Presentations -
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Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation
PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICMaSS 2023 2023.12.2
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エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果
渡邉 王雅, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第 10 回講演会 2023.12.1
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偏光顕微鏡法と X 線トポグラフィ法による SiC 基板中の貫通転位のマルチモーダル解析
原田 俊太, 松原 康高, 川瀬 道夫, 瀬尾 圭介, 水谷 誠也, 水谷 優也, 水谷 誠二, 村山 健太
先進パワー半導体分科会 第 10 回講演会 2023.12.1
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SiCパワーデバイスの研究開発は結晶欠陥と共に：SiCウェハー欠陥評価技術の進展 Invited
原田俊太
第11回SPring-8次世代先端デバイス研究会 2023.11.29
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製造プロセスの制御への強化学習の応用ー浮遊帯域溶融法による結晶成長を例に Invited
原田俊太
半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第3回「DX と AI がもたらす半導体基板製造の革新」 2023.11.24
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ベイズ超解像を用いた X 線光電子分光測定高速化プログラムの開発
原田俊太, 辻森皓太, 木下慎一郎
第 59 回 X 線分析討論会 2023.10.22
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SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション
鄭 朗程, 周 惠琴, 黨 一帆, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.20
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ＳｉＣ溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析
中西 祐貴, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
日本金属学会2023年秋期(第173回）講演大会 2023.9.22
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3-dimensional observation of dislocations in 4H-SiC using focused light birefringence
Masashi Kato, Hisaya Sato, Tomohisa Kato, Koichi Murata, Shunta Harada
ICSCRM 2023 2023.9.18
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Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth
Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru
ICSCRM 2023 2023.9.20
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Detailed characterization of defects in SiC using novel birefringence imaging toward identification of device-killer defects
Shunta Harada, Yasutaka Matsubara, Kenta Murayama
ICSCRM 2023 2023.9.19
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Birefringence image simulation of dislocations in a SiC crystal considering three-dimensional stress fields.
Yasutaka Matsubara, Kenta Murayama, Shunta Harada
ICSCRM 2023 2023.9.21
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Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth
Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Tour Ujihara
ICSCRM 2023 2023.9.19
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Advances in Suppressing Bipolar Degradation in SiC Devices: Carrier Lifetime Control and Proton Implantation (invited paper) Invited
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
ICSCRM 2023 2023.9.20
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Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method
Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICSCRM 2023 2023.9.19
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Defect characterization of SiC wafers by polarized light microscope under a condition slightly deviated from crossed Nicols
S. Harada, Y. Matsubara, K. Murayama
IUCr2023 2023.8.29
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Modulated crystallographic shear structure in titanium-chromium oxides: their structure and phonon transport properties
S. Harada, T. Hattori†, M. Inden†, S. Sugimoto†, M. Itoh†, M. Tagawa, T. Ujihara
IUCr2023 2023.8.29
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Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth
Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICCGE-20 2023.8.1
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Effect of macrostep height on formation of solvent inclusion in SiC solution growth
Yuma Fukami, Huiqin Zhou, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICCGE-20 2023.8.1
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Data-Driven Automated Control Algorithm for Floating-Zone Crystal Growth Using Reinforcement Learning Invited
Harada S, Tosa Y, Omae R, Matsumoto R, Sumitani S
ICCGE-20 2023.7.31