論文 - 坂下 満男
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Defects Induced by Reactive Ion Etching in Ge Substrate 査読有り
Kusumandari, N.taoka, W. takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Materials Research 896 巻 頁： 241 2014年2月
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件 査読有り
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 頁： 16 2014年1月
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Al2O3/SiC MOS構造における伝導帯端近傍の電気特性 査読有り
田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 頁： 205 2014年1月
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価 査読有り
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 頁： 131 2014年1月
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固溶限を超えるSn組成を有するGe1-xSnx層中におけるSn原子の熱安定性 査読有り
加藤公彦, 浅野孝典, 田岡紀之, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会 薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会 共催 特別研究会「ゲートスタック研究会 頁： 37 2014年1月
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n型Ge単結晶中におけるSnと空孔関連欠陥との相互作用 査読有り
竹内和歌奈, 田岡紀之, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） 114 巻 頁： 113 2014年
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絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 ～ 低融点Snの活用 ～ 査読有り
黒澤昌志, 田岡紀之, 池上浩, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） 114 巻 頁： 91 2014年
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Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減 査読有り
鈴木陽洋, 朝羽俊介, 横井淳, 中塚理, 黒澤昌志, 加藤公彦, 坂下満男, 田岡紀之, 財満鎭明
信学技報（電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス） 114 巻 頁： 11 2014年
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Heteroepitaxial Growth of Sn-Related Group-IV Materials On Si Platform for Microelectronic and Optoelectronic 招待有り 査読有り
O. Nakatsuka, N. Taoka, T. Asano, T. Yamaha, M. Kurosawa, M. Sakashita and S. Zaima
ECS Trans. 2013 58 巻 頁： 149 2013年10月
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Reduction of Interface States Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
ECS Trans. 2013 58 巻 頁： 301 2013年10月
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Liquid-Sn-driven lateral growth of poly-GeSn on insulator assisted by surface oxide layer 査読有り
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao and S. Zaima
M. Kurosawa, N. Taoka, M. Sakashita, O. Nakatsuka, M. Miyao and S. Zaima 103 巻 頁： 101904 2013年9月
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Understanding of interface structures and reaction mechanisms induced by Ge or GeO diffusion in Al2O3/Ge 査読有り
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁： 082114 2013年8月
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Broad defect depth distribution in germanium substrates induced by CF4 plasma 査読有り
Kusumandari, N. Taoka, W. Takeuchi, M. Fukudome, M. Sakashita, O. Nakatsuka and S. Zaima
Appl. Phys. Lett. 103 巻 頁： 033511 2013年7月
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Pr 酸化膜/Ge構造におけるゲート金属が界面反応に与える影響 査読有り
加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ 頁： 155-158 2013年1月
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明 査読有り
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ 頁： 39-42 2013年1月
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成 査読有り
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ─材料・プロセス・評価の物理─ 頁： 151-154 2013年1月
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Effects of Light Exposure during Plasma Processing on Electrical Properties of GeO2/Ge Structures 査読有り
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁： 01AC04 2013年
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Effect of Interfacial Reactions in Radical Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
J. Phys.: Conf. Ser. 417 巻 頁： 012001 2013年
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Effect of gate metal on chemical bonding state in metal/Pr-oxide/Ge gate stack structure 査読有り
K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Solid-State Electron 83 巻 頁： 56 2013年
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 査読有り
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Jpn. J. Appl. Phys. 52 巻 頁： 04CA08 2013年