講演・口頭発表等 - 柴山 茂久
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Si(111)基板上Al/Geエピタキシャル層からの偏析による極薄Ge形成
奥田太一、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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Ge0.5Sn0.5エピタキシャル成長とGe-Sn秩序結合形成の兆候
柴田海斗、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌師、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作実証
鳥本昇汰、石本修斗、加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月17日 応用物理学会
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メチル化ゲルマナン薄膜形成時のトポケミカルメチル化反応過程
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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Si(001)基板上Si1-xSnxエピタキシャル成長に堆積速度が及ぼす影響
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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表面偏析法による結晶化したGeSnナノシートの形成
松本泰河、大田晃生、横川凌、黒澤昌志、坂下満男、中塚理、柴山茂久
第72回 応用物理学会 春季学術講演会 2025年3月15日 応用物理学会
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Impact of deposition rate on spatial homogeneity of high-Sn-content Ge1-xSnx (x~0.25) epitaxial layers in sputtering method
Shigehisa Shibayama, Taichi Kabeya, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
17th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/18th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2025/IC-PLANTS2025) 2025年3月5日
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Phosphorus ion implantation and activation in GeSn epitaxial layers grown on Si(111)substrate 国際会議
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
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Formation of ultra-thin GeSn layer by segregation method through Al/GeSn(111) structure 国際会議
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
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Low-temperature thermoelectric properties of n-type Ge1-x-ySixSny thin films 国際会議
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
JSAP Tokai New Frontier Research International Workshop 2025年3月2日
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ALD-GeO2界面層を用いたGeSn/Ge pnダイオードの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第30回） 2025年1月23日
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CaGe2エピタキシャル薄膜の形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第11回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024年11月2日
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ALD-GeO2界面層によるGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第11回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2024 (JSAP SCTS 2024) 2024年11月2日
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分子線エピタキシー法によるGaGe2薄膜形成とメチル化ゲルマナンへの変換
中山敦稀、松本一歩、柴山茂久、坂下満男、中塚理、黒澤昌志
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024年10月31日
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スパッタリング法を用いたSiバッファ上Si1-xSnx薄膜の結晶成長
伊藤創生、柴山茂久、坂下満男、黒澤昌志、中塚理
第1回 半導体結晶技術に関する産学連携ワークショップ 2024年10月31日
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Formation of methylated germanane multilayers from CaGe2 epitaxial layers on Ge(111) 国際会議
Atsuki Nakayama, Kazuho Matsumoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
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Explorer and Development of Very-High-Sn-Content Ge1−xSnx Epitaxy for Electronic and Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月21日
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Giant thermoelectric power observed in group-IV-based films with high carrier concentrations at low temperatures 招待有り 国際会議
Masashi Kurosawa, Takayoshi Katase, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月21日
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New interests of Ge1−x−ySixSny/Ge1−xSnx heterostructures for electronic device applications 招待有り 国際会議
Shigehisa Shibayama, Shuto Ishimoto, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
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Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers 国際会議
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
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Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films 招待有り 国際会議
Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
ECS PRiME2024 2024年10月10日
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Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer 国際会議
Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
ECS PRiME2024 2024年10月10日
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最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開 招待有り
中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月16日 応用物理学会
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GeSiSn/GeSnヘテロ接合を用いた p型HEMTの構造設計
鳥本昇汰, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日 応用物理学会
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偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理
松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果
柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作 国際共著
前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響
中塚理, 壁谷汰知, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
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Low-temperature thermoelectric properties of epitaxial CaSi2 layers on Si(111) substrates 国際共著
Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ahmad Ghiffari, Rifky Syariati, Fumiyuki ISHII, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2024年9月10日
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Low-temperature thermoelectric properties of n-type 4H-SiC layers formed by ion implantation
Itsuki Sugimura, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ryota Wada, Takashi Kuroi, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2024年9月10日
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Impacts of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC Trench MOSFET 国際会議
Momoko Inayoshi, Naotoshi Hikosaka, Ryuki Kamiya, Eiji Kagoshima, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, Osamu Nakatsuka, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月3日
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Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient 国際会議
Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Masashi Kurosawa
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日
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Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy 国際会議
Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日
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Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure 国際会議
Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月2日
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GeSn on Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Layer Transfer Technique 国際会議
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Takaaki Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月3日
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GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性
椙村 樹、中田 壮哉、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月23日
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GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
柴山 茂久、石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月24日
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In-situ Sbドーピングによるn型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル層の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月23日
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真空中加熱によるGe(111)基板上GeH薄膜の層間距離変化
松本 一歩、洗平 昌晃、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月23日
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高抵抗Si(111)基板上へのCaSi2薄膜形成と低温熱電物性評価
加藤 高、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月23日
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In-situ SbドーピングによるInP上n型Ge0.75Sn0.25エピタキシャル膜の形成
柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024年2月1日
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GeSn/GeSiSn二重障壁構造における負性微分抵抗の発現
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024年2月2日
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Al/GeSn(111)構造上への熱処理による極薄・高Sn組成GeSn表面偏析
柴山 茂久、松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第29回） 2024年2月1日
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A new challenge in group-IV materials: energy harvesting application & 2D crystal synthesizing 招待有り 国際会議
Masashi Kurosawa, Akio Ohta, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月14日
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Electrical activation of implanted phosphorus in GeSn epitaxial layers grown on Si(111) substrate 国際会議
Yoshiki Kato, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月15日
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Observation of acceptor-type defect levels using low-temperature Hall effect measurement for GeSn layers fabricated by molecular beam epitaxy 国際会議
Akira Honda, N. Shimizu, Y. J. Feng, K. Yamamoto, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月14日
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Thermoelectric properties of Sb-doped Ge1-x-ySixSny ternary alloy layers lattice matched to GaAs substrates 国際会議
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年12月15日
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Pイオン注入によるn型Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第14回 半導体材料・デバイスフォーラム (SMDF2023) 2023年12月9日
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Crystal Growth Technology of GeSn-related Group-IV Heteroepitaxial Layers 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
3rd Nucleation and Growth Research Conference (NGRC) 2023年11月10日
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スパッタリング法によるInP 基板上へのエピタキシャルGe0.75Sn0.25形成
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023年11月3日
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Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層へのPイオン注入と活性化
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023年11月3日
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Al/GeSn(111)構造からの偏析を用いた極薄・高Sn組成GeSnの形成
松本 泰河、大田 晃生、横川 凌、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023年11月3日
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードにおける負性微分抵抗の観測
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第10回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2023 (JSAP SCTS 2023) 2023年11月3日
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Sputtering Heteroepitaxy of Ge0.75Sn0.25 Layer on InP(001) Substrate 国際会議
Taichi Kabeya, Shigehisa Shibayama, Komei Takagi, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES - SCIENCE AND TECHNOLOGY - (IWDTF2023) 2023年10月25日
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Epitaxial Growth Technique for Si1-xSnx Binary Alloy Thin Films 招待有り 国際会議
Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
244th ECS Meeting 2023年10月10日
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イオン注入法によるn型無歪Ge1-xSnx(111)エピタキシャル層の形成
加藤 芳規、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月22日
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Si1-xSnx薄膜で観測される巨大熱電能の電子濃度依存性
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月23日
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Ge格子整合系SixGe1-x-ySny三元混晶とその転写
前田 辰郎、石井 裕之、張 文馨、張 師宇、柴山 茂久、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月23日
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スパッタリング法によるInP基板上のGe0.75Sn0.25エピタキシャル成長
壁谷 汰知、柴山 茂久、高木 孝明、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月23日
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Al/GeSn(111)エピタキシャル層構造からの偏析による極薄GeSn形成
松本 泰河、柴山 茂久、大田 晃生、横川 凌、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2023年第84回 応用物理学会 秋季学術講演会 2023年9月22日
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Seed-layer driven solid phase epitaxy of amorphous Ge1-xSnx layers on Si(001) substrates toward in-plane strain control 国際会議
Tatsuma Hiraide, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
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Experimental observation of negative differential resistance in GeSn/GeSiSn double barrier structure toward resonant tunneling diode applications 国際会議
Shuto Ishimoto, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
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Optoelectronic properties of Ge1−xSnx/high-Si-content SiyGe1−y− zSnz double quantum wells formed by low-temperature MBE growth and post deposition annealing 国際会議
Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
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Low-temperature thermoelectric power-factor enhancement of n-type Ge-rich Ge1-x-ySixSny layers 国際会議
Itsuki Sugimura, Masaya Nakata, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
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Giant thermoelectric power of n-type Si1-xSnx layers grown on FZ-Si(001) substrates 国際会議
Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2023 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2023) 2023年9月7日
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜の低温熱電物性評価
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
第7回 フォノンエンジニアリング研究会 2023年8月5日
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N-type characteristics of undoped Ge0.967Sn0.033 fabricated on bulk n-Ge 国際会議
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023年5月22日
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The layer transfer of Ge-lattice-matched SiGeSn epitaxial films 国際会議
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen-Hsin Chang, Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023年5月22日
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Low-temperature Thermoelectric Properties of GeSn Alloys Films 国際会議
M. Kurosawa, T. Katase, Y. Imai, M. Nakata, M. Kimura, T. Kamiya, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023年5月22日
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Heteroepitaxial Growth of High Substitutional Sn-content Ge1−xSnx Layer Lattice-matched on InP Substrate 国際会議
Osamu Nakatsuka, Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures and the International SiGe Technology and Device Meetings (ICSI/ISTDM2023) 2023年5月22日
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Epitaxy and heterostructure of germanium tin-related group-IV alloy semiconductors for future electronic and optoelectronic applications 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, and Mitsuo Sakashita
2023 International Conference on Semiconductor Technology for Ultra Large Scale Integrated Circuits and Thin Film Transistors (ULSIC VS TFT 8) 2023年5月15日
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GeSn/GeSiSn共鳴トンネルダイオードの室温動作に向けた構造設計
石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月17日
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高Sn組成Ge1-xSnx(111)エピタキシャル薄膜の高品質形成
森 俊輔、柴山 茂久、加藤 芳規、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月16日
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高濃度n型ドープSi1-xSnx薄膜で観測された巨大熱電能
大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月16日
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半絶縁性基板上Ge1-xSnx薄膜の低温熱電物性
今井 志明、中田 壮哉、木村 公俊、片瀬 貴義、神谷 利夫、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月16日
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固相成長法によるSi(001)基板上の伸長歪みGe1-xSnx薄膜の形成
平出 達磨、大岩 樹、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2023年第70回 応用物理学会 春季学術講演会 2023年3月16日
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Heteroepitaxy of Ge1-xSnx with a high Sn content over 25% on InP(001) toward group-IV infrared detector 国際会議
Komei Takagi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月24日
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Challenge and new opportunity of Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx heterostructures for optoelectronic and electronic applications 招待有り 国際会議
Shigehisa Shibayama, Shiyu Zhang, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月23日
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Epitaxial Germanide/Germanium Contact: Its Impact on Schottky Barrier Height 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月23日
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N-type characteristics of undoped GeSn in the low Sn concentration region 国際会議
N. Shimizu, Y. Wang, A. Honda, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月23日
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Arising ferroelectric properties in ZrO2 thin film down to 4 nm 国際会議
Shota Ikeguchi, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月24日
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Development of accurate characterization technique of electrical properties in Ge1-xSnx-based group-IV epitaxial layers 国際会議
Taichi Mori, Shigehisa Shibayama, Kohei Nishizawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月24日
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Crystalline and electrical properties of Ge1-x-ySixSny epitaxial layers - Effect of Si incorporation and H2 irradiation - 国際会議
Kohei Nishizawa, Shigehisa Shibayama, Taichi Mori, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
13th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2023年1月24日
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EXAFSによるZrO2薄膜の強誘電性発現機構の理解
池口 祥太、永野 丞太郎、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
11th NUSR Symposium, 名古屋大学シンクロトロン光研究センターシンポジウム(2022) 2023年1月16日
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Ge1-xSnx系Ⅳ族半導体混晶エピタキシャル層の電気的欠陥密度の評価
西澤 康平、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理、柴山 茂久
第22回 日本表面真空学会中部支部学術講演会 2022年12月17日
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Research and Development of GeSn-related Group-IV Semiconductor Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
Syposium on Light emission and Photonics of Group IV semiconductor Nanostructures (LPGN) 2022年12月14日
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Synthesis of multilayer two-dimensional group-IV flakes and nanosheets 国際会議
M. Kurosawa, M. Itoh, Y. Ito, K. Okada, A. Ohta, M. Araidai, K. O. Hara, Y. Ando, S. Yamada, S. Shibayama, M. Sakashita, and O. Nakatsuka
33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33) 2022年11月15日
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Impact of Strain Structure in Epitaxial HfGe2/n-Ge(001) Contact on Morphology and Schottky Barrier Height 国際会議
Osamu Nakatsuka, Kentaro Kasahara, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Masashi Kurosawa
Advanced Metallization Conference 2022 2022年10月14日
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Study on doping by ion implantation of Si1-xSnx epitaxial layers 国際会議
Tatsuki Oiwa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022年9月27日
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Molecular beam epitaxy of Si1-xSnx layers with 10%-Sn content on Si1-yGey buffers 国際会議
Kazuaki Fujimoto, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022年9月27日
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Formation of ferroelectric ZrO2 film in ultra-thin region by sputtering method 国際会議
2022 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2022) 2022年9月27日
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高抵抗Si(111)基板上における多層シリカンナノシートの形成
伊藤 善常、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、黒澤 昌志
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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Al/Ge(111)構造上に偏析した極薄Ge結晶相の転写
松下 圭吾、大田 晃生、柴山 茂久、田岡 紀之、牧原 克典、宮崎 誠一
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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熱安定性の高いGe1-xSnx量子ドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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Si(111)上における直接遷移Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の形成
森 俊輔、柴山 茂久、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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InP基板上の超高Sn組成Ge1-xSnxヘテロエピタキシャル層の結晶性改善
高木 孝明、柴山 茂久、黒澤 昌志、坂下 満男、中塚 理
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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電子・光デバイス応用に向けたPt/GeSn接合のショットキー特性調査
清水 昇、王 一、山本 圭介、張 師宇、柴山 茂久、中塚 理、王 冬
2022年第83回 応用物理学会 秋季学術講演会 2022年9月21日
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Molecular Beam Epitaxy of CaGe2 Layers on Si(111) Substrate 国際会議
Kazuya Okada, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月7日
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Sn-drivevn Self-formation of GeSn Nanodots on Insulator for Multi-layered Quantum Dots Structure 国際会議
Kaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu NakatsukaKaoru Hashimoto, Shigehisa Shibayama, Koji Asaka, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022年9月7日
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Electrical characteristics of metal/GeSn contacts in lateral Schottky diodes 国際会議
N. Shimizu, Y. Wang, K. Yamamoto, S. Zhang, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and D. Wang
The 5th International Union of Materials Research Societies International Conference of Young Researchers on Advanced Materials 2022年8月3日
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Substrate engineering for strain-controlled high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxy 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Mitsuo Sakashita
The 6th Asia-Pacific Conference on Semiconducting Silicides and Related Materials, 2022 (APAC-Silicide 2022) 2022年8月1日
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多層量子ドット構造実現に向けた絶縁体上へのGe1-xSnxナノドットの自己形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022年6月21日
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酸化膜/4H-SiC界面特性に基づくカウンタードープMOSFETの優位性 招待有り
柴山 茂久、土井 拓馬、坂下 満男、田岡 紀之、清水 三聡、中塚 理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM) 2022年6月21日
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量子ドット実現に向けた超高Sn組成GeSnの自己組織化形成
橋本 薫、柴山 茂久、安坂 幸師、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月25日
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4H-SiC(0001)トレンチMOSFETへの機械的応力による移動度変化
彦坂 直利、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理、竹内 和歌奈
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月24日
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Formation of Ge1-xSnx/SixGe1-x-ySny double quantum wells structure and its photoluminescence mechanism
Shiyu Zhang, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
2022年3月26日
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スパッタリング法による強誘電性ZrO2極薄膜の形成
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2022年第69回 応用物理学会 春季学術講演会 2022年3月24日
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極薄GeSiSn/GeSn/GeSiSn二重障壁構造の形成およびその電気的特性
柴山 茂久、Galih lamadana Suwito、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第27回） 2022年1月28日
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機械的な応力が4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの移動度に与える影響
彦坂 直利、竹内 和歌奈、籠島 瑛二、柴山 茂久、坂下満男、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月10日
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シンクロトロンナノビームX線回折を用いた4H-SiC(0001)トレンチMOSFETの局所歪の可視化
竹内 和歌奈、籠島 瑛二、隅谷 和嗣、今井 康彦、柴山 茂久、坂下満男、木村 滋、富田 英幹、西脇 剛、藤原 広和、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第8回講演会 2021年12月10日
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Enhancement of the Field -effect Mobility of 4H-SiC Buried Channel n-MOSFETs by Using Al2O3 as a Gate Insulator 国際会議
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Noriyuki Taoka, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2021 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2021) 2021年11月16日
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Schottky barrier height lowering for metal/n-type 4H-SiC contacts using low work function metals 国際会議
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021年11月5日
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金属堆積後熱処理による低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBH低減
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021年9月12日
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エピタキシャルHfGe2/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上
笠原 健太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年第82回 応用物理学会 秋季学術講演会 2021年9月10日
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Characterization of Local Strain in 4H-SiC Trench MOSFET by Synchrotron Nanobeam X-ray Diffraction 国際会議
Wakana Takeuchi, Eiji Kagoshima, Kazushi Sumitani, Yasuhiko Imai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Shigeru Kimura, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, and Osamu Nakatsuka
2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021年9月8日
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Improved interface uniformity of epitaxial HfGe2/Ge(001) contact by microfabrication and its electron conduction property 国際会議
Kentaro Kasahara, Kazuki Senga, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, and Osamu Nakatsuka
The 20th International Workshop on Junction Technology 2021 (IWJT2021) 2021年6月11日
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Effects of post-formation teratment on electrical properties in 4H-SiC MOS capacitors 招待有り 国際会議
Wakana Takeuchi, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
THERMEC'2021 - International Conference on Processing & Manufacturing of advanced Materials 2021年6月
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の強誘電相発現機構
柴山 茂久、永野 丞太郎、安坂 幸師、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
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界面層挿入が低仕事関数金属/n型4H-SiC界面のSBHに与える影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021年3月18日
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高温堆積におけるZrO2薄膜結晶相の下地依存性
永野 丞太郎、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理
2021年 第68回 応用物理学会春季学術講演会 2021年3月16日
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Epitaxial growth of strain-relaxed and high-Sn-content n-Ge1-xSnx on Si(111) substrate with Ge buffer layer 国際会議
An Huang, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT) 2021年3月10日
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Heterostructure design favorable for n+-Ge1-xSnx pseudo-direct transition layer for optoelectronic application 国際共著 国際会議
Shiyu Zhang, Masahiro Fukuda, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
13th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials/14th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2021/IC-PLANTS2021) 2021年3月10日
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HfO2-ZrO2系の強誘電相発現におけるウェット熱処理の効果
柴山 茂久、永野 丞太郎、坂下 満男、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021年1月22日
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低仕事関数金属/4H-SiC界面におけるMIGSの影響
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第26回） 2021年1月23日
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低仕事関数金属を用いたn型4H-SiCに対する低ショットキー障壁コンタクトの実現
土井 拓馬、柴山 茂久、坂下 満男、清水 三聡、中塚 理
先進パワー半導体分科会 第7回講演会 2020年12月9日
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Understanding wet annealing effect on phase transition and ferroelectric phase formation for Hf1-xZrxO2 film 国際会議
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, O. Nakatsuka
2020 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2020) 2020年9月28日
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コンタクト抵抗率低減のための金属/Ⅳ族半導体界面制御技術 招待有り
中塚 理、柴山 茂久、坂下 満男
第84回半導体・集積回路技術シンポジウム 2020年9月16日
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Heteroepitaxy and Strain Engineering of Germanium-Silicon-Tin Ternary Alloy Semiconductor Thin Films for Energy Band Design 招待有り 国際会議
Osamu Nakatsuka, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Mistuo Sakashita
Pacific Rim Meeting on Electrochemical and Solid State Science (PRiME2020) 2020年8月
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ウェット熱処理によるZrO2薄膜の特異な強誘電相発現機構
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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エピタキシャル HfGe2形成による金属/n-Geコンタクト抵抗率の低減
千賀一輝、柴山茂久、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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界面平坦性から見た極薄金属酸化Al2O3/4H-SiC構造の有用性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
2020年第67回応用物理学会春季学術講演会
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低温ウェット熱処理による強誘電性のアンドープZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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低温プロセスによる金属/4H-SICコンタクトのショットキー障壁高さ制御手法の検討
柴山茂久、橋本健太郎、土井拓馬、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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室温での極薄金属膜酸化法による基板酸化を抑制した良質なAl2O3/4H-SiC界面の実現
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第25回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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ウェット酸素熱処理による強誘電性ZrO2薄膜の形成
柴山茂久、永野丞太郎、坂下満男、中塚理
第19回日本表面真空学会中部支部 学術講演会
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良質なAl2O3/4H-SiC MOS界面形成における4H-SiC表面構造の重要性
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
先進パワー半導体分科会 第6回講演会
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In-situ Sb Doping into Ge1-xSnx Epitaxial Layer toward Enhancement of Photoluminescence Intensity 国際会議
Masahiro Fukuda, Jihee Jeon, Mitsuo Sakashita, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka
The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII) 2019年11月29日
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Crystal Growth and Characterization of Group-IV Alloy Semiconductor Heterostructures for Future Electronic Devices 招待有り 国際会議
O. Nakatsuka, M. Kurosawa, S. Shibayama, M. Sakashita, and S. Zaima
The 8th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces (ISCSI-VIII)
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Ferroelectric Phase Evolution of Undoped ZrO2 Thin Films by Wet O2 Annealing Process 国際会議
Shigehisa Shibayama, Jotaro Nagano, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka
2019 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2019)
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Saturation of Activated Sb Atom in Heavily Sb-Doped Ge Epitaxial Layers 国際会議
Jihee Jeon, Shigehisa Shibayama, Shigeaki Zaima, Osamu Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019) 2019年11月3日
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Development of in-situ cyclic metal layer oxidation to form abrupt Al2O3/4H-SiC interface 国際会議
T. Doi, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, M. Shimizu, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Model development of MOCVD growth for realizing high-Sn-content Ge1-xSnx epitaxial layer ~ What physical properties are required for precursors? ~ 国際会議
Y. Miki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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Optoelectronic Property of GeSn and GeSiSn Heterostructure 国際会議
M. Fukuda, M. Sakashita, S. Shibayama, M. Kurosawa, S. Zaima, and O. Nakatsuka
International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2019 (ICMaSS2019)
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金属薄膜酸化法によるAl2O3/4H-SiC(0001)界面特性の改善
土井拓馬、柴山茂久、竹内和歌奈、坂下満男、田岡紀之、清水三聡、中塚理
第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019）
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SiCxOy界面層導入による金属/4H-SiCコンタクトのSBH制御 Control
橋本健太郎、土井拓馬、柴山茂久、中塚理
第7回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2019 （JSAP SCTS 2019） "名古屋大 （名古屋）"
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Saturation of Sb1+ Concentration in Heavily Sb-doped n+-Ge Epitaxial Layers 国際会議
J. Jeon, S. Shibayama, and O. Nakatsuka
Advanced Metallization Conference 2019 (ADMETA2019): 29th Asian Session Conference
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高濃度SbドープによるGe1-xSnxのフォトルミネッセンス発光強度の増大
福田雅大、全智禧、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理
第78回 応用物理学会秋季学術講演会
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In-situ cyclic metal layer oxidation for future improving interface properties of Al2O3/4H-SiC(0001) gate stacks 国際会議
Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Wakana Takeuchi, Mitsuo Sakashita, Noriyuki Taoka, Mitsuaki Shimizu, Osamu Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月5日
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Strain Relaxation Enhancement of Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer on Ge Substrate Using Ion-Implantation Method 国際会議
H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Fermi level pinninng at metal/4H-SiC contact induced by SiCxOy interalyer 国際会議
Kentaro Hashimoto, Takuma Doi, Shigehisa Shibayama, Osamu Nakatsuka
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials 2019年9月4日
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GeSn and GeSiSn Heterostructures for Optoelectronic Applications 招待有り 国際会議
O. Nakatsuka, M. Fukuda, M. Kurosawa, M. Sakashita, S. Shibayama, and S. Zaima
2019 IEEE Photonics Society Summer Topical Meeting Series (IEEE/SUM)
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イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、財満鎭明、中塚理
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Ultra-low resistance contact for n-type Ge1-xSnx with in-situ Sb heavily doping and nickel stanogermanide formation
J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, S. Zaima, and O. Nakatsuka
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Further reduction of Schottky barrier height of Hf-germanide/n-Ge(001) contacts by forming epitaxial HfGe2 国際会議
K. Senga, S. Shibayama, M. Sakashita, S. Zaima, and O. Nakatsuka
19th International Workshop on Junction Technology 2019
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Development and challenges of group-IV semiconductors for nanoelectronic applications 招待有り 国際会議
S. Zaima, O. Nakatsuka, M. Kurosawa, M. Sakashita, and S. Shibayama
The 11th International Conference on High Performance Ceramics (CICC-11)
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Formation of Strain-relaxed Ge1-x-ySixSny Epitaxial Layer using Ion-implanted Ge Substrate 国際会議
H. Sofue, M. Fukuda, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
11th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials 12th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science ISPlasma2019/IC-PLANTS2019
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Raman分光法を用いたイオン注入Ge基板の結晶損傷評価
祖父江秀隆、福田雅大、柴山茂久、中塚理、財満鎭明
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会
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HfO2-ZrO2系薄膜の反強誘電性の発現過程について
柴山茂久、坂下満男、中塚理、財満鎭明
2019年 第66回 応用物理学会春季学術講演会
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Saturated concentration of activated Sb in Sb-doped Ge epitaxial thin films
J. Jeon, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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ポスト酸素ラジカル処理によるAl2O3/SiC界面のSi炭酸化物の脱炭素化
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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高Si組成Ge1-x-ySixSny/Ge1-xSnx/Ge1-x-ySixSny二重ヘテロ構造のエネルギーバンド構造および電子特性評価
福田雅大、坂下満男、柴山茂久、黒澤昌志、中塚理、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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エピタキシャルHfGe2/Ge(001)界面の形成によるショットキー障壁高さ制御
千賀一輝、中塚理、坂下満男、柴山茂久、財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第24回）
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Nakatsuka O.
ECS Transactions
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Al2O3/4H-SiC界面層への酸素ラジカル照射における反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第16回 日本表面科学会中部支部学術講演会
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Formation of Nickel Stanogermanide/Heavily Doped n+-Ge1-xSnx Structure with Ultra-Low Contact Resistivity 国際会議
J. Jeon, A. Suzuki, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Study of factors to limit increasing Sn content in Ge1-xSnx for MOCVD method 国際会議
Y. Miki, W. Takeuchi, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Understanding of ferroelectric phase formation mechanism for un-doped ZrO2 招待有り 国際会議
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
12th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Intergration"
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Al2O3/SiCに対する酸素ラジカル処理による界面反応機構
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
第6回 応用物理学会SC東海地区学術講演会 2018 （JSAP SCTS 2018）
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インピーダンス解析による強誘電性HfO2における分極反転過程の観察
安田脩平、柴山茂久、西村知紀、矢嶋赳彬、右田真司、鳥海明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Al2O3/SiC形成後の酸素ラジカル処理による界面特性の改善
土井拓馬、竹内和歌奈、坂下満男、柴山茂久、田岡紀之、中塚理、財満鎭明
2018年 第79回 応用物理学会秋季学術講演会
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Effect of internal-strain caused by monoclinic phase foramtion on ferroelectric phase formation of ZrO2 国際会議
S. Shibayama, T. Nishimura, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Junctionless ferroelectric FET with doped HfO2 on n+-TiO2 for three-terminal nonvolatile switch 国際会議
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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High on/off ratio (>10) ferroelectric tunnel junctions (FTJs) with ultrathin Y-doped HfO2 国際会議
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Atomically flat interface formation on Ge(111) in oxidation process 国際会議
T. Nishimura, S. Takemura, X. Wang, S. Shibayama, T. Yajima, and A. Toriumi
2018 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Ferroelectric and anti-ferroelectric phase control of un-doped ZrO2 国際会議
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
2018 ISAF-FMA-AMF-AMEC-PFM Joint Conference (IFAAP 2018)
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Ge酸化に伴う表面平坦性の劣化と酸化機構の変化
竹村 千里、柴山 茂久、西村 知紀、矢嶋 赳彬、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Improvement of Remanent Polarization and Endurance Characteristics in Thin Ferroelectric Y-doped HfO2
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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HfxZr1-xO2が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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アンドープZrO2薄膜における強誘電性の実現
柴山 茂久、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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パルスレーザーアニールによるHfO2薄膜の非平衡結晶化
森 優樹、柴山 茂久、矢嶋 赳彬、西村 知紀、右田 真司、鳥海 明
第65回応用物理学会春季学術講演会
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Nucleation-Driven Ferroelectric Phase Formation in ZrO2 Thin Films -What is Different in ZrO2 from HfO2 ?- 国際会議
S. Shibayama, T. Nishimura, S. Migita, and A. Toriumi
2nd Electron Devices Technology and Manufacturing (EDTM) Conference 2018
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Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 招待有り
X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties 国際会議
X. Tian, L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 IEEE International Electron Devices Meeting
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Thickness-dependent ferroelectric phase evolution in doped HfO2 国際会議
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Direct Evidence of 3-nm-thick Ferroelectric HfO2 国際会議
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2017 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Dopant-independent maximum Pr of doped ferroelectric HfO2
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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Ferroelectric tunnel junctions with ultrathin Y2O3-doped HfO2
X. Tian, S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
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HfO2膜の強誘電相形成における熱履歴の重要性
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
第64回応用物理学会春季学術講演会
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 招待有り
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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圧電応答力顕微鏡を用いたYドープHfO2の強誘電性ドメインの観察
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第22回）
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Ferroelectric HfO2 MIS Capacitor and MISFET on Oxide Semiconductors 国際会議
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
47th IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference
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General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation 国際会議
L. Xu, S. Shibayama, K. Izukashi, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 IEEE International Electron Devices Meeting
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Opportunity of Ferroelectric Phase Formation in Nitrogen-doped HfO2 国際会議
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Depolarization Process in Ferroelectric HfO2 Probed by Piezo-response Force Microscopy (PFM) 国際会議
S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Tunneling Electro-resistance Effect in Ultra-thin Ferroelectric HfO2 Junctions 国際会議
X. Tian, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
2016 International Conference on Solid State Devices and Materials
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Effects of nitrogen bonding on para-/ferroelectric transition of HfO2 招待有り
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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Study of polarization uniformity in N-doped ferroelectric HfO2 by piezo-response force microscopy
L. Xu, S. Shibayama, T. Nishimura, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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強誘電性HfO2膜における局所内部電界に起因する分極の不均質性
柴山 茂久、徐 倫、田 璇、右田 真司、鳥海 明
第77回 応用物理学会秋季学術講演会
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圧電応答力顕微鏡を用いた強誘電性HfO2のエージング特性に関する研究 招待有り
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
応用物理シリコンテクノロジー分科会 第194回 研究集会「2016 VLSI特別シンポジウム」特集
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Study of Wake-up and Fatigue Properties in Doped and Undoped Ferroelectric HfO2 in Conjunction with Piezo-Response Force Microscopy Analysis 国際会議
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
2016 Symposia on VLSI Technology and Circuits
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10-nm-Scale Ferroelectric Domain Distribution in Ferroelectric HfO2 Observed by Using Piezo-Response Force Microscopy 国際会議
S. Shibayama, L. Xu, X. Tian, S. Migita, and A. Toriumi
7th International Symposium on control of semiconductor interfaces (ISCSI-VII)/International SiGe Technology and Device Meeting (ISTDM 2016)
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多相HfO2膜における均一強誘電相の発現
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
2016年 第63回応用物理学会春季学術講演会
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ラマン分光測定及びXRDによる強誘電性YドープHfO2の構造解析
厳樫一孝, 柴山茂久, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
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New finding of ferroelectricity of N doped HfO2 films
L. Xu, T. Nishimura, S. Shibayama, T. Yajima, S. Migita, and A. Toriumi
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強誘電性HfO2膜における分極ドメインの減衰
柴山茂久, 徐倫, 右田真司, 鳥海明
第63回応用物理学会 春季学術講演会
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原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面形成および欠陥の堆積温度依存性
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
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Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
特別研究会「電子デバイス界面テクノロジー研究会―材料・プロセス・デバイス特性の物理―」（第21回）
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Study of local polarization in ferroelectric HfO2 films with piezo-response force microscope (PFM) 国際会議
S. Shibayama, L. Xu, S. Migita, and A. Toriumi
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Control of Schottky barrier height at metal/Ge interface by insertion of GexSn1-x layer 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
9th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectonics and JSPS Core-to-Core Program Joint Seminar "Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration"
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Control of Schottky Barrier Height at Metal/Ge Interface by SnxGe1-x Interlayer 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
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Calculation of Si1-xSnx Energy Band Structures by using Density Functional Theory Considering Atomic Configuration 国際会議
Y. Nagae, M. Kurosawa, S. Shibayama, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Symposium on EcoTopia Science 2015 (ISETS '15)
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超高Sn組成Sn1-xGexエピタキシャル層の形成および金属/Sn1-xGex/Geコンタクトの電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
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密度汎関数法によるSi1-xSnx価電子帯端準位の理論予測および実験的妥当性
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2015 (JSAP SCTS 2015)
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Influence of atomic layer deposition temperature of GeO2 layer on electrical properties of Ge gate stack 国際会議
M. Kanematsu, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
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Evaluation of energy band structure of Si1-xSnx by density functional theory calculation and photoelectron spectroscopy 国際会議
Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, and S. Zaima
2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEIVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY-(IWDTF2015)
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Ge基板上への超高Sn組成Ge1-xSnxエピタキシャル層の形成およびGe1-xSnx界面層が金属/Geコンタクトのショットキー障壁高さに及ぼす影響
鈴木陽洋, 中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 黒澤昌志, 財満鎭明
第4回結晶工学未来塾
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Impact of ultra-high Sn content SnxGe1-x interlayer on reducing Schottky barrier height at metal/n-Ge interface 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2015)
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1T-TaS2の相転移に対する温度およびゲートバイアス変調効果
柴山茂久, 方楠, 矢嶋赳彬, 西村知紀, 長汐晃輔, 鳥海明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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原子層堆積法を用いたGeO2/Ge界面の低温形成と電気的特性評価
兼松正行, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中における欠陥形成に対するSn組成の影響
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第76回 応用物理学会秋季学術講演会
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Reduction of Schottky barrier height with Sn/Ge contact 国際会議
A. Suzuki, O. Nakatsuka, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, M. Kurosawa, and S. Zaima
JSPS International Workshop Core-to-Core Program Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Formation of Type-I Energy Band Alignment of Ge1-x-ySixSny/Ge Heterostructure 国際会議
T. Yamaha, K. Kato, S. Shibayama, T. Asano, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Control of Electrically Active Defects in Ge1-xSnx Epitaxial Layers 国際会議
T. Asano, S. Shibayama, W. Takeuchi, M. Sakashita, O. Nakatsuka, S. Zaima
The 9th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI9)
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Ge1-x-ySixSny/Geヘテロ構造におけるエネルギーバンド構造の解明
山羽隆, 加藤公彦, 柴山茂久, 浅野孝典, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Ge1−xSnxエピタキシャル層中の欠陥の電気的特性
浅野孝典, 柴山茂久, 竹内和歌奈, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GGA+U法によるSi1-xSnx材料物性の精密予測
長江祐樹, 黒澤昌志, 加藤元太, 柴山茂久, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化にともなうGe表面からのGe原子放出過程
柴山茂久, 中嶋薫, 坂下満男, 中塚理, 木村健二, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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リン酸溶液中レーザドーピングにおけるGe 基板面方位の効果
高橋恒太, 黒澤昌志, 池上浩, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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金属/Ge 界面への高Sn組成Ge1−xSnx層挿入によるショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第62回応用物理学会 春季学術講演会
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GeO2薄膜の正方晶形成による化学的安定性の向上
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Sn/Ge コンタクトにおけるフェルミレベルピニングの軽減およびショットキー障壁高さの低減
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第20回研究会）
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Devolepment of metal/Ge contacts for engineering Schottky barriers 国際会議
O. Nakatsuka, Y. Deng, A. Suzuki, S. Shibayama, M. Kurosawa, W. Takeuchi, M. Sakashita, N. Taoka, and S. Zaima
JSPS International Core-to-Core Program Workshop on Atomically Controlled Processing for Ultra-large Scale Integration
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パルス MOCVD 法を用いた Ge(001)基板上における正方晶 GeO2 膜の形成
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Sn/Ge界面の結晶構造およびショットキー障壁高さのGe面方位依存性
鈴木陽洋, 鄧云生, 柴山茂久, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2014 （JSAP SCTS 2014）
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Low Schottky barrier height contacts with Sn electrode for various orientation n-Ge substrates 国際会議
A. Suzuki, D. Yunsheng, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Advanced Metallization Conference 2014
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パルスMOCVD法により作製したGeO2薄膜を用いたゲートスタック構造の界面構造と電気的特性
柴山茂久, 吉田鉄兵, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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Si1-xSnx薄膜におけるバンドギャップナローウィングの初観測
黒澤昌志, 柴山茂久, 加藤元太, 山羽隆, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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酸化プロセスにおける絶縁膜/Ge界面の界面準位密度を決定づける物理的要因
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第61回応用物理学会 春季学術講演会
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MOCVD法により形成した極薄GeO2を用いたAl2O3/GeOx/Ge構造の電気的特性および構造評価
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 田岡紀之, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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低界面準位密度を有するGe MOS構造を実現するGe表面の酸化条件
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第19回研究会）
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Al2O3/Ge構造の後熱酸化によるAlGeO形成にともなう界面特性の改善
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
応用物理学会SC東海地区学術講演会 2013 (JSAP SCTS 2013)
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Interface Properties of Al2O3/Ge MOS Structures with Thin Ge Oxide Interfacial Layer Formed by Pulsed MOCVD 国際会議
T. Yoshida, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, N. Taoka, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Quantitative Guideline for Formation of Ge MOS Interface with Low Interface State Density 国際会議
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices-Science and Technology- (2013 IWDTF)
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Reduction of Interface State Density due to Post Oxidation with Formation of AlGeO Layer at Al2O3/Ge Interface 国際会議
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
224th The Electrochemical Society (ECS) Meeting
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界面反応機構に基づくAl2O3/Ge界面構造制御
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第74回応用物理学会秋季学術講演会
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テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Impacts of AlGeO Formation by Post Thermal Oxidation of Al2O3/Ge Structure on Interface Properties 国際会議
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces(ISCSI-VI)
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Al2O3/Ge構造の熱酸化による界面構造変化と界面特性との相関関係
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
第60回応用物理学会 春季学術講演会
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AlGeO Formation near Al2O3/Ge Interface with Post Thermal Oxidation 国際会議
S. Shibayama, K. Kato, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Feasibility of Ge Device Fabrication by Low Temperature Processes on ULSI Circuits 招待有り 国際会議
N. Taoka, M. Kurosawa, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
6th International WorkShop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics
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Control of Al2O3/Ge Interfacial Structures by Post Oxidation Technique Using Oxygen Radical 国際会議
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
5th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma2013)
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた極薄Ge酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）
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Al2O3/Ge構造に対する熱酸化機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第18回研究会）
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Interfacial Reaction Mechanism in Al2O3/Ge Structure by Oxygen Radical 国際会議
K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
International Conference on Solid State Devices and Materials 2012 (SSDM2012)
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Thermal Oxidation Mechanism of Ge through Al2O3 Layer Formed on Ge Substrate 国際会議
S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, N. Taoka, O. Nakatsuka, and S. Zaima
IUMRS-International Conference on Electronic Materials
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テトラエトキシゲルマニウムを用いた原子層堆積法によるGe酸化膜の形成
吉田鉄兵, 加藤公彦, 柴山茂久, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会
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Effect of Light Exposure and Air Exposures on Electrical Properties of GeO2/Ge and Al2O3/Ge Gate Stack Structures 国際会議
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2012)
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Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 田岡紀之, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理温度依存性およびその界面反応機構
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第59回応用物理学会関係連合講演会
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Al2O3/Geに対する酸素熱処理が電気的特性および化学結合状態に与える効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理― （第17回研究会）
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Al2O3/Geゲートスタック構造に対する酸素熱処理の化学結合状態および界面特性に与える効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第11回 日本表面科学会中部支部 学術講演会
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Effect of Light Exposure during Plasma Process on Electrical Properties of Au/Al2O3/Ge MOS Capacitor
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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Improvement of Al2O3/Ge Interfacial Properties by O2 Annealing 国際会議
S. Shibayama, K. Kato M. Sakashita, W. Takeuchi, O. Nakatsuka, and S. Zaima
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
シリコン材料・デバイス研究会(SDM)
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Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusumandari, W. Takeuchi, K. Kato, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, and S. Zaima
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熱処理によるAl2O3/Ge界面構造制御
柴山茂久, 加藤公彦, 坂下満男, 竹内和歌奈, 中塚理, 財満鎭明
第58回応用物理学会関係連合講演会