Presentations -
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GaN-on-GaN Vertical Nanowire Power Schottky Barrier Diode Fabricated by Top-down Approach International conference
Yaqiang Liao, Tao Chen, Jia Wang, Yuto Ando, Xu Yang, Hirotaka Watanabe, Jun Hirotani, Maki Kushimoto, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Kevin J. Chen, and Hiroshi Amano
ISPSD 2020 2020.9.17
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Demonstration of a deep-ultraviolet laser diode on single crystal AlN substrate operating under current injection at room temperature Invited
Ziyi Zhang, Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Naoharu Sugiyama, Leo.J. Schowalter, Chiaki Sasaoka, Hiroshi Amano
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.9
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AlGaN 系深紫外光デバイスの開発 -レーザーダイオードと透明導電膜 - Invited
久志本 真希, 出来 真斗, 本田 善央, 天野 浩
第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.10
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次世代深紫外光源に向けた透明導電膜と UV−C LD Invited
久志本 真希
第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会 2020.7.31
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272 nm deep-ultraviolet laser diode fabricated on high-quality AlN substrate Invited International conference
C. Sasaoka, Z. Zhang, M. Kushimoto, T. Sakai, N. Sugiyama, L. J. Schowalter, and H. Amano
ALPS 2020 2020.4.22
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表面積制御によるマイクロプレート型多色発光LEDの同時成長
蔡 文トウ, 久志本 真希, 出来 真斗，田中 敦之，新田 州吾，本田 善央，天野 浩
第67回応用物理学会春季学術講演会
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ALD 法によりDBR を形成されたAlGaN UVC LD の室温パルス発振
酒井 忠慶, 久志本 真希, 張 梓懿, 杉山 直治, 本田 善央, 笹岡 千秋, 天野 浩
第67回応用物理学会春季学術講演会
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GaN 縦型p-n ダイオードにおける2 光子吸収光電流の測定
川崎晟也，安藤悠人，田中敦之，塚越真悠子，谷川智之，出来真斗，久志本真希，新田州吾，本田善央，天野浩
第67回応用物理学会春季学術講演会
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p-GaN エピ層中に Si イオン注入により形成した n-GaN の電気特性評価
三浦史也、安藤 悠人，高橋 昌大，出来 真斗, 田中 敦之，渡邉 浩崇，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，天野 浩
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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ゲート電極形成プロセスがAl2O3/GaN界面およびチャネル特性に与える影響
安藤悠人、中村徹、出来真斗、田岡紀之、田中敦之、渡邉浩崇、久志本真希、新田州吾、本田善央、山田永、清水三聡、天野浩
先進パワー半導体分科会第6回講演会
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Crystal structure of MgZnO deposited by RF sputtering International conference
Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
The 9th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS2019)
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Photoelectrochemical Etching for GaN MEMS
Takehiro Yamada, Yuto Ando, Hirotaka Watanabe, Manato Deki, Atsushi Tanaka, Shugo Nitta, Maki Kushimoto, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
EMS-38
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Effect of interface state density on channel mobility in GaN lateral MISFET International conference
Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, Hisashi Yamada, Mitsuaki Shimizu, and Hiroshi Amano
SemiconNano 2019
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GaN横型MISFETにおけるチャネル移動度に対する界面準位密度の影響2
安藤 悠人,中村 徹, 出来 真斗, 田岡 紀之1, 田中 敦之, 渡邉 浩崇 久志本 真希, 新田 州吾, 本田 善央, 山田 永, 清水 三聡, 天野 浩
応用物理学会秋季学術講演会
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GaNパワーデバイスの実用化に向けた準備状況について
田中敦之、安藤悠人、高橋昌大、三浦史也、川崎晟也、渡邉浩崇、久志本真希、出来真斗、新田州吾、本田善央、天野浩
応用物理学会秋季学術講演会
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GaNへの高温Mg/Fイオン共注入によるグリーンルミネッセンスの抑制
高橋 昌大，田中 敦之，安藤 悠人，渡邉 浩崇，出来 真斗，久志本 真希，新田 州吾，本田 善央，Kevin J. Chen，天野 浩
応用物理学会秋季学術講演会
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エッチング法を用いたAlGaN UV-C レーザーの光共振器作製
酒井 忠慶, 久志本 真希, 本田 善央, 天野 浩
応用物理学会秋季学術講演会
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Effects of annealing process on electrical conductivity of MgZnO International conference
Maki Kushimoto, Tadayoshi Sakai, Manato Deki, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
The international workshop on UV materials and devices (IWUMD-2019)
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High-Resolution Observation of In-Plane Carrier Concentration Nonuniformity in Vertical GaN p-n Diode Using Franz-Keldysh Effect and Avalanche Multiplication International conference
Seiya Kawasaki, Hayata Fukushima, Shigeyosihi Usami, Yuto Ando, Atsushi Tanaka, Manato Deki, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)
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Effect of Post-metallization Annealing on Interface Properties of Al2O4/GaN Fabricated on c- and m-plane Free-standing GaN Substrates International conference
Yuto Ando, Tohru Nakamura, Manato Deki, Noriyuki Taoka, Atsushi Tanaka, Hirotaka Watanabe, Maki Kushimoto, Shugo Nitta, Yoshio Honda, and Hiroshi Amano
2019 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2019)