研究者詳細 - 洗平　昌晃

講演・口頭発表等 - 洗平　昌晃

分割表示 199 件中 121 - 140 件目／全件表示 >>

30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))

洗平昌晃, 相馬聡文, 渡辺一之

一般社団法人日本物理学会

21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))

洗平昌晃, 相馬聡文, 渡辺一之

一般社団法人日本物理学会

時間依存密度汎関数法による有機分子の光学吸収スペクトル

野口智之, 中岡紀行, 洗平昌晃, 渡辺一之

公益社団法人日本表面科学会

開催年月日： 2004年

会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

近年ナノスケールにおける様々な物性が調べられているが、その中で光学的な応答も興味ある性質の一つである。特にナノスケールでの光学応答は物質の構造やサイズに敏感であり、多くの研究がなされている。本研究では擬ポテンシャルを用いた時間依存密度汎関数法により、平面構造を持った有機分子の光学応答の第一原理計算を行い、分子サイズと光吸収スペクトルとの相関を明らかにする。

CiNii Research

15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)

野口智之, 中岡紀行, 洗平昌晃, 渡辺一之

一般社団法人日本物理学会

27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)

洗平昌晃, 中村泰弘, 渡辺一之

一般社団法人日本物理学会

22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果

洗平昌晃, 渡辺一之

一般社団法人日本物理学会

炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで

洗平昌晃, 金井千里, 多田和広, 山内明弘, 渡辺一之

一般社団法人電子情報通信学会

開催年月日： 2002年12月

記述言語：日本語会議種別：口頭発表（一般）

国名：日本国

電界放出機構を電子源の原子構造と電子状態を第一原理計算によって詳細に調べることで明らかにする.炭素原子からなる炭素同質異形体(カーボンアロトロープ:原子、クラスター、グラファイト、ダイヤモンド)を系に選び、時間依存密度汎関数法(TD-DFT)を用いて放出電流、電流のエネルギー分布、仕事関数を決定する。放出電流は仕事関数にのみ影響されるのではなく、電子構造、特に炭素系ナノ構造が電子源の場合は共有結合の特長(σとπ状態)が本質的な役割を果たすことが明らかになった.

CiNii Research

V-MOSFETにおけるSi/SiO<sub>2</sub>(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察国際会議

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016年3月19日