講演・口頭発表等 - 柴山 茂久
-
Segregation induced GeSn nanosheet formation through Al and Ge1−xSnx epitaxial layers 国際会議
Taiga Matsumoto, Akio Ohta, Ryo Yokogawa, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
14th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics 2024年10月22日
-
Recent Progress on Heteroepitaxy of Si-Sn Alloy Thin Films 招待有り 国際会議
Masashi Kurosawa, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, and Osamu Nakatsuka
ECS PRiME2024 2024年10月10日
-
Comprehensive study on epitaxial growth of GeSn(111) layers with high Sn content on Si(111) featuring Ge buffer layer 国際会議
Shigehisa Shibayama, Shunsuke Mori, Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
ECS PRiME2024 2024年10月10日
-
最先端集積回路における金属/IV族半導体界面物性制御の課題と展開 招待有り
中塚理, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
ALD-GeO2を用いたGeSnの表面パッシベーション
加藤芳規, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月16日 応用物理学会
-
GeSiSn/GeSnヘテロ接合を用いた p型HEMTの構造設計
鳥本昇汰, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月17日 応用物理学会
-
偏析GeSn極薄結晶の形成に向けたGe1−xSnxエピタキシャル膜の表面処理
松本泰河, 大田晃生, 横川凌, 黒澤昌志, 坂下満男, 中塚理, 柴山茂久
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
分子線エピタキシー法を用いたメチル化ゲルマナン薄膜の形成
中山敦稀, 松本一歩, 柴山茂久, 坂下満男, 中塚理, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
GeSiSn/GeSn二重障壁構造のエピタキシャル成長におけるH2導入効果
柴山茂久, 石本修斗, 坂下満男, 黒澤昌志, 中塚理
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
転写を用いたInP格子整合系GeSnOI MSMフォトディテクターの試作 国際共著
前田辰郎, 石井裕之, 張文馨, 高木孝明, 柴山茂久, 黒澤昌志, 中塚理
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
高Sn組成Ge1−xSnxエピタキシャル層の結晶性に堆積速度が及ぼす影響
中塚理, 壁谷汰知, 柴山茂久, 坂下満男, 黒澤昌志
第85回 応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月19日 応用物理学会
-
Low-temperature thermoelectric properties of epitaxial CaSi2 layers on Si(111) substrates 国際共著
Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ahmad Ghiffari, Rifky Syariati, Fumiyuki ISHII, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2024年9月10日
-
Low-temperature thermoelectric properties of n-type 4H-SiC layers formed by ion implantation
Itsuki Sugimura, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Ryota Wada, Takashi Kuroi, Takayoshi Katase, and Masashi Kurosawa
2024年9月10日
-
Impacts of Mechanical Uniaxial Stress on Mobility Enhancement of 4H-SiC Trench MOSFET 国際会議
Momoko Inayoshi, Naotoshi Hikosaka, Ryuki Kamiya, Eiji Kagoshima, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Hidemoto Tomita, Tsuyoshi Nishiwaki, Hirokazu Fujiwara, Osamu Nakatsuka, Noriyuki Taoka, Wakana Takeuchi
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月3日
-
Influence of hydrogen desorption temperature on interlayer distance of multilayered GeH nanosheets under ultrahigh vacuum ambient 国際会議
Kazuho Matsumoto, Masaaki Araidai, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, Tomonori Nishimura, Kosuke Nagashio, and Masashi Kurosawa
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日
-
Comprehensive Study on Crystal Growth of CaSi2 Layers on Si(111) Using Solid Phase Epitaxy 国際会議
Kagiri Kato, Shigehisa Shibayama, Mitsuo Sakashita, Osamu Nakatsuka, and Masashi Kurosawa
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月4日
-
Efficient Reverse Current Reduction of GeSn-Based pn Diodes by Surface Passivation of ALD-GeO2 and Al2O3 Stacked Structure 国際会議
Yoshiki Kato, Mitsuo Sakashita, Masashi Kurosawa, Osamu Nakatsuka, and Shigehisa Shibayama
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月2日
-
GeSn on Insulator Metal-Semiconductor-Metal Photodetector by Layer Transfer Technique 国際会議
Tatsuro Maeda, Hiroyuki Ishii, Wen Hsin Chang, Takaaki Takagi, Shigehisa Shibayama, Masashi Kurosawa, and Osamu Nakatsuka
2024 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2024) 2024年9月3日
-
GaAs基板に形成したSbドープGe1−x−ySixSny薄膜の低温熱電物性
椙村 樹、中田 壮哉、柴山 茂久、坂下 満男、中塚 理、片瀬 貴義、黒澤 昌志
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月23日
-
GeSiSn/GeSn二重障壁構造で観測した負性微分抵抗と動作特性解析
柴山 茂久、石本 修斗、坂下 満男、黒澤 昌志、中塚 理
2024年第71回 応用物理学会 春季学術講演会 2024年3月24日