講演・口頭発表等 - 原田 俊太
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“脂質二重膜の性質が膜上のDNA被覆金ナノ粒子に及ぼす影響” 国際会議
中田咲子, 赤田英里, 磯貝卓巳, 吉田直矢, 手老龍吾, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
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“溶液法により成長したn型4H-SiC結晶のキャリア濃度分布の評価” 国際会議
王 振江, 川口昂彦, 村山健太, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 宇治原徹
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
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“溶媒を用いたAlNウィスカーの直接窒化法における溶媒組成が生成量に与える影響” 国際会議
松本昌樹, 渡邉将太, 竹内幸久, 青柳健大, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
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“SiC溶液成長における溶媒不純物の取り込み Impurity incorporation during solution growth of SiC” 国際会議
原田俊太, 村山健太, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 加藤智久, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 2015年11月9日
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“Agナノ粒子を含んだNaClO3溶液からの円偏光レーザー誘起キラル結晶化におけるエナンチオ選択的増幅” 国際会議
新家寛正, 杉山輝樹, 田川美穂, 村山健太, 原田俊太, 丸山美帆子, 森 勇介, 宇治原徹
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
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“Agナノ粒子の光学捕捉により誘起されるNaClO3キラル結晶化過程その場観察” 国際会議
新家寛正, 杉山輝樹, 丸山美帆子, 田川美穂, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹, 森勇介
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
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“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減 Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth” 国際会議
村山健太, 堀司紗, 原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 2015年11月9日
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“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現” 国際会議
村山健太, 原田俊太, 肖世玉, 堀司紗, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
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“4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制” 国際会議
堀司紗, 村山健太, 肖世玉, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
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“2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布” 国際会議
吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
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X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
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X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
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X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長 国際会議
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
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X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
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Ultra high quality SiC crystal grown by solution method
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai
CMCEE 2015 2015年6月14日
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Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日
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Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa
The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 2016年10月6日
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SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価 国際会議
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
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Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method
Shunta Harada
SSDM2020 2020年9月29日