講演・口頭発表等 - 原田 俊太
-
“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜成長による貫通転位密度の低減 Growth of thick 4H-SiC crystal on Si face to reduce threading dislocation density by solution growth” 国際会議
村山健太, 堀司紗, 原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第２回講演会 2015年11月9日
-
“4H-SiC溶液成長法Si面厚膜化による低転位密度結晶成長の実現” 国際会議
村山健太, 原田俊太, 肖世玉, 堀司紗, 青柳健大, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
-
“4H-SiCのSi面溶液成長における温度分布制御による異種多形混入の抑制” 国際会議
堀司紗, 村山健太, 肖世玉, 青柳健大, 原田俊太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第45回結晶成長国内会議（NCCG-45） 2015年10月19日
-
“2種のDNAを被覆したナノ粒子の構造体の粒子間距離分布” 国際会議
吉田直矢, 赤田絵里, 磯貝卓巳, 中田咲子, 原田俊太, 宇治原徹, 田川美穂
2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会 2015年9月13日
-
X線透過法による SiC 溶液成長の溶液流れと溶液形状のその場観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
先進パワー半導体分科会 第3回講演会 2016年11月8日
-
X線透過法により溶液形状制御したSiC溶液成長 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第64回応用物理学会春季学術講演会 2017年3月14日
-
X線その場観察によりメニスカス高さ制御したSiC溶液成長 国際会議
酒井 武信, 秋田 光俊, 加度 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
-
X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長の溶液表面形状の経時変化の観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第80回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
-
X 線透過法による溶液法 SiC 結晶成長のその場観察 国際会議
酒井 武信, 加渡 幹尚, 大黒 寛典, 原田 俊太, 宇治原 徹
2016年第79回応用物理学会秋季学術講演会 2016年9月13日
-
Ultra high quality SiC crystal grown by solution method
T. Ujihara, S. Harada, K. Aoyagi, M. Tagawa, T. Sakai
CMCEE 2015 2015年6月14日
-
Two-step growth of SiC solution growth for reduction of dislocations
K. Murayama, T. Hori, S. Harada, S. Xiao, M.Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日
-
Trial of Process Informatics in SiC Solution Growth
T. Ujihara, S. Harada, Y. Tsunooka, N. Kokubo, K. Murayama, R. Murai, M. Tagawa
The 3rd International Conference on Universal Village (UV 2016) 2016年10月6日
-
Threading Screw Dislocation Conversion by Macrosteps during SiC Solution Growth for High-quality Crystals
S. Harada, K. Murayama, S. Xiao, F. Fujie, T.Sakai, M. Tagawa, T. Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日
-
The realization of high-quality 4H-SiC C-face grown crystals by controlling the macrosteps formation during solution growth
S. Y. Xiao, S. Harada, P. L. Chen, K. Murayama, T.Ujihara
the 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18) 2016年8月7日
-
Synthesis of polycrystalline AlN with high thickness by an efficient method 国際会議
Pradip Ghosh, Kohei Mizuno, Makoto Hayashi, Yukihisa Takeuchi, Yuichi Aoki, Susumu Sobue, Yasuo Kitou, Jun Hasegawa, Makoto Kobashi, Toru Ujihara
公益社団法人日本セラミックス協会 2015年 年会 2015年3月18日
-
Solvent design for high-purity SiC solution growth
S. Harada, G. Hatasa, K. Murayama, T. Kato, M. Tagawa, T. Ujihara
The 11th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ECSCRM) 2016年9月25日
-
SiC溶液法C面成長における貫通らせん転位の低減 国際会議
劉 欣博, 原田 俊太, 村山 健太, 村井 良多, 肖 世玉, 田川 美穂, 宇治原 徹
2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会 2017年9月5日
-
SiC溶液成長における貫通転位変換と成長表面のマクロステップの関係 国際会議
原田俊太, 肖世玉, 青柳健大, 村山健太, 酒井武信, 田川美穂, 宇治原徹
第63回応用物理学会春季学術講演会 2015年3月11日
-
SiC 溶液成長法における溶媒中の Cr 組成に対する 成長ポリタイプの面内分布及び相対存在割合の評価 国際会議
鈴木皓己, 高橋大, 土本直道, 玄光龍, 太子敏則, 村山健太, 原田俊太, 宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第4回講演会 2017年11月1日
-
Automatic Detection of Dislocation contrasts in Birefringence Image of SiC Wafers Using Variance Filter Method
Shunta Harada
SSDM2020 2020年9月29日