講演・口頭発表等 - 原田 俊太
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"非対称温度分布下でのSiC溶液成長法におけるマランゴニ対流を考慮した3次元数値シミュレーションと表面形状の相関 Relationship between Surface Morphology and Numerical Simulation in Consideration of Marangoni Convection during SiC Solution Growth under a Non-Axisymmetric Temperature Distribution"
古池大輝、梅崎智典、村山健太、青柳健大、原田俊太、田川美穂、酒井武信、宇治原徹
先進パワー半導体分科会 第1回講演会 1st Meeting on Advanced Power Semiconductor 「未来を創る先進パワーエレクトロニクスと低炭素社会」
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円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性
新家寛正, 村山健太, 原田俊太, 田川美穂, 宇治原徹
第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44
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SiC 溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察
原田俊太、肖世玉、村山健太、青柳健大、酒井武信、田川美穂、宇治原徹
第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44
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化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN 単結晶溶液成長
永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第44回 結晶成長国内会議 NCCG-44
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"円偏光レーザー誘起結晶化によるキラリティ制御の可能性"
新家寛正，村山健太，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)
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"化学平衡計算に基づいた過飽和領域の制御によるAlN単結晶溶液成長"
永冶仁，陳鳴宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)
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"SiC溶液成長過程における貫通転位変換現象の弾性論的考察"
原田俊太，肖世玉，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹
第44回結晶成長国内会議(NCCG-44)
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Two-dimensional assembly of Au nanoparticles through DNA hybridization on supported lipid bilayer 国際会議
T. Isogai, E. Akada, S. Nakada, R. Tero, S. Harada, T. Ujihara and M. Tagawa
20th International Conference on DNA Computing and Molecular Programming(DNA20)
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Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds 国際会議
T. Umezaki, D. Koike, S. Harada, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Heavily Al doped 4H-SiC growth by the top-seeded solution growth technique using Si-Al-Cu melt as a solvent 国際会議
K. Kusunoki , K. Kamei, K. Seki, Y. Kishida, K. Moriguchi, H. Kaidoh, S. Harada and T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Dislocation conversion during SiC solution growth for high-quality crystal 国際会議
S. Harada, Y. Yamamoto, S. Xiao, N. HARA, D. Koike, T. Mutoh, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Threading screw dislocations conversion behavior on C face with different surface morphology during 4H-SiC solution growth 国際会議
S. Xiao, N. Hara, S. Harada, T. Sakai, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal 国際会議
D. Koike, T. Umezaki, S. Harada, M. Tagawa, T. Sakai, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method 国際会議
K. Shibata, S. Harada, T. Ujihara
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials
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"Control of Interface Shape by Non-Axisymmetric Solution Convection in Top-Seeded Solution Growth for SiC Crystal" 国際会議
Daiki KOIKE, Tomonori UMEZAKI, Shunta HARADA, Miho TAGAWA, Takenobu SAKAI, Toru UJIHARA
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)
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"Improvement of surface morphology by solution flow control in solution growth of SiC on off-axis seeds" 国際会議
Tomonori UMEZAKI, Daiki KOIKE, Shunta HARADA, Toru UJIHARA
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)
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"3C-SiC crystal on sapphire by solution growth method" 国際会議
Kenji SHIBATA, Shunta HARADA, Toru UJIHARA
10th European Conference on Silicon Carbide and Related Materials(ECSCRM 2014)
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高品質4H-SiC溶液成長における多形変化抑制メカニズム
原田俊太，山本祐 治，村山健太，青柳健大，酒井武信，田川美穂，宇治原徹
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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AlN溶液成長における化学平衡計算を用いた実験条件の決定
永冶仁，陳鳴 宇，渡邉将太，竹内幸久，原田俊太，田川美穂，宇治原徹
第75回応用物理学会秋季学術講演会
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多元溶媒窒化法を用いた単結晶AlNウィスカーの合成
陳鳴宇，永冶仁，渡邉 将太，竹内幸久，原田俊太，荒井重勇，田川美穂，宇治原徹
第75回応用物理学会秋季学術講演会