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圧縮歪みSi/Si1-XCX/Si(100)ヘテロ構造における 炭素傾斜組成の電気伝導特性への効果
酒井翔一朗, 古川洋志, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 星裕介, 澤野憲太郎
第61回応用物理学会春季学術講演会
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熱処理条件の違いによる多結晶Si中の欠陥と不純物への影響
高橋勲, S.Joonwichien, 松島悟, 宇佐美徳隆
第61回応用物理学会春季学術講演会
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A Simple Alternative of Barrier Layer Removal of Nanoporous Alumina Template on Silicon Substrate
H.V.Nguyen, Y.Hoshi, N.Usami
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真空蒸着法によるガラス基板上へのBaSi2薄膜の作製と評価
原康祐, 中川慶彦, 宇佐美徳隆, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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真空蒸着法によるSi基板上へのBaSi2薄膜の作製
中川慶彦, 原康祐, 宇佐美徳隆, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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I-V and C-V characteristics of the metal/undoped-BaSi2 Schottky diodes
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アンドープn型BaSi2エピタキシャル膜少数キャリア寿命の結晶粒径依存
高部涼太, 原康祐, 馬場正和, WeijieDu, 都甲薫, 宇佐美徳隆, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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KFM法によるSb-doped BaSi2薄膜表面の粒界ポテンシャル評価
塚原大地, 馬場正和, 髙部涼太, 都甲薫, 渡辺健太郎, 原康介, 宇佐美徳隆, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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KFM 法によるB 添加p 型BaSi2 エピタキシャル薄膜表面のポテンシャル分布
馬場正和, 塚原大地, WeijieDu, 都甲薫, 渡辺健太郎, 原康介, 宇佐美徳隆, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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BaSi2エピタキシャル薄膜へのAsイオン注入と高温アニール
原康祐, 宇佐美徳隆, 馬場正和, 都甲薫, 末益崇
第61回応用物理学会春季学術講演会
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Ge量子ドット積層フォトニックナノ構造を用いた光キャリア生成増大
太野垣健, 星裕介, 岸本裕子, 宇佐美徳隆
第61回応用物理学会春季学術講演会
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次世代太陽電池用シリコン系マルチスケール結晶
宇佐美 徳隆
戦略的研究基盤形成支援事業成果報告会シンポジウム
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Crystalline Si solar cells from crystal growth to the market International conference
N.Usami
The 2nd Malaysia-Japan Joint Workshop on Compound Solar Cells and Systems
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Integration of nanostructures in crystalline silicon solar cells International conference
N.Usami
Tenth International Conference on Flow Dynamics (ICFD2013)
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Floating cast method as a growth technique to realize high-quality multicrystalline silicon ingot for solar cells International conference
N.Usami
Global Photovoltaic Conference 2013 (GPVC 2013) & Aseanian Conference on Dye-sensitized & Organic Solar Cells (DSC-OPV8)
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浮遊キャスト成長法による多結晶組織制御と応力制御による欠陥発生抑制
高橋 勲,Supawan Joonwichien, 沓掛 健太朗, 宇佐美 徳隆
2013年度東北大学金属材料研究所ワークショップ
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ナノ構造体・結晶シリコン融合太陽電池
宇佐美 徳隆
第5回薄膜太陽電池セミナー2013
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ナノ構造体・結晶シリコン融合構造の作製とその太陽電池特性
星 裕介、太野垣 健、木口 賢紀、宇佐美 徳隆
第5回薄膜太陽電池セミナー2013
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pn接合太陽電池における電荷分離の駆動力と開放電圧
原 康祐, 宇佐美 徳隆
第5回薄膜太陽電池セミナー2013
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Floating cast method for growing high-quality multicrystalline silicon ingot: effect of non-uniform removal Si melt on conversion efficiencies
S.Joonwichien, I.Takahashi, S.Matsushima, N.Usami