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P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルー ジョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因 の分析
伊藤 貴洋, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.14
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半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井 勇太
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.17
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SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果
リ トウ, 坂根 仁, 原田 俊太, 加藤 正史
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.16
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SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制 Invited
原田 俊太, 坂根 仁, 三井 俊樹, 加藤 正史
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.14
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高エネルギーイオン注入によるSiCパワー半導体の順方向通電劣化抑制
原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
日本金属学会2025年春期(第176回）講演大会 2025.3.9
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放射光トポグラフィによる半導体ウエハの結晶欠陥評価
原田俊太
第28回名古屋大学DセンターVBLシンポジウム 2024.11.21
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NVセンタを用いたダイヤモンド中の転位の応力テンソルのイメージング
辻赳行, 中嶋まい, 原田俊太, 寺地徳之
第３８回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム 2024.11.21
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Defect Characterization of Power Device Semiconductor Wafers by Novel Birefringence Method Invited
Shunta Harada, Kenta Murayama
APWS2024 2024.10.15
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method Invited
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
APWS2024 2024.10.15
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024.10.1
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024.9.30
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024.10.4
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
ICSCRM 2024 2024.10.3
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Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Tour Ujihara
ICSCRM 2024 2024.10.3
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Influence of the Temperature Gradient on the Defect Formation in the Initial Stage of PVT Growth Invited
Ju-Hyeong Sun, Shunta Harada, Jungwoo Choi, Myung-Ok Kyun, Soon-Ku Hong, Seong-Min Jeong, Si-Young Bae, Yunji Shin
ICSCRM 2024 2024.9.30
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Identification of Threading Mixed Dislocations Having a Large Edge Component Burgers Vector by Polarized Light Observation Invited
Shunta Harada, Michio Kawase, Yasutaka Matsubara, Keisuke Seo, Yuya Mizutani, Seiya Mizutani, Seiji Mizutani, Kenta Murayama
ICSCRM 2024 2024.9.30
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Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method (Invited) Invited
Shunta Harada
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 2024.9.29
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SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化
坂本 隆直, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.20
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高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制のメカニズム解析
原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.18
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連続工程の全体最適化のための最適化手法の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024.9.20