講演・口頭発表等 - 柴山 茂久
-
Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate 国際会議
Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月7日
-
Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure 国際会議
Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月7日
-
Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes 国際会議
N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 2022年8月3日
-
Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 2022年8月1日
-
多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022年6月21日
-
酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 招待有り
柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022年6月21日
-
量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月25日
-
4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化
彦坂 直利、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理、竹内 和歌奈
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月24日
-
Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism
Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
2022年3月26日
-
スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月24日
-
極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性
柴山 茂久、Galih lamadana Suwito、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回） 2022年1月28日
-
機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響
彦坂 直利、竹内 和歌奈、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月10日
-
シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化
竹内 和歌奈、籠島 瑛二、隅谷 和嗣、今井 康彦、柴山 茂久、坂下満男、木村 滋、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月10日
-
Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator 国際会議
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021) 2021年11月16日
-
Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals 国際会議
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日
-
金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021年9月12日
-
エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上
笠原 健太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021年9月10日
-
Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction 国際会議
Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021年9月8日
-
Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property 国際会議
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021年6月11日
-
Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors 招待有り 国際会議
Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 2021年6月