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“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減 Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth” International conference
村山健太, 堀司紗, 原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 2015.11.9
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“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現” International conference
村山健太, 原田俊太, 肖世玉, 堀司紗, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015.10.19
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“4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制” International conference
堀司紗, 村山健太, 肖世玉, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015.10.19
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“2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布” International conference
吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015.9.13
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X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016.11.8
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X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017.3.14
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X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長 International conference
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017.9.5
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2016.9.13
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察 International conference
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2016.9.13
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Ultra high quality SiC crystal grown by solution method
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai
CMCEE 2015 2015.6.14
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Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa
The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 2016.10.6
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Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals
S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth
S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016.8.7
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Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method International conference
Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara
2015.3.18
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Solvent design for high-purity SiC solution growth
S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara
The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2016.9.25
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SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減 International conference
劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017.9.5
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SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係 International conference
原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 村山健太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第63回応用物理学会春季学術講演会 2015.3.11
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SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価 International conference
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017.11.1
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Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method
Shunta Harada
SSDM2020 2020.9.29