研究者詳細 - 坂下　満男

論文 - 坂下　満男

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*Formation Processes of Ge3N4 Films by Radical Nitridation and Their Electrical Properties 査読有り

K. Kato, H. Kondo, , M. Sakashita, and S. Zaima

Thin Solid Films 518 巻 2010年

アモルファスTi-Si-N MOSゲート電極の熱的安定性およびスケーラビリティ

宮本和明，古米孝平，近藤博基，坂下満男，財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 頁： 89-92 2009年1月

アモルファスTi-Si-NおよびHf-Si-N MOSゲート電極の結晶構造と抵抗率の窒素濃度依存性

近藤博基，宮本和明，古米孝平，坂下満男，財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 頁： 191-194 2009年1月

Al2O3界面層挿入によるLaAlO3/Ge 界面制御効果

加藤亮祐，京極真也，坂下満男，近藤博基，財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 頁： 133-136 2009年1月

Pr(EtCp)3を用いたMOCVD法によるPr酸化膜の作製およびその電気的特性の評価

松井裕高，櫻井晋也，近藤博基，坂下満男，財満鎭明

ゲートスタック研究会 -材料・プロセス・評価の物理- 頁： 125-128 2009年1月

Thermal Stability and Scalability of Mictamict Ti–Si–N Metal–Oxide–Semiconductor Gate Electrodes 査読有り

H. Kondo, K. Furumai, M. Sakashita, A. Sakai, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻頁： 04C012-1-5 2009年

Pt(EtCp)3を用いた原子層堆積法によるPr酸化膜の形成

近藤博基, 古田和也, 松井裕高, 坂下満男, 財満鎭明

信学技報 109 巻頁： 81-85 2009年

LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果

坂下満男, 加藤亮祐, 京極真也, 近藤博基, 財満鎭明

信学技報 109 巻頁： 61-66 2009年

ラジカル窒化法によるHigh-k/Ge界面構造制御

加藤公彦, 近藤博基, 坂下満男, 財満鎭明

信学技報 109 巻頁： 39-44 2009年

Effects of Atomic Layer Deposition-Al2O3 Interface Layers on Interfacial Properties of Ge Metal–Oxide–Semiconductor Capacitors 査読有り

R. Kato, S. Kyogoku, M. Sakashita, H. Kondo, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 48 巻頁： 05DA04-1-4 2009年

Crystalline and electrical properties of mictamict TiSiN gate MOS capacitors 査読有り

K. Furumai, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys 47 巻 ( 4 ) 頁： 2420-2424 2008年

Silicide and germanide technology for contacts and gates in MOSFET applications 査読有り

S. Zaima, O. Nakatsuka, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, and M. Ogawa

517 巻頁： 80-83 2008年

Behavior of Local Charge Trapping Sites in La2O3-Al2O3 Composite Films under Constant Voltage Stress 査読有り

T. Sago, A. Seko, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys 46 巻 ( 4B ) 頁： 1879-1884 2007年

Ge基板上へのPr酸化膜の作製と評価

坂下満男、鬼頭伸幸、酒井　朗、小川正毅、財満鎭明

信学技報 107 巻 ( 85 ) 頁： 107-111 2007年

Composition Dependence of Work Function in Metal (Ni,Pt) Germanide Gate Electrodes 査読有り

D. Ikeno, Y. Kaneko, H. Kondo, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 46 巻 ( 4B ) 頁： 1865-1869 2007年

Film Structures and Electrical Properties of Pr Silicate Formed by Pulsed Laser Deposition 査読有り

K. Ariyoshi, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻頁： 2903-2907 2006年

記述言語：英語掲載種別：研究論文（学術雑誌）

Pr silicate films without interfacial layers were formed by pulsed laser deposition and high-temperature postdeposition annealing (PDA) and were evaluated in terms of structures and electrical properties. In the fabrication processes, film thickness and ambient gases during deposition were controlled. In some films, crystallization of Pr silicate was observed by transmission electron microscopy and it was found that tetragonal Pr2Si2O7 was epitaxially grown on Si(001) substrates. By deposition in Ar, Pr silicate with a small capacitance equivalent oxide thickness and a low leakage current density was obtained.

電流検出型原子間力顕微鏡を用いた極薄ゲート絶縁膜の信頼性評価

世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 財満鎭明

日本信頼性学会誌「信頼性」 28 巻 ( 3 ) 頁： 163-174 2006年

La2O3-Al2O3複合膜における定電圧ストレス印加時の局所的な電荷捕獲とその放出過程査読有り

佐合寿文, 世古明義, 坂下満男, 酒井朗, 小川正毅, 財満鎭明

信学技報 106 巻頁： 19 2006年

Characterization of Local Current Leakage in La2O3-Al2O3 Composite Films by Conductive Atomic Force Microscopy 査読有り

A. Seko, T. Sago, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, and S. Zaima

Jpn. J. Appl. Phys. 45 巻頁： 2954-2960 2006年

Thermal Stability and Electrical Properties of (La2O3)1-x(Al2O3)x Composite Films 査読有り

R. Fujitsuka, M. Sakashita, A. Sakai, M. Ogawa, S. Zaima, and Y. Yasuda

Jpn. J. Appl. Phys. 44 巻頁： 2428-2432 2005年

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