論文 - 坂下　満男

電流検出型原子間力顕微鏡を用いたLa2O3-Al2O3複合膜の局所リーク電流評価 査読有り

世古明義, 佐合寿文, 藤塚良太, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

信学技報   104 巻   頁： 35   2005年

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Fabrication and Evaluation of Floating Gate Memories with Surface-Nitrided Si Nanocrystals 査読有り

S. Naito, T. Ueyama, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys.   44 巻   頁： 5687-5691   2005年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Pulsed Laser Deposition and Analysis for Structural and Electrical Properties of HfO2-TiO2 Composite Films 査読有り

K. Honda, A. Sakai, M. Sakashita, H. Ikeda, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻   頁： 1571-1576   2004年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Praseodymium silicate formed by postdeposition high-temperature annealing 査読有り

A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, Y. Yasuda, S. Zaima, and S. Miyazaki

Appl. Phys. Lett.   85 巻   頁： 5322-5324   2004年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Pr silicate has been synthesized by molecular-beam deposition of Pr2O3 layers on Si(111) substrates and subsequent high-temperature postdeposition annealing at 1000 °C. This thermal treatment drastically changes the film texture from the crystalline Pr2O3 epitaxially grown on Si, into Pr silicate with completely amorphized structures, resulting from intermixing of Si from the substrate. A typical dielectric constant and a leakage current density of Pr silicate grown under an optimal condition were, respectively, 19.7 and 3×10–9 A cm–2 at +1 V relative to the flatband voltage for an equivalent oxide thickness of 1.9 nm. Using x-ray photoelectron spectroscopy, a valence-band offset at the Pr-silicate/Si(111) interface of 2.75 eV and a band gap of 6.50 eV were obtained. The large band gap and the highly symmetric band alignment account for the observed low leakage current density.

HfO2 Film Formation Combined with Radical Nitridation and Its Electrical Characteristic 査読有り

R. Takahashi, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻   頁： 7821-7825   2004年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

Growth of silicon nanocrystal dots with high number density by ultra-high vacuum chemical vapor deposition 査読有り

S. Naito, M. Satake, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys.   43 巻   頁： 3779-3783   2004年

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記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）