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X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016.11.8
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X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017.3.14
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X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長 International conference
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017.9.5
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2016.9.13
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2016.9.13
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Ultra high quality SiC crystal grown by solution method
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai
CMCEE 2015 2015.6.14
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Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa
The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 2016.10.6
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Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals
S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth
S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method International conference
Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara
2015.3.18
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Solvent design for high-purity SiC solution growth
S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara
The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2016.9.25
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SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減 International conference
劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017.9.5
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SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係 International conference
原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 村山健太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第63回応用物理学会春季学術講演会 2015.3.11
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SiC溶液成長における機械学習を用いた閉鎖空間の溶液温度・流速分布の予 International conference
畑佐 豪記, 角岡 洋介, 村山 健太, 村井 良太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
第40回結晶成長討論会 2017.8.30
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SiC溶液成長における最適条件高速探索手法の提案 International conference
角岡 洋介, 小久保 信彦, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017.3.14
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SiCにおける積層欠陥拡張・収縮挙動の高温その場観察 International conference
藤榮 文博, 原田 俊太, 花田 賢志, 村山 健太, 田川 美穂, 加藤 智久, 宇治原 徹
日本金属学会 2017年秋期講演会 2017.9.6
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SiC 溶液成長においてルツボ口径が多結晶析出に及ぼす影響 International conference
岡島 鎮記, 村井 良多, 村山 健太, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016.11.8
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Reduction of all types of dislocation in 4H-SiC crystal by two-step solution growth
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M. Tagawa, T. Ujihara
The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2016.9.25
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Prediction of solution flow combined with computational fluid dynamics simulation and sparse modeling
N. Kokubo, Y. Tsunooka, S. Harada, M. Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7