Presentations -
-
Control of Chemical Reaction between Ag Thin Film and Group-IV Semiconductors
Ito Koichi, Akio Ohta, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi
The Surface Science Society of Japan
-
Chemical synthesis of group-IV nanosheets from layered compounds
Asaeda Shungo, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Zaima Shigeaki
The Surface Science Society of Japan
-
Electronic states of germanene and stanene on Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> surfaces
Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji
The Physical Society of Japan
-
Electric conduction properties in edge hydrogenated monolayer nanoribbons of group-IV materials
Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio
The Physical Society of Japan
-
Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator International conference
K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka
International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet
-
Edge states in hydrogenated silicene, germanene, stanene ribbons
Hattori A., Araidai M., Hatsugai Y., Yada K., Shiraishi K., Sato M., Tanaka Y.
The Physical Society of Japan
-
水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態
服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫
日本物理学会 第71回年次大会（2016年）
-
SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討
小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
-
V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
-
GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析
関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二
第63回応用物理学会春季学術講演会
-
絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析
洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二
日本物理学会 第71回年次大会（2016年）
-
First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on insulating film
Araidai M., Kurosawa M., Ohta A., Shiraishi K.
The Physical Society of Japan
-
Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method International conference
A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki
8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016)
-
Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析
長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
-
Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の 歪み依存性に関する理論的研究
川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
-
MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察
白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）
-
Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth International conference
M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
-
First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film International conference
M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi
23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)
-
First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb2Te3 International conference
M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi
46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015)
-
Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成
黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明
日本表面科学会第35回表面科学学術講演会