論文 - 宇治原 徹
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Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM
T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda
Proc. 15th PVSEC 頁: 118-119 2005年
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Crystalline quality evaluation of 6H-SiC bulk crystals grown from Si-Ti-C ternary solution 査読有り
K. Kusunoki, K. Kamei, Y. Ueda, S. Naga, Y. Ito, M. Hasebe, T. Ujihar, K. Nakajima
Mater. Sci Forum 483 巻 頁: 13-16 2005年
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太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性 ―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価― 査読有り
藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄
日本結晶成長学会誌 32 巻 頁: 291-296 2005年
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Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent 査読有り
Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima, and T. Ujihara
J. Appl. Phys. 98 巻 頁: 073708 2005年
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メサ構造InPテンプレート基板へのInAs量子ドットの成長とサイズ制御
宇治原 徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和
信学技報 105 巻 頁: 23-26 2005年
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Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells 査読有り
K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima
J.Cryst.Growth. 275 巻 頁: 467-473 2005年
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Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams 査読有り
K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki
International Journal of Material & Product Technology. 22 巻 頁: 185-212 2005年
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"Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate" 査読有り
G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima
J.Cryst.Growth. 273 巻 頁: 594-602 2005年
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A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal 査読有り
Y. Azuma, N, Usami, K, Fujiwara, T, Ujihara and K, Nakajima
J.Cryst.Growth 276 巻 頁: 393-400 2005年
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Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 査読有り
Toru Ujihara, Yoshihiro Yoshida, Woo Sik Lee, Ryo Oga, Yoshikazu Takeda
頁: p112 2005年
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Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 査読有り
U. Noritaka, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima
J. Cryst. Growth 275 巻 頁: 1203-1207 2005年
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Relationship between device performance and grain boundary structural configuration in a solar cell based on multicrystalline SiGe 査読有り
N. Usami, WG. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki and K.Nakajima
Jpn. J. Appl. Phys. 43 巻 頁: L250-L252 2004年
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Ge composition dependence of properties of solar cells based on multicrystalline SiGe with microscopic compositional distribution 査読有り
W. Pan, K. Fujiwara, N. Usami, T. Ujihara, K. Nakajima, R. Shimokawa
J. Appl. Phys. 96 (2) 巻 頁: 1238-1241 2004年
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Successful growth of InxGa1-xAs (x > 0.18) single bulk crystal directly on GaAs seed crystal with preferential orientation 査読有り
Y.Azuma, Y. Nishijima, K. Nakajima, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara
Jpn. J. Appl. Phys. Feb-46 巻 頁: L907 2004年
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Fabrication of SiGe-on-insulator by rapid thermal annealing of Ge on Si-on-insulator substrate 査読有り
K. Kutsukake, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, K. Nakajima, B. P. Zhang, and Y. Segawa
Appl. Surf. Sci. 224 巻 頁: 604-607 2004年
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Effects of growth temperature on the surface morphology of silicon thin-film on (111) silicon monocrystalline substrate grown by liquid phase epitaxy 査読有り
T. Ujihara, E. Kanda, K. Obara, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki, T. Shishido, K. Nakajima
J. Crystal Growth 266 巻 頁: 467-474 2004年
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Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes 査読有り
K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima
J. Crystal Growth 266 巻 頁: 441-448 2004年
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On the origin of strain fluctuation in strained-Si grown on SiGe-on-insulator and SiGe virtual substrates 査読有り
K. Kutsukake, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara, G. Sazaki, and K. Nakajima
Appl. Phys. Lett. 85 巻 頁: 1335-1337 2004年
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SiGeバルク単結晶と多結晶の成長技術およびそれらのデバイス応用 : 均一組成のバルク単結晶とミクロ分散的組成分布を有する太陽電池用バルク多結晶
中嶋一雄, 藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 佐崎元, 宇治原徹, 宍戸統悦
日本結晶成長学会誌 31 巻 頁: 29-37 2004年
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材料工学からの太陽電池研究
宇治原徹
まてりあ 43 巻 頁: 949-953 2004年