論文 - 白石　賢二

シリコン原子はどこへ行く? まだまだ不思議な熱酸化 招待有り

影島博之， 秋山亨， 白石賢二， 植松真司

応用物理学会誌   91 巻 ( 3 ) 頁： 155 - 159   2022年3月

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記述言語：日本語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.11470/oubutsu.91.3_155

First-principles study on silicon emission from interface into oxide during silicon thermal oxidation

Kageshima Hiroyuki, Akiyama Toru, Shiraishi Kenji

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   162 巻   2023年8月

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DOI： 10.1016/j.mssp.2023.107527

Web of Science

Elucidation of Spin-Correlations, Fermi Surface and Pseudogap in a Copper Oxide Superconductor

Kamimura Hiroshi, Araidai Masaaki, Ishida Kunio, Matsuno Shunichi, Sakata Hideaki, Sasaoka Kenji, Shiraishi Kenji, Sugino Osamu, Tsai Jaw-Shen, Yamada Kazuyoshi

CONDENSED MATTER   8 巻 ( 2 )   2023年6月

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DOI： 10.3390/condmat8020033

Web of Science

GaN薄膜成長機構解明への量子論計算科学のアプローチ

押山 淳, 白石 賢二

日本結晶成長学会誌   50 巻 ( 1 )   2023年4月

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DOI： 10.19009/jjacg.50-1-03

GaN有機金属気相成長におけるデジタルツイン開発の現状

草場 彰, 寒川 義裕, 久保山 哲二, 新田 州吾, 白石 賢二, 押山 淳

日本結晶成長学会誌   50 巻 ( 1 )   2023年4月

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DOI： 10.19009/jjacg.50-1-05

Comparative study of the gas phase reaction of SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2, and SiH3Cl by thermodynamic analysis

Nagahashi Tomoya, Karasawa Hajime, Horiike Ryota, Kimura Tomoya, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( 4 )   2023年4月

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DOI： 10.35848/1347-4065/acc3e8

Web of Science

Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators 査読有り

Yoshiki Ohata, Masaaki Araidai, Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya, Hiroshi Toshiyoshi, Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi

Materials Science in Semiconductor Processing   157 巻   頁： 107306   2023年4月

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担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1016/j.mssp.2022.107306

Microscopic physical origin of charge traps in 3D NAND flash memories

Nanataki Fugo, Iwata Jun-Ichi, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Oshiyama Atsushi, Shiraishi Kenji

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   62 巻 ( SC )   2023年4月

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DOI： 10.35848/1347-4065/acaeb3

Web of Science

Effect of hydrogen atoms on potassium-ion electrets used in vibration-powered generators

Ohata Yoshiki, Araidai Masaaki, Ishiguro Takuma, Mitsuya Hiroyuki, Toshiyoshi Hiroshi, Shibata Yasushi, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING   157 巻   2023年4月

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DOI： 10.1016/j.mssp.2022.107306

Web of Science

Insight into the step flow growth of gallium nitride based on density functional theory

Bui Kieu My, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

APPLIED SURFACE SCIENCE   613 巻   2023年3月

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DOI： 10.1016/j.apsusc.2022.155840

Web of Science

Effect of MgO Grain Boundaries on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy in Spin-transfer torque Magnetic Random-Access Memory: A First-Principles Study 査読有り

K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi

IEEE Transactions on Magnetics   59 巻 ( 4 )   2023年2月

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DOI： 10.1109/TMAG.2023.3248488

Atomic and electronic structures of interfaces between amorphous (Al2O3)(1-x)(SiO2)(x) and GaN polar surfaces revealed by first-principles simulated annealing technique

Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   133 巻 ( 6 )   2023年2月

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DOI： 10.1063/5.0132033

Web of Science

Improvement of the reliability of potassium-ion electrets thorough an additional oxidation process 査読有り

Yoshiki Ohata, Toru Nakanishi, Kenta Chokawa, Masaaki Araidai, Takuma Ishiguro, Hiroyuki Mitsuya, Hiroshi Toshiyoshi, Yasushi Shibata, Gen Hashiguchi, Kenji Shiraishi

Applied Physics Letters   121 巻 ( 24 ) 頁： 243903   2022年12月

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担当区分：最終著者   記述言語：英語   掲載種別：研究論文（学術雑誌）  

DOI： https://doi.org/10.1063/5.0129247

Improvement of the reliability of potassium-ion electrets thorough an additional oxidation process

Ohata Yoshiki, Nakanishi Toru, Chokawa Kenta, Araidai Masaaki, Ishiguro Takuma, Mitsuya Hiroyuki, Toshiyoshi Hiroshi, Shibata Yasushi, Hashiguchi Gen, Shiraishi Kenji

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 24 )   2022年12月

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DOI： 10.1063/5.0129247

Web of Science

Effect of interfacial nitrogen defects on tunnel magnetoresistance in an Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junction

Ogawa Yutaro, Araidai Masaaki, Endoh Tetsuo, Shiraishi Kenji

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS   132 巻 ( 21 )   2022年12月

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DOI： 10.1063/5.0126570

Web of Science

Atomic and electronic structures of nitrogen vacancies in silicon nitride: Emergence of floating gap states

Nanataki Fugo, Shiraishi Kenji, Iwata Jun-ichi, Matsushita Yu-ichiro, Oshiyama Atsushi

PHYSICAL REVIEW B   106 巻 ( 15 )   2022年10月

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DOI： 10.1103/PhysRevB.106.155201

Web of Science

Beyond ab initio reaction simulator: An application to GaN metalorganic vapor phase epitaxy

Kusaba A., Nitta S., Shiraishi K., Kuboyama T., Kangawa Y.

APPLIED PHYSICS LETTERS   121 巻 ( 16 )   2022年10月

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DOI： 10.1063/5.0119783

Web of Science

An atomistic insight into reactions and free-energy profiles of NH3 and Ga on GaN surfaces during the epitaxial growth

Boero Mauro, Bui Kieu My, Shiraishi Kenji, Ishisone Kana, Kangawa Yoshihiro, Oshiyama Atsushi

APPLIED SURFACE SCIENCE   599 巻   2022年10月

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DOI： 10.1016/j.apsusc.2022.153935

Web of Science

Reaction of nitrous oxide and ammonia molecules at 4H-SiC/SiO2 interface: An ab initio study

Akiyama Toru, Shimizu Tsunashi, Ito Tomonori, Kageshima Hiroyuki, Shiraishi Kenji

SURFACE SCIENCE   723 巻   2022年9月

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DOI： 10.1016/j.susc.2022.122102

Web of Science

Microscopic identification of stepped SiC(0001) and the reaction site of hydrogen-rich epitaxial growth

Kimura Tomoya, Chokawa Kenta, Shiraishi Kenji, Oshiyama Atsushi

PHYSICAL REVIEW B   106 巻 ( 3 )   2022年7月

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DOI： 10.1103/PhysRevB.106.035309

Web of Science