講演・口頭発表等 - 柴山 茂久
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Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
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1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果
柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure 国際会議
T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議
T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明
山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測
長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程
柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議
O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）