論文 - 宇治原 徹
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分散量子ドット構造を利用した広帯域発光素子 査読有り Open Access
李祐植, 三宅信輔, 渕真悟, 宇治原徹, 竹田美和
日本結晶成長学会誌 33 巻 頁： 106-110 2006年
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Photovoltage Mapping on Polycrystalline Silicon Solar Cells through Potential Measurements by AFM with Piezo-resistive Cantilever 査読有り
T. Igarashi, T. Ujihara, T. Takahashi
Jpn. J. Appl. Phys. Part 1 45 巻 頁： 2128-2131 2006年
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"Growth of SiC single crystal from Si-C-(Co, Fe) ternary solution" 査読有り
Nobuyoshi Yashiro, Kazuhiko Kusunoki, Kazuhito Kamei, Mitsuhiro Hasebe, Toru Ujihara and Kazuo Nakajima
Mater. Sci Forum 527-529 巻 頁： 115-118 2006年
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Evaluation of Strain Field around SiC Particle in Poly-Crystalline Silicon
"T. Ujihara, T. Ichitsubo, N. Usami, K. Nakajima, Y. Takeda,"
Proc. IEEE 4th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC4) 頁： 272 2006年
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GaAs/GaAsP歪み超格子偏極電子源の結晶性改善による高性能化
宇治原徹, 陳 博, 安井健一, 酒井良介、山本将博、中西 彊、竹田美和
信学技報 106 巻 頁： 79-84 2006年
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Pattern size effect on source supply process for sub-micrometer scale selective-area-growth by organometallic vapor phase epitaxy 査読有り
T. Ujihara, Y. Yoshida, W-S. Lee, Y. Takeda
J. Crystal Growth 289 巻 頁： 89-95 2006年
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The wideband light emission around 800 nm from ternary InAsP quantum dots with an intentionally broadened size and composition distribution 査読有り
S. Miyake, W. S. Lee, T. Ujihara and Y. Takeda
頁： p. 208-210 2006年
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Crystal quality of a 6H-SiC layer grown over macro-defects by liquid phase epitaxy: a Raman spectroscopic study 査読有り
T. Ujihara, S. Munetoh, K. Kusunoki, K. Kamei, N. Usami, K. Fujiwara, G. Sazaki and K. Nakajima
Thin Solid Films 476 巻 頁： 206-209 2005年
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Influence of growth temperature on minority-carrier lifetime of Si layer grown by liquid phase epitaxy using Ga solvent 査読有り
Y. Satoh, N. Usami, W. Pan, K. Fujiwara, K. Nakajima, and T. Ujihara
J. Appl. Phys. 98 巻 頁： 073708 2005年
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メサ構造ＩｎＰテンプレート基板へのＩｎＡｓ量子ドットの成長とサイズ制御
宇治原 徹, 吉田義浩, 李祐植, 竹田美和
信学技報 105 巻 頁： 23-26 2005年
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Structural properties of directionally grown polycrystalline SiGe for solar cells 査読有り
K. Fujiwara, W. Pan, N. Usami, K. Sawada, A. Nomura, T. Ujihara, T. Shishido and K. Nakajima
J.Cryst.Growth. 275 巻 頁： 467-473 2005年
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Growth of InGaAs and SiGe homogeneous bulk crystals which have complete miscibility in the phase diagrams 査読有り
K. Nakajima, Y. Azuma, N. Usami, G. Sazaki, T. Ujihara, K. Fujiwara, T. Shishido, Y. Nishijima and T. Kusunoki
International Journal of Material & Product Technology. 22 巻 頁： 185-212 2005年
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"Effects of vicinal steps on the island growth and orientation of epitaxially grown perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydride (PTCDA) thin film crystals on a hydrogen-terminated Si(111) substrate" 査読有り
G. Sazaki, T. Fujino, N. Usami, T. Ujihara, K. Fujiwara and K. Nakajima
J.Cryst.Growth. 273 巻 頁： 594-602 2005年
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A simple approach to determine preferential growth orientation using multiple seed crystals with random orientations and its utilization for seed optimization to restrain polycrystallization of SiGe bulk crystal 査読有り
Y. Azuma, N, Usami, K, Fujiwara, T, Ujihara and K, Nakajima
J.Cryst.Growth 276 巻 頁： 393-400 2005年
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太陽電池用Si系バルク多結晶の結晶成長及び太陽電池特性 ―多結晶Siの融液成長のその場観察とバルク多結晶SiGeの特性評価― 査読有り Open Access
藤原航三, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 宇治原徹, 野村明子, 野瀬嘉太郎, 宍戸統悦, 中嶋一雄
日本結晶成長学会誌 32 巻 頁： 291-296 2005年
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Electrical Properties around Grain Boundary of Poly-Crystalline Silicon for Solar Cell Evaluated Using the Conductive AFM
T. Ujihara, K. Nakajima, Y. Takeda
Proc. 15th PVSEC 頁： 118-119 2005年
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Crystalline quality evaluation of 6H-SiC bulk crystals grown from Si-Ti-C ternary solution 査読有り
K. Kusunoki, K. Kamei, Y. Ueda, S. Naga, Y. Ito, M. Hasebe, T. Ujihar, K. Nakajima
Mater. Sci Forum 483 巻 頁： 13-16 2005年
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Analytical evaluation of growth process in a sub-micron scale selective-area growth by OMVPE 査読有り
Toru Ujihara, Yoshihiro Yoshida, Woo Sik Lee, Ryo Oga, Yoshikazu Takeda
頁： p112 2005年
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Growth of SiGe-on-insulator and its application as a substrate for epitaxy of strained-Si layer 査読有り
U. Noritaka, K. Kutsukake, W. Pan, K. Fujiwara, T. Ujihara, B. Zhang, T. Yokoyama, K. Nakajima
J. Cryst. Growth 275 巻 頁： 1203-1207 2005年
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Grain growth behaviors of polycrystalline silicon during melt growth processes 査読有り
K. Fujiwara, Y. Obinata, T. Ujihara, N. Usami, G. Sazaki and K. Nakajima
J. Crystal Growth 266 巻 頁： 441-448 2004年