講演・口頭発表等 - 原田 俊太
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4H-SiC溶液成長法における凸形状成長による貫通らせん転位の変換挙動
古池大輝, 梅崎智典, 堀尾篤史, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第61回応用物理学会春季学術講演会 2014年3月
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4H-SiC溶液成長過程における貫通らせん転位変換により形成する欠陥の微細構造 国際会議
原田俊太, 國松亮太, 田川美穂, 山本悠太, 荒井重勇, 田中信夫, 宇治原徹
2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 2013年3月27日
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4H-SiC溶液成長過程における貫通転位変換挙動と成長表面モフォロジーの相関 国際会議
原田俊太, 山本祐治, 肖世玉, 堀尾篤史, 田川美穂, 宇治原徹
第43回結晶成長国内会議 2013年11月6日
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Al 融液窒化法において成長温度がAlN組織形成に与える影響 国際会議
水野恒平, 松原弘明, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 青木祐一, 小原公和
第25回セラミックス協会秋季シンポジウム 2012年9月19日
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AlGaAs/InGaAs超格子構造におけるミニバンドの超高分解能直接観察 国際会議
志村大樹, 市橋史朗, 原田俊太, 桒原真人, 伊藤孝寛, 松波雅治, 木村真一, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
2012年度春季 第60回 応用物理学関係連合講演会 2013年3月27日
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AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定 国際会議
永冶仁, 陳鳴 宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月17日
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Aluminum Nitride Whiskers with High Aspect Ratio Grown from Multi-Component Melt
M.Y.Chen, H.Matsubara, K.Mizuno, M.Nagaya, Y.Takeuchi, S.Harada, T.Ujihara, Y.Aoki, K.Kohara, T.Kano
ISETS '13 2013年12月13日
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Al融液窒化法を用いたAlN多結晶の作製におけるMgによる窒化促進効果の検証
水野恒平, 松原弘明, 永冶仁, 竹内幸久, 原田俊太, 宇治原徹, 加納豊広, 青木祐一, 小原公和
日本セラミックス協会2013年 年会 2013年3月17日
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Anisotropy of Lattice Thermal Conduction in TiO2-x with High Density of Planar Defects by Atomistic Simulations
Y. Miyauchi, M. Tada, M. Yoshiya, S. Harada, K. Tanaka, H. Yasuda, H. Inui
The 3rd International Symposium on Advanced Microscopy and Theoretical Calculations (AMTC3) 2012年5月9日
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CaFe2As2系超伝導薄膜の透過電子顕微鏡観察 国際会議
川口昂彦, 原田俊太, 藤本亮 祐, 森康博, 中村伊吹, 畑野敬史, 宇治原徹, 生田博志
第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月17日
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Characterization of Newly Generated Defects during Solution Growth of 4H-SiC
Shiyu Xiao, Shunta Harada, Natsumi Hara, Miho Tagawa, Toru Ujihara
International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 2014年8月24日
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Control of dislocation conversion during solution growth by changing surface step structure
Shunta Harada, Yuji Yamamoto, Shiyu Xiao, Atsushi Horio, Miho Tagawa, Toru Ujihara
ICSCRM 2013 2013年9月29日
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Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal
D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2014年9月21日
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Correlation between Surface Morphology and Threading Dislocation Conversion in Solution Growth of SiC
Shunta Harada, Shiyu Xiao, Natsumi Hara, Daiki Koike, Takuya Mutoh, Miho Tagawa, Toru Ujihara
International Union of Materials Research Societies International Conference in Asia 2014 2014年8月24日
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"AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定" 国際会議
永冶仁, 陳鳴宇, 渡邉将太, 竹内幸久, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第75回応用物理学会秋季学術講演会 2014年9月17日
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"3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method"
Kenji SHIBATA, Shunta HARADA, Toru UJIHARA
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014) 2014年9月21日
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4H-SiC溶液成長法二段階成長における異種多形の析出抑制 国際会議
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
第46回結晶成長国内会議（JCCG-46） 2017年11月27日
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貫通らせん転位が極めて少ない 4H-SiC の溶液成長における多形安定化手法 国際会議
村山健太, 原田俊太, 藤栄文博, 劉欣博, 村井良多, 朱燦, 花田賢志, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
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溶液法 SiC 基板を用いて作製した MOS キャパシタの評価 国際会議
古庄智明, 川畑直之, 古橋壮之, 渡辺友勝, 渡邊寛, 山川聡, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
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溶液成長における溶液状態の高速予測と 網羅的探索により最適化した条件での結晶成長 国際会議
村井良多, 村山健太, 原田俊太, 畑佐豪記, 角岡洋介, 林宏益, 朱燦, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日