講演・口頭発表等 - 洗平 昌晃
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Ag(111)表面上に偏析したGe原子が形成する二次元構造 国際会議
志満津 宏樹, 柚原 淳司, 仲武 昌史, 伊藤 公一, 大田 晃生, 洗平 昌晃, 黒澤 昌志
日本物理学会 2018年9月9日
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Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成 国際会議
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015年12月1日
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Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO<sub>2</sub> layer of MONOS memories
H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi
AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015年10月18日
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30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2006年 日本物理学会講演概要集
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27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9) 国際会議
洗平 昌晃, 中村 泰弘, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2004年 日本物理学会講演概要集
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25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2006年 日本物理学会講演概要集
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22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2003年 日本物理学会講演概要集
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21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長)) 国際会議
洗平 昌晃, 相馬 聡文, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2005年 日本物理学会講演概要集
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20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長) 国際会議
洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2007年 日本物理学会講演概要集
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15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9) 国際会議
野口 智之, 中岡 紀行, 洗平 昌晃, 渡辺 一之
一般社団法人 日本物理学会 2004年 日本物理学会講演概要集
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Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications
N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi
2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits 2013年6月11日
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 国際会議
野原 弘晶, 白川 裕規, 洗平 昌晃, 白石 賢二
電子情報通信学会 2018年6月25日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討 国際会議
高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015年1月24日
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第一原理計算による相変化メモリデバイスの構造同定と電気伝導特性 国際会議
洗平 昌晃, 加藤 重徳, 山本 貴博, 白石 賢二
日本物理学会 2013年3月26日
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磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
日本物理学会 2013年秋季大会 2013年9月25日
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磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション 国際会議
洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二
電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 2014年5月28日
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熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成 国際会議
小林 征登, 大田 晃生, 黒澤 昌志, 洗平 昌晃, 田岡 紀之, 池田 弥央, 牧原 克典, 宮﨑 誠一
電子情報通信学会 2019年6月21日 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
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炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで 国際会議
洗平 昌晃, 金井 千里, 多田 和広, 山内 明弘, 渡辺 一之
一般社団法人電子情報通信学会 2002年12月6日 電子情報通信学会技術研究報告. ED, 電子デバイス
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議
服部 綾実, 洗平 昌晃, 初谷 安弘, 矢田 圭司, 白石 賢二, 佐藤 昌利, 田仲 由喜夫
日本物理学会 2016年3月21日 日本物理学会講演概要集
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水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 国際会議
服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫
日本物理学会 第71回年次大会（2016年） 2016年3月19日