論文 - 坂下 満男
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Challenges of Energy Band Engineering with New Sn-Related Group IV Semiconductor Materials for Future Integrated Circuits
S. Zaima, O. Nakatsuka, T. Yamaha, T. Asano, S. Ike, A. Suzuki, M. Kurosawa, W. Takeuchi, and M. Sakashita
ECS Trans. 2015 69 巻 頁： 89 2015年10月
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Oxygen and germanium migration at low temperature influenced by the thermodynamic nature of the materials used in germanium metal-insulator-semiconductor structures
K. Kato, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁： 102102 2015年9月
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Epitaxial formation of Ni germanide on Ge(0 0 1) substrate by reactive deposition
Y. Deng, O. Nakatsuka, A. Suzuki, M. Sakashita, S, Zaima
Solid-State Electronics 110 巻 頁： 44 2015年8月
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Growth and applications of GeSn-related group-IV semiconductor materials 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, M. Kurosawa, W. Takeuchi and M. Sakashita
Science and Technology of Advanced Materials 16 巻 頁： 043502 2015年7月
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High hole mobility tin-doped polycrystalline germanium layers formed on insulating substrates by low-temperature solid-phase crystallization 査読有り
W. Takeuchi, N. Taoka, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 107 巻 頁： 022103 2015年7月
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SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響
竹内和歌奈, 山本建策, 坂下満男, 金村髙司, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 IEICE Technical Report 115 巻 頁： 27 2015年6月
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 IEICE Technical Report 115 巻 頁： 63 2015年6月
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 IEICE Technical Report 115 巻 頁： 57 2015年6月
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高Sn組成SiSnの形成とバンド構造 －直接遷移構造化を目指して－
黒澤昌志, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報 IEICE Technical Report 115 巻 頁： 35 2015年4月
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Influence of interface structure on electrical properties of NiGe/Ge contacts 査読有り
Y. Deng, O. Nakatsuka, M. Sakashita and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 頁： 05EA01 2015年4月
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Impact of hydrogen surfactant on crystallinity of Ge1-xSnx epitaxial layers 査読有り
T. Asano, N. Taoka, K. Hozaki, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 54 巻 頁： 04DH15 2015年3月
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Formation of chemically stable GeO2 on the Ge surface with pulsed metal-organic chemical vapor deposition 査読有り
S. Shibayama, T. Yoshida, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 106 巻 頁： 062107 2015年2月
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第20回記念研究会研究報告 頁： 59 2015年1月
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─」第20回記念研究会研究報告 頁： 185 2015年1月
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Challenges and Developments in GeSn Process Technology for Si Nanoelectronics 招待有り 査読有り
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kato, W. Takeuchi, and M. Sakashita
ECS Trans. 2014 64 巻 頁： 147 2014年10月
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Formation of high-quality oxide/Ge1-xSnx interface with high surface Sn content by controlling Sn migration 査読有り
K. Kato, N. Taoka, T. Asano, T. Yoshida, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 105 巻 頁： 122103 2014年9月
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Robustness of Sn precipitation during thermal oxidation of Ge1-xSnx on Ge(001) 査読有り
K. Kato, T. Asano, N. Taoka, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 頁： 08LD04 2014年7月
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Importance of Ge surface oxidation with high oxidation rate in obtaining low interface state density at oxide/Ge interfaces 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 頁： 08LD02 2014年7月
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Interface properties of Al2O3/Ge structures with thin Ge oxide interfacial layer formed by pulsed metal organic chemical vapor deposition 査読有り
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 53 巻 頁： 08LD03 2014年7月
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Interaction of Sn atoms with defects introduced by ion implantation in Ge substrate 査読有り
N. Taoka, M. Fukudome, W. Takeuchi, T. Arahira, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Appl. Phys. 115 巻 頁： 173102 2014年5月