講演・口頭発表等 - 原田 俊太
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Optimization of experimental conditions using machine learning for large-diameter crystal growth in solution growth of SiC
Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICMaSS 2023 2023年12月2日
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Numerical Analysis of Macrostep Instability focusing on Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth
Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICMaSS 2023 2023年12月2日
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Molecular Beam Epitaxy (MBE) and Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) Surface Stability of Reconstructions on BAs (001) Surface: First-principles calculation
PeiYang Cai, Toru Akiyama, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICMaSS 2023 2023年12月2日
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エピタキシャル成長前 SiC 基板への H +注入の PiN ダイオードへの効果
渡邉 王雅, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 第 10 回講演会 2023年12月1日
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偏光顕微鏡法と X 線トポグラフィ法による SiC 基板中の貫通転位のマルチモーダル解析
原田 俊太, 松原 康高, 川瀬 道夫, 瀬尾 圭介, 水谷 誠也, 水谷 優也, 水谷 誠二, 村山 健太
先進パワー半導体分科会 第 10 回講演会 2023年12月1日
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SiCパワーデバイスの研究開発は結晶欠陥と共に：SiCウェハー欠陥評価技術の進展 招待有り
原田俊太
第11回SPring-8次世代先端デバイス研究会 2023年11月29日
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製造プロセスの制御への強化学習の応用ー浮遊帯域溶融法による結晶成長を例に 招待有り
原田俊太
半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会第3回「DX と AI がもたらす半導体基板製造の革新」 2023年11月24日
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ベイズ超解像を用いた X 線光電子分光測定高速化プログラムの開発
原田俊太, 辻森皓太, 木下慎一郎
第 59 回 X 線分析討論会 2023年10月22日
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SiC溶液成長における溶媒インクルージョン形成のマルチスケールシミュレーション
鄭 朗程, 周 惠琴, 黨 一帆, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023年9月20日
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ＳｉＣ溶液成長における炭素拡散場を介したマクロステップ相互作用の数値解析
中西 祐貴, 沓掛 健太朗, 原田 俊太, 田川 美穂, 宇治原 徹
日本金属学会2023年秋期(第173回）講演大会 2023年9月22日
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3-dimensional observation of dislocations in 4H-SiC using focused light birefringence
Masashi Kato, Hisaya Sato, Tomohisa Kato, Koichi Murata, Shunta Harada
ICSCRM 2023 2023年9月18日
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Effects of Solution Properties on Growth Conditions of SiC Solution Growth
Juanheng Li, Zhou Huiqin, Liu Xin, Kutsukake Kentaro, Harada Shunta, Tagawa Miho, Ujihara Toru
ICSCRM 2023 2023年9月20日
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Detailed characterization of defects in SiC using novel birefringence imaging toward identification of device-killer defects
Shunta Harada, Yasutaka Matsubara, Kenta Murayama
ICSCRM 2023 2023年9月19日
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Birefringence image simulation of dislocations in a SiC crystal considering three-dimensional stress fields.
Yasutaka Matsubara, Kenta Murayama, Shunta Harada
ICSCRM 2023 2023年9月21日
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Analysis of the Effect of Solvent Composition on Suppression of Inclusion in SiC Solution Growth
Huiqin Zhou, Yuma Fukami, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Tour Ujihara
ICSCRM 2023 2023年9月19日
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Advances in Suppressing Bipolar Degradation in SiC Devices: Carrier Lifetime Control and Proton Implantation (invited paper) 招待有り
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
ICSCRM 2023 2023年9月20日
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Optimization of Temperature Distribution and Flow Distribution using Machine Learning for 8-Inch SiC Crystal Growth by TSSG Method
Daiki Shimoda, Kentaro Kutsukake, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICSCRM 2023 2023年9月19日
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Defect characterization of SiC wafers by polarized light microscope under a condition slightly deviated from crossed Nicols
S. Harada, Y. Matsubara, K. Murayama
IUCr2023 2023年8月29日
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Modulated crystallographic shear structure in titanium-chromium oxides: their structure and phonon transport properties
S. Harada, T. Hattori†, M. Inden†, S. Sugimoto†, M. Itoh†, M. Tagawa, T. Ujihara
IUCr2023 2023年8月29日
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Analysis of Macrostep Interaction via Carbon Diffusion Field in SiC Solution Growth
Yuki Nakanishi, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICCGE-20 2023年8月1日