗平昌晃, 柴山茂久, 坂下満男, 佐々木拓也, 丹羽健, 長谷川正, 中塚理, 黒澤昌志
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月9日
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室温下でのGe/Si(111)基板上GeH薄膜の高速形成
中嶋海都, 中山敦稀, Wen Wei-Chen, 山本裕司, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 洗平昌晃, 黒澤昌志
第86回応用物理学会秋季学術講演会 2025年9月8日
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Continuous growth of germanene and stanene lateral heterostructures 招待有り 国際共著 国際会議
J. Yuhara, T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay
PAP SEMINAR 2025 at Nanyang Technological University
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Hydrogen desorption from GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient towards germanene synthesizing 招待有り 国際会議
M. Kurosawa, K. Matsumoto, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka
International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials Processing, Fabrication, Properties, Applications (THERMEC'2025) 2025年7月1日
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帯電材料カリウムイオンエレクトレットにおけるSiO5構造の負電荷蓄積機構と検出方法の理論的解析
桐越大貴, 大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 橋口原, 白石賢二
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月15日 公益社団法人応用物理学会
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帯電材料カリウムイオンエレクトレットにおけるSiO5構造の負電荷蓄積機構と検出方法の理論的解析
桐越大貴, 大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 橋口原, 白石賢二
第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2025年1月24日
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Continuous growth of germanene and stanene lateral heterostructures 国際共著
J. Yuhara, T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay
International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices in Winter 2025 2025年1月23日
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Continuous growth of germanene and stanene lateral heterostructures 国際共著 国際会議
J. Yuhara, T. Ogikubo, H. Shimazu, Y. Fujii, A. Ohta, M. Araidai, M. Kurosawa, G. Le Lay
10th International Symposium on Surface Science 2024年10月22日
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Influence of Hydrogen Desorption Temperature on Interlayer Distance of Multilayered GeH Nanosheets under Ultrahigh Vacuum Ambient 国際会議
K. Matsumoto, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Nishimura, K. Nagashio, M. Kurosawa
2024 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日
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Construction of Machine Learning Potential for Titanium Oxides with Crystallographic Shear Structure
XUAN DAI, Masaaki Araidai, Takuma Shiga, Toru Ujihara, Shunta Harada
2024年3月23日
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カリウムイオンエレクトレット内のSiO5構造の検出方法の検討
桐越大貴，大畑慶記，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二
第71回応用物理学会春季学術講演会 2024年3月22日
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First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium 招待有り 国際会議
M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, K. Shiraishi
Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023 (JVSS2023) 2023年11月2日
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Reliability Impact of Potassium-ion Electrets due to Carbon Contamination during Charging Process 国際会議
T. Kirikoshi, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF2023) 2023年10月24日
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Impact of Hydrogen and Nitrogen Impurities in Fe/MgO Structures on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy of Spin-transfer Torque Magnetic Random-access Memory (STT-MRAM) Devices 国際会議
T. Nawa, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Morishita, Y. Ogawa, K. Shiraishi
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF2023) 2023年10月24日
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カリウムイオンエレクトレット帯電劣化メカニズムの第一原理計算による研究 招待有り
大畑慶記，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二
第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月23日
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2次元トポロジカル絶縁体候補物質ABTe4(A/B=Ti,Zr,Hf)に対する有機分子インターカレーション効果
蓮生雄人，畑野敬史，浦田隆広，洗平昌晃，生田博志
日本物理学会第78回年次大会 2023年9月19日
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第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究
石原大樹，洗平昌晃，山影相，白石賢二
日本物理学会第78回年次大会 2023年9月16日
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カリウムイオンエレクトレット内への炭素混入の影響
桐越大貴,大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二
第70回応用物理学会春季学術講演会 2023年3月16日
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帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素のよる劣化の第一原理計算による研究
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月4日
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STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析
森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023年2月3日
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Impact of Grain Boundaries in MgO Layer on Data Retention Performance of STT-MRAM 国際会議
K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月29日
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Microscopic Physical Origin of Charge Traps in 3D NAND Flash Memories 国際会議
F. Nanataki, J. Iwata, K. Chokawa, M. Araidai, A. Oshiyama, K. Shiraishi
International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022年9月28日
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磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面垂直磁気異方性に与える影響
名和卓哉,森下佳祐,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経路
大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二
第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022年9月21日
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First-principles study of the effect of hydrogen on potassium-ion electrets 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月6日
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カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討
大畑慶記，中西徹，長川健太，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月26日 応用物理学会
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First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM
森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日 応用物理学会
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強誘電HfO2薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討
牧芳和，新井千慧，洗平昌晃，白石賢二，中山隆史
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月24日 応用物理学会
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熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定
長嶋佑哉，木村友哉，洗平昌晃，長川健太，草場彰，寒川義裕，白石賢二
第69回応用物理学会春季学術講演会 2022年3月25日 応用物理学会
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AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察
赤石大地，洗平昌晃，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月29日 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
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MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究
森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第27回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022年1月28日 応用物理学会・薄膜表面物理分科会
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First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements 招待有り 国際会議
M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日 Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT
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First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022年1月12日 Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT
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Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators 国際会議
Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi
International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF) 2021年11月15日 The Japan Society of Applied Physics
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Development of Physically Informed Neural Network Potential 国際会議
S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日 Institute of Materials and Systems for Sustainability
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First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar 国際会議
F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日 Institute of Materials and Systems for Sustainability
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ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発
伊藤匠哉，洗平昌晃，白石賢二
日本物理学会 2021年秋季大会 2021年9月21日 日本物理学会
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Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 招待有り
中西徹，長川健太，洗平昌晃，年吉洋，杉山達彦，橋口原，白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日 応用物理学会
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透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価
伊藤麻維，洗平昌晃，大田晃生，中塚理，黒澤昌志
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月10日 応用物理学会
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Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について 招待有り
小川湧太郎，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二
第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021年9月12日 応用物理学会
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Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment 国際会議
M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, M. Kurosawa
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021年9月6日 The Japan Society of Applied Physics
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Multicanonical simulations with physically informed neural network potentials on chemical reactions in gas phase 国際会議
Masaaki Araidai
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021年3月2日
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ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察
榊原聡真，長川健太，洗平昌晃，草場 彰，寒川 義裕，白石賢二
第26回 電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月23日
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K イオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討
中西徹, 長川健太, 洗平昌晃, 年吉洋, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二
第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月23日
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Fe/MgO 界面への窒素不純物が磁気異方性と TMR に与える影響について
小川湧太郎, 洗平昌晃, 遠藤哲郎, 白石賢二
第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021年1月22日
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Theoretical study of the effects of H2 and NH3 on the TMG decomposition process in GaN crystal growth 国際会議
S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi
The International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021年1月20日
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Effect of Nitrogen Impurity Atoms at Fe/MgO Interface on Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy 国際会議
Y. Ogawa, M. Araidai, T. Endoh, and K. Shiraishi
51st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2020年12月18日
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GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH2とNH3による効果の理論的考察
榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場 彰, 寒川義裕, 白石賢二
第49回日本結晶成長国内学会 2020年11月9日
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カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討
中⻄徹, 宮島岳史, ⻑川健太, 洗平昌晃, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二
第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2020年10月27日
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帯電が誘起する強誘電直方晶HfO2薄膜の安定性：第一原理計算による検討
新井千慧, 白石悠人, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月10日
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多層ゲルマナンフレークからの水素脱離
伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月9日
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ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるTMGa分解反応の探索
榊原聡真, 洗平昌晃, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二
第81回 応用物理学会秋季学術講演会 2020年9月8日
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MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析
木村友哉, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 洗平昌晃, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 寒川義裕, 白石賢二
日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」 2020年7月31日
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超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション
小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会
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小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一
電子情報通信学会
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Si/SiO2界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発
又賀誠, 洗平昌晃, 名倉拓哉, 白石賢二
日本物理学会
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服部 綾実, 矢田 圭司, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会
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志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志
日本物理学会
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会
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服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会
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白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健大, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一
電子情報通信学会
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伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子情報通信学会
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会
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伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
日本表面科学会
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淺枝 駿冴, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明
日本表面科学会
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会
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服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会
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Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator 国際会議
K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka
International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態
服部 綾実, 洗平 昌晃, 初谷 安弘, 矢田 圭司, 白石 賢二, 佐藤 昌利, 田仲 由喜夫
日本物理学会
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態
服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫
日本物理学会 第71回年次大会（2016年）
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SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討
小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
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V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
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GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析
関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
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絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 第71回年次大会（2016年）
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会
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Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method 国際会議
A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016)
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Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
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Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
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MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
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Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth 国際会議
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
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First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film 国際会議
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
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First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb2Te3 国際会議
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015)
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絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会
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Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会
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Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin 国際会議
Masaaki Araidai
International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)
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Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy 国際会議
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF)
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction 国際会議
M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)2/Sb2Te3 phase change memory 国際会議
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO2 layer of MONOS memories 国際会議
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)
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First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces 国際会議
K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process 国際会議
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation 国際会議
S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials
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シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)
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超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
日本物理学会 第70回年次大会(2015年)
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算
洗平昌晃，山本貴博，白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
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MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算
白川裕規，洗平昌晃，神谷克政，白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会
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SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算
洗平昌晃，山本貴博，白石賢二
第19回 半導体スピン工学の基礎と応用
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ 国際会議
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)
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Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作
大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二
2014年電気化学秋季大会
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会
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GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果
洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 第69回年次大会
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Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure 国際会議
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
27th International Conference on Microelectronic Test Structures
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Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations 国際会議
T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 IEEE International Electron Devices Meeting
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SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察
長川健太, 神谷克政, 洗平昌晃, 白石賢二
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会
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磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 2013年秋季大会
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First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions 国際会議
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013
-
Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications 国際会議
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits
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第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二
日本物理学会
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Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会
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20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之
公益社団法人 日本表面科学会
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15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)
洗平 昌晃, 中村 泰弘, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会
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洗平 昌晃, 金井 千里, 多田 和広, 山内 明弘, 渡辺 一之
一般社団法人電子情報通信学会
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V-MOSFETにおけるSi/SiO<sub>2</sub>(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 国際会議
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
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27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9) 国際会議
洗平 昌晃, 中村 泰弘, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2004年 日本物理学会講演概要集
-
25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2006年 日本物理学会講演概要集
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22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2003年 日本物理学会講演概要集
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21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2005年 日本物理学会講演概要集
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20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長) 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2007年 日本物理学会講演概要集
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15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9) 国際会議
野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2004年 日本物理学会講演概要集
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30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2006年 日本物理学会講演概要集
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熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 国際会議
小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一
電子情報通信学会 2019年6月21日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで 国際会議
洗平 昌晃, 金井 千里, 多田 和広, 山内 明弘, 渡辺 一之
一般社団法人電子情報通信学会 2002年12月6日 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議
服部 綾実, 洗平 昌晃, 初谷 安弘, 矢田 圭司, 白石 賢二, 佐藤 昌利, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2016年3月21日 日本物理学会講演概要集
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議
服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫
日本物理学会 第71回年次大会（2016年） 2016年3月19日
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時間依存密度汎関数法による有機分子の光学吸収スペクトル 国際会議
野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之
公益社団法人 日本表面科学会 2004年 表面科学講演大会講演要旨集
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淺枝 駿冴, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 財満 鎭明
日本表面科学会 2016年11月29日
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分子架橋系の電子トンネル機構に関する理論研究 : I-V特性のFowler-Nordheimプロットにおける屈曲の起源 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2010年3月21日
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シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 国際会議
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 2015年6月19日
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会 2018年3月24日
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伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
電子情報通信学会 2017年6月20日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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エッジ水素終端IV族単原子層ナノリボンの電気伝導特性 国際会議
服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2016年9月14日
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アルミナ表面上のゲルマネンおよびスタネンの電子状態 国際会議
洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会 2016年9月14日
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アモルファス絶縁膜上におけるIV族二次元結晶の電子状態 国際会議
洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会 2017年3月17日
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Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
27th International Conference on Microelectronic Test Structures 2014年3月25日
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Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015年10月4日
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Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator
K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, Y. Tanaka
International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 2016年3月23日
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Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin
Masaaki Araidai
International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 2015年11月7日
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SiC酸化により引き起こされるSi欠陥への第一原理計算からの考察 国際会議
長川健太, 神谷克政, 洗平昌晃, 白石賢二
SiC及び関連半導体研究 第22回講演会 2013年12月9日
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SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討 国際会議
小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
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SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討 国際会議
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015年1月24日
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Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析 国際会議
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016年1月22日
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Si/SiO<sub>2</sub>界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発 国際会議
又賀 誠, 洗平 昌晃, 名倉 拓哉, 白石 賢二
日本物理学会 2018年9月10日 日本物理学会講演概要集
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Si/SiO<sub>2</sub>(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究 国際会議
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016年1月22日
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Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015年12月10日
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Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作 国際会議
大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二
2014年電気化学秋季大会 2014年9月27日
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 2014年11月30日
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Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction
M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算 国際会議
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
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MONOSメモリにおけるSiO<sub>2</sub>膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察 国際会議
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016年1月22日
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IV族単原子層ナノリボンへの電解効果とリボン幅依存性 国際会議
服部 綾実, 矢田 圭司, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2018年9月9日 日本
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服部 綾実, 洗平 昌晃, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2018年3月22日
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IV族半導体上に蒸着したAg薄膜の化学構造評価と反応制御 国際会議
伊藤 公一, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮崎 誠一
日本表面科学会 2016年11月29日
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GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果 国際会議
洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 第69回年次大会 2014年3月27日
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GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析 国際会議
関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日
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GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション 国際会議
白石 賢二, 関口 一樹, 長川 健大, 白川 裕規, 川上 賢人, 山本 芳裕, 洗平 昌晃, 岡本 直也, 芳松 克則, 寒川 義裕, 柿本 浩一
電子情報通信学会 2017年11月9日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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Franck-Condon Blockade現象に関する理論解析 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2012年9月26日
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First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015年12月10日
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First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO<sub>2</sub> Interface by Thermal Oxidation
S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi
2015 International Conference on Solid State Devices and Materials 2015年9月27日
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First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions
Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi
IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013 2013年9月9日
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First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)<sub>2</sub>/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub> phase change memory
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015) 2015年12月2日
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First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces
K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015年10月4日
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Evaluation of Energy Band Structure of Si<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub> by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF) 2015年11月2日
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Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations
T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 IEEE International Electron Devices Meeting 2013年12月9日
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Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits 2013年6月11日
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Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method
A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016) 2016年3月6日
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Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造 国際会議
志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志
日本物理学会 2018年9月9日
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Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成 国際会議
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015年12月1日
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Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO<sub>2</sub> layer of MONOS memories
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 2014年5月28日
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
第19回 半導体スピン工学の基礎と応用 2014年12月15日
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電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
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金接合系の構造と表面原子拡散 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2009年3月29日
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金原子のエレクトロマイグレーションに関する第一原理計算 国際会議
洗平 昌晃, 塚田 捷
日本物理学会 2008年9月22日
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超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション 国際会議
小川 湧太郎, 野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会 2019年6月21日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算 国際会議
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
日本物理学会 第70回年次大会(2015年) 2015年3月21日
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絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015年12月1日
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洗平 昌晃, 黒澤 昌志, 大田 晃生, 白石 賢二
日本物理学会 2016年3月19日
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絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析 国際会議
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 第71回年次大会（2016年） 2016年3月19日
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 国際会議
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会 2018年6月25日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討 国際会議
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015年1月24日
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第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性 国際会議
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二
日本物理学会 2013年3月26日
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磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 2013年秋季大会 2013年9月25日
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0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -ＩＴ機器の消費電力1/10などの実現に道-
2013年6月