講演・口頭発表等 - 柴山　茂久

Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 国際会議

K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012) 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Kyoto(Japan)   国名：日本国  

Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate 国際会議

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima

IUMRS-International Conference on Electronic Materials 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Yokohama (Japan)   国名：日本国  

テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成

吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

2012年秋季　第73回応用物理学会学術講演会 

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開催年月日： 2012年9月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：愛媛大(愛媛)   国名：日本国  

Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures 国際会議

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012) 

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：Naha (Japan)   国名：日本国  

Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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開催年月日： 2012年6月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大(名古屋)   国名：日本国  

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第59回応用物理学会関係連合講演会 

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開催年月日： 2012年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：早稲田大(東京)   国名：日本国  

Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理― （第17回研究会） 

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開催年月日： 2012年1月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：東レ総合研修センター(三島)   国名：日本国  

Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第11回 日本表面科学会中部支部 学術講演会 

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開催年月日： 2011年12月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：豊田工科大   国名：日本国  

Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

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開催年月日： 2011年12月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing 国際会議

S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima

7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)  

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開催年月日： 2011年8月 - 2011年9月

記述言語：英語   会議種別：ポスター発表  

開催地：Leuven (Belgium)   国名：ベルギー王国  

Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 

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開催年月日： 2011年7月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：名古屋大   国名：日本国  

Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure

Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima

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開催年月日： 2011年7月

記述言語：英語   会議種別：口頭発表（一般）  

国名：日本国  

熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御

柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明

第58回応用物理学会関係連合講演会 

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開催年月日： 2011年3月

記述言語：日本語   会議種別：口頭発表（一般）  

開催地：神奈川工大(神奈川)   国名：日本国