講演・口頭発表等 - 原田 俊太
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P型4H-SiC溶液成長法における溶媒インクルー ジョンおよび結晶の不純物濃度分布の形成要因 の分析
伊藤 貴洋, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
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SiC基板への裏面プロトン注入の積層欠陥拡張抑制効果
リ トウ, 坂根 仁, 原田 俊太, 加藤 正史
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月16日
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SiCパワーデバイスにおける高エネルギーイオン注入による積層欠陥拡張抑制 招待有り
原田 俊太, 坂根 仁, 三井 俊樹, 加藤 正史
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月14日
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半導体熱処理条件の最適化における既存条件を考慮した目的関数の検討
笠原 亮太郎, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹, 関 翔太, 高石 将暉, 永井 勇太
第72回応用物理学会春季学術講演会 2025年3月17日
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高エネルギーイオン注入によるSiCパワー半導体の順方向通電劣化抑制
原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
日本金属学会2025年春期(第176回）講演大会 2025年3月9日
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ヘリウムイオン注入による SiC 積層欠陥拡張抑制
○Li Tong, 原田 俊太, 坂根 仁, 加藤 正史
先進パワー半導体分科会 2024年11月25日
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偏光観察と複数手法による SiC ウエハのマルチモーダル欠陥解析ソフトの開発
高橋 幸聖, 辻森 皓太, 松原 康高, 瀬尾 圭介, 川瀬 道夫, 村山 健太, 原田 俊太
先進パワー半導体分科会第11回講演会 2024年11月25日
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放射光トポグラフィによる半導体ウエハの結晶欠陥評価
原田俊太
第28回名古屋大学DセンターVBLシンポジウム 2024年11月21日
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NVセンタを用いたダイヤモンド中の転位の応力テンソルのイメージング
辻赳行, 中嶋まい, 原田俊太, 寺地徳之
第３８回ダイヤモンドシンポジウム講演プログラム 2024年11月21日
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Defect Characterization of Power Device Semiconductor Wafers by Novel Birefringence Method 招待有り
Shunta Harada, Kenta Murayama
APWS2024 2024年10月15日
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Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method 招待有り
Masashi Kato, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
APWS2024 2024年10月15日
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Role of Point Defects in Suppressing Stacking Fault Expansion through Helium and Proton Implantation in SiC Epitaxial Layer
Shunta Harada, Hitoshi Sakane, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024年10月1日
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Hydrogen and point defect introduction into 4H-SiC by plasma treatment
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Yasuyoshi Kurokawa, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024年9月30日
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Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation
Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato
ICSCRM 2024 2024年10月4日
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Proton implantation into substrate and stacking faults in epitaxial layers
Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane
ICSCRM 2024 2024年10月3日
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Numerical Simulation Study on Different Scales to Suppress Solvent Inclusion Defects in SiC Solution Crystal Growth
Huiqin Zhou, Hitoshi Miura, Kentaro Kutsukake, Yifan Dang, Shunta Harada, Tour Ujihara
ICSCRM 2024 2024年10月3日
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Influence of the Temperature Gradient on the Defect Formation in the Initial Stage of PVT Growth 招待有り
Ju-Hyeong SunShunta HaradaJungwoo ChoiMyung-Ok KyunSoon-Ku HongSeong-Min JeongSi-Young, BaeYunji Shin
ICSCRM 2024 2024年9月30日
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Identification of Threading Mixed Dislocations Having a Large Edge Component Burgers Vector by Polarized Light Observation 招待有り
Shunta Harada, Michio Kawase, Yasutaka Matsubara, Keisuke Seo, Yuya Mizutani, Seiya Mizutani, Seiji Mizutani, Kenta Murayama
ICSCRM 2024 2024年9月30日
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Toward Eliminating SiC Bipolar Degradation by Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) Method (Invited) 招待有り
Shunta Harada
24th International Conference on Ion Implantation Technology 2024 2024年9月29日
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SiC溶液成長法における潜在空間を利用した長時間プロセスの最適化
坂本 隆直, 沓掛 健太, 原田 俊太, 宇治原 徹
第85回応用物理学会秋季学術講演会 2024年9月20日