Faculty Profiles - ARAIDAI Masaaki

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帯電材料カリウムイオンエレクトレットにおけるSiO5構造の負電荷蓄積機構と検出方法の理論的解析

桐越大貴, 大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 橋口原, 白石賢二

第72回応用物理学会春季学術講演会 2025.3.15 公益社団法人応用物理学会

帯電材料カリウムイオンエレクトレットにおけるSiO₅構造の負電荷蓄積機構と検出方法の理論的解析

桐越大貴, 大畑慶記, 洗平昌晃, 石黒巧真, 三屋裕幸, 年吉洋, 橋口原, 白石賢二

第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2025.1.24

Influence of Hydrogen Desorption Temperature on Interlayer Distance of Multilayered GeH Nanosheets under Ultrahigh Vacuum Ambient International conference

K. Matsumoto, M. Araidai, S. Shibayama, M. Sakashita, O. Nakatsuka, T. Nishimura, K. Nagashio, M. Kurosawa

2024 International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2024) 2024.9.4

Construction of Machine Learning Potential for Titanium Oxides with Crystallographic Shear Structure

XUAN DAI, Masaaki Araidai, Takuma Shiga, Toru Ujihara, Shunta Harada

2024.3.23

カリウムイオンエレクトレット内のSiO5構造の検出方法の検討

桐越大貴，大畑慶記，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二

第71回応用物理学会春季学術講演会 2024.3.22

First-principles study on two-dimensional materials of silicon/germanium Invited International conference

M. Araidai, M. Itoh, D. Ishihara, M. Kurosawa, A. Ohta, A. Yamakage, K. Shiraishi

Annual Meeting of the Japan Society of Vacuum and Surface Science 2023 (JVSS2023) 2023.11.2

Reliability Impact of Potassium-ion Electrets due to Carbon Contamination during Charging Process International conference

T. Kirikoshi, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF2023) 2023.10.24

Impact of Hydrogen and Nitrogen Impurities in Fe/MgO Structures on the Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy of Spin-transfer Torque Magnetic Random-access Memory (STT-MRAM) Devices International conference

T. Nawa, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Morishita, Y. Ogawa, K. Shiraishi

2023 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES: SCIENCE AND TECHNOLOGY (IWDTF2023) 2023.10.24

カリウムイオンエレクトレット帯電劣化メカニズムの第一原理計算による研究 Invited

大畑慶記，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二

第84回応用物理学会秋季学術講演会 2023.9.23

2次元トポロジカル絶縁体候補物質ABTe4(A/B=Ti,Zr,Hf)に対する有機分子インターカレーション効果

蓮生雄人，畑野敬史，浦田隆広，洗平昌晃，生田博志

日本物理学会第78回年次大会 2023.9.19

第一原理計算によるゲルマニウム極薄膜結晶の磁性に関する研究

石原大樹，洗平昌晃，山影相，白石賢二

日本物理学会第78回年次大会 2023.9.16

カリウムイオンエレクトレット内への炭素混入の影響

桐越大貴,大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,芝田泰,橋口原,白石賢二

第70回応用物理学会春季学術講演会 2023.3.16

帯電材料カリウムイオンエレクトレットの水素のよる劣化の第一原理計算による研究

大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023.2.4

STT-MRAMにおけるMgO薄膜中の粒界によるデータ保持性能への影響の第一原理計算による解析

森下佳祐,原嶋庸介,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2023.2.3

Impact of Grain Boundaries in MgO Layer on Data Retention Performance of STT-MRAM International conference

K. Morishita, Y. Harashima, M. Araidai, T. Endoh, K. Shiraishi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022.9.29

Microscopic Physical Origin of Charge Traps in 3D NAND Flash Memories International conference

F. Nanataki, J. Iwata, K. Chokawa, M. Araidai, A. Oshiyama, K. Shiraishi

International Conference on Solid State Device and Materials (SSDM2022) 2022.9.28

磁気トンネル接合内のFe/MgO/Fe構造内の水素不純物が界面垂直磁気異方性に与える影響

名和卓哉,森下佳祐,洗平昌晃,遠藤哲郎,白石賢二

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

カリウムイオンエレクトレット内での水素原子の拡散経路

大畑慶記,洗平昌晃,石黒巧真,三屋裕幸,年吉洋,柴田泰,橋口原,白石賢二

第83回応用物理学会秋季学術講演会 2022.9.21

First-principles study of the effect of hydrogen on potassium-ion electrets International conference

Y. Ohata, M. Araidai, T. Ishiguro, H. Mitsuya, H. Toshiyoshi, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022.9.6

カリウムイオンエレクトレットの高性能化の指針と水素の影響の理論検討

大畑慶記，中西徹，長川健太，洗平昌晃，石黒巧真，三屋裕幸，年吉洋，芝田泰，橋口原，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.26 応用物理学会

First Principles Studies on the Effect of Grain Boundaries in MgO on Interfacial Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy at Fe/MgO Interface in STT-MRAM

森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.24 応用物理学会

強誘電HfO₂薄膜の安定性と誘電特性：第一原理計算による検討

牧芳和，新井千慧，洗平昌晃，白石賢二，中山隆史

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.24 応用物理学会

熱力学的解析によるp型GaNのHVPE法におけるキャリアガスの特定

長嶋佑哉，木村友哉，洗平昌晃，長川健太，草場彰，寒川義裕，白石賢二

第69回応用物理学会春季学術講演会 2022.3.25 応用物理学会

AlN MOVPEにおけるトリメチルアルミニウム分解反応の理論的考察

赤石大地，洗平昌晃，白石賢二

第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022.1.29 応用物理学会・薄膜表面物理分科会

MgO中の粒界がSTT-MRAMのFe/MgOの界面垂直磁気異方性に与える影響の理論的研究

森下佳祐，原嶋庸介，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二

第27回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2022.1.28 応用物理学会・薄膜表面物理分科会

First-principles study of two-dimensional materials of group IV elements Invited International conference

M. Araidai, M. Itoh, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

The 3rd International Workshop on Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity/The 2nd International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation (IWSingularity 2022/ISWGPDs 2022) 2022.1.12 Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity, Grant-in-Aid for Scientific Research on Innovative Areas, MEXT

First principles studies of the effects of carbon atoms on the potassium-ion electret used in vibration-powered generators International conference

Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

Effects of carbon atoms on the reliability of the potassium-ion electret used in vibration-powered generators International conference

Y. Ohata, M. Araidai, Y. Shibata, G. Hashiguchi, K. Shiraishi

International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES – SCIENCE AND TECHNOLOGY – (2021 IWDTF) 2021.11.15 The Japan Society of Applied Physics

Development of Physically Informed Neural Network Potential International conference

S. Ito, M. Araidai, K. Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021.11.5 Institute of Materials and Systems for Sustainability

First-principles studies on the effects of O atoms in the substrate on the oxidation of a vertical Si nanopillar International conference

F. Nanataki, M. Araidai, H. Kageshima, K. Shiraishi

International Conference on Materials and Systems for Sustainability 2021 (ICMaSS2021) 2021.11.5 Institute of Materials and Systems for Sustainability

ニューラルネットワークを用いた新規ペアポテンシャルの開発

伊藤匠哉，洗平昌晃，白石賢二

日本物理学会 2021年秋季大会 2021.9.21 日本物理学会

Kイオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討 Invited

中西徹，長川健太，洗平昌晃，年吉洋，杉山達彦，橋口原，白石賢二

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9.12 応用物理学会

透過型粉末X線回折による多層ゲルマナンの結晶構造評価

伊藤麻維，洗平昌晃，大田晃生，中塚理，黒澤昌志

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9.10 応用物理学会

Fe/MgO界面への窒素不純物が磁気異方性とTMRに与える影響について Invited

小川湧太郎，洗平昌晃，遠藤哲郎，白石賢二

第82回応用物理学会秋季学術講演会 2021.9.12 応用物理学会

Hydrogen desorption from multilayer germanane flakes under an ultrahigh vacuum environment International conference

M. Itoh, M. Araidai, A. Ohta, O. Nakatsuka, M. Kurosawa

2021 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM2021) 2021.9.6 The Japan Society of Applied Physics

Multicanonical simulations with physically informed neural network potentials on chemical reactions in gas phase International conference

Masaaki Araidai

The 8th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology 2021.3.2

ab initio計算を用いたGaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH₂とNH₃による効果の理論的考察

榊原聡真，長川健太，洗平昌晃，草場彰，寒川義裕，白石賢二

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021.1.23

K イオンエレクトレットの負電荷蓄積機構及び作製指針の理論的検討

中西徹, 長川健太, 洗平昌晃, 年吉洋, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021.1.23

Fe/MgO 界面への窒素不純物が磁気異方性と TMR に与える影響について

小川湧太郎, 洗平昌晃, 遠藤哲郎, 白石賢二

第26回電子デバイス界面テクノロジー研究会 2021.1.22

Theoretical study of the effects of H₂ and NH₃ on the TMG decomposition process in GaN crystal growth International conference

S. Sakakibara, K. Chokawa, M. Araidai, A. Kusaba, Y. Kangawa, K. Shiraishi

The International Symposium on Wide Gap Semiconductor Growth, Process and Device Simulation 2021 2021.1.20

Effect of Nitrogen Impurity Atoms at Fe/MgO Interface on Perpendicular Magnetic Anisotropy Energy International conference

Y. Ogawa, M. Araidai, T. Endoh, and K. Shiraishi

51st IEEE Semiconductor Interface Specialists Conference 2020.12.18

GaN MOVPEにおけるTMG分解過程へのH₂とNH₃による効果の理論的考察

榊原聡真, 長川健太, 洗平昌晃, 草場彰, 寒川義裕, 白石賢二

第49回日本結晶成長国内学会 2020.11.9

カリウムイオンエレクトレットにおける負電荷蓄積機構の第一原理計算による検討

中⻄徹, 宮島岳史, ⻑川健太, 洗平昌晃, 杉山達彦, 橋口原, 白石賢二

第37回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム 2020.10.27

帯電が誘起する強誘電直方晶HfO₂薄膜の安定性：第一原理計算による検討

新井千慧, 白石悠人, 洗平昌晃, 白石賢二, 中山隆史

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.10

多層ゲルマナンフレークからの水素脱離

伊藤麻維, 洗平昌晃, 大田晃生, 中塚理, 黒澤昌志

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.9

ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるTMGa分解反応の探索

榊原聡真, 洗平昌晃, 叶正, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 白石賢二

第81回応用物理学会秋季学術講演会 2020.9.8

MgOを用いたMgドープGaNのHVPE成長における気相反応の熱力学的解析

木村友哉, 大西一生, 天野裕己, 藤元直樹, 洗平昌晃, 新田州吾, 本田善央, 天野浩, 寒川義裕, 白石賢二

日本結晶成長学会ナノエピ分科会「第12回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会」 2020.7.31

超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション

小川湧太郎, 野原弘晶, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

電子情報通信学会

Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface by Thermal Annealing

Si/SiO₂界面のニューラルネットワークポテンシャルの開発

又賀誠, 洗平昌晃, 名倉拓哉, 白石賢二

日本物理学会

The electric field effect and the dependence of nanoribbon width in monolayer nanoribbons of IV group materials

Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan

Two-dimensional structure of Ge atoms segregated on Ag(111)

Shimazu Hiroki, Yuhara Junji, Nakatake Masashi, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi

The Physical Society of Japan

第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討

野原弘晶, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

電子情報通信学会

First-principles study on hydrogen absorption and desorption of germanene

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan

Edge magnetization and an electric field effect in monolayer nanoribbons of IV group materials

Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan

Multi-Physics Simulation of GaN MOVPE Growth

エピタキシャルAg(111)上の極薄Ⅳ族結晶形成

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会

Electronic states of two-dimensional crystals of group IV element on amorphous insulating films

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan

Control of Chemical Reaction between Ag Thin Film and Group-IV Semiconductors

Ito Koichi, Akio Ohta, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

The Surface Science Society of Japan

Chemical synthesis of group-IV nanosheets from layered compounds

Asaeda Shungo, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Zaima Shigeaki

The Surface Science Society of Japan

Electronic states of germanene and stanene on Al2O3 surfaces

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan

Electric conduction properties in edge hydrogenated monolayer nanoribbons of group-IV materials

Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan

Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator International conference

K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, and Y. Tanaka

International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet

Edge states in hydrogenated silicene, germanene, stanene ribbons

Hattori A., Araidai M., Hatsugai Y., Yada K., Shiraishi K., Sato M., Tanaka Y.

The Physical Society of Japan

水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態

服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

日本物理学会第71回年次大会（2016年）

SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会

V-MOSFETにおけるSi/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会

GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析

関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会

絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会第71回年次大会（2016年）

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on insulating film

Araidai M., Kurosawa M., Ohta A., Shiraishi K.

The Physical Society of Japan

Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method International conference

A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki

8th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials / 9th International Conference on Plasma-Nano Technology & Science (ISPlasma2016/IC-PLANTS2016)

Si_1-xSn_x半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

Si/SiO₂(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性に関する理論的研究

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

MONOSメモリにおけるSiO₂膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回）

Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth International conference

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film International conference

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23)

First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb₂Te₃ International conference

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015)

Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成

黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会

絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会

Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin International conference

Masaaki Araidai

International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015)

Evaluation of Energy Band Structure of Si_1-xSn_x by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy International conference

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF)

Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction International conference

M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)₂/Sb₂Te₃ phase change memory International conference

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO₂ layer of MONOS memories International conference

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62)

First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces International conference

K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process International conference

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO₂ Interface by Thermal Oxidation International conference

S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials

シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

シリコン材料・デバイス研究会 (SDM)

超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算

高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

日本物理学会第70回年次大会(2015年)

電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算

洗平昌晃，山本貴博，白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算

白川裕規，洗平昌晃，神谷克政，白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）

第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討

高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回）

電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算

洗平昌晃，山本貴博，白石賢二

第19回半導体スピン工学の基礎と応用

Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ International conference

Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS)

Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作

大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二

2014年電気化学秋季大会

磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会

GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果

洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会第69回年次大会

Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure International conference

N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

27th International Conference on Microelectronic Test Structures

Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations International conference

T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

2013 IEEE International Electron Devices Meeting

First principle calculation investigation for Si related defect induced by SiC oxidation

磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会 2013年秋季大会

First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions International conference

Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013

Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications International conference

N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits

First-Principles Study on Structure and Electron Transport Properties of Phase-Change Memory Device

Araidai M., Kato S., Yamamoto T., Shiraishi K.

The Physical Society of Japan

Theoretical Calculations of Franck-Condon Blockade Phenomena

Araidai M., Tsukada M.

The Physical Society of Japan

Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction : Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin

Araidai M., Tsukada M.

The Physical Society of Japan

Atomic Structure and Surface Atom Migration in Gold Junction

Araidai M., Tsukada M.

The Physical Society of Japan

Ab Initio Study on Electromigration of Gold atom

Araidai M., Tsukada M.

The Physical Society of Japan

20aPS-9 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission II

Araidai M., Watanabe K.

The Physical Society of Japan

25pPSB-7 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission

Araidai M., Watanabe K.

The Physical Society of Japan

30aPS-15 Ab-Initio Calculations of Field Emission from Carbon Nanostructures

Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan

21aPS-28 First-Principles Analysis of Field Emission by TD-DFT and RTM

Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan

Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of organic molecule

Noguchi Tomoyuki, Nakaoka Noriyuki, Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

The Surface Science Society of Japan

15aPS-5 Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of carbon nanostructure

Noguchi T., Nakaoka N., Araidai M., Watanabe K.

The Physical Society of Japan

27pPSA-4 Field Emission Mechanism of Nanostructures

Araidai M., Nakamura Y., Watanabe K.

The Physical Society of Japan

Effect of hydrogen defects on field emission of diamond surfaces

Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan

Field Emission from Carbon Nanostructures : From Atom to Diamond

ARAIDAI Masaaki, KANAI Chisato, TADA Kazuhiro, YAMAUCHI Akihiro, WATANABE Kazuyuki

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers

Event date： 2002.12

Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)

Country：Japan

Mechanism of field emission from carbon nanostructures is explored by the time-dependent density functional calculations. We determine the the emission current as a function of applied field, energy distribution of electrons emitted, and work functions of carbon atom, silicon atom and clusters, graphitic ribbons, and diamond C(100) surfaces. The present results enable us to stress an important role of the electronic structures, a and π orbitals in field emission from covalent bond materials as well as work functions.

V-MOSFETにおけるSi/SiO2(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察 International conference

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016.3.19

Characterization of Chemical Bonding Features of Ultrathin Ge Layer Grown by Ag-Induced Layer-Exchange Method

A. Ohta, M. Kurosawa, M. Araidai, S. Miyazaki

Two-dimensional structure of Ge atoms segregated on Ag(111) International conference

Shimazu Hiroki, Yuhara Junji, Nakatake Masashi, Ito Kouichi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi

The Physical Society of Japan 2018.9.9

Ag 誘起層交換成長法によるSi 極薄膜の形成 International conference

黒澤昌志, 大田晃生, 洗平昌晃, 財満鎭明

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015.12.1

Ab initio study on the atomic behavior of N, H atoms and O vacancy related defects in SiO2 layer of MONOS memories

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015.10.18

30aPS-15 Ab-Initio Calculations of Field Emission from Carbon Nanostructures International conference

Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan 2006 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

27pPSA-4 Field Emission Mechanism of Nanostructures International conference

Araidai M, Nakamura Y, Watanabe K

The Physical Society of Japan 2004 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

25pPSB-7 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission International conference

Araidai M, Watanabe K

The Physical Society of Japan 2006 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

Effect of hydrogen defects on field emission of diamond surfaces International conference

Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan 2003 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

21aPS-28 First-Principles Analysis of Field Emission by TD-DFT and RTM International conference

Araidai Masaaki, Souma Satofumi, Watanabe Kazuyuki

The Physical Society of Japan 2005 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

20aPS-9 Ab Initio Calculation of Force on Tip Atoms under Field Emission II International conference

Araidai M, Watanabe K

The Physical Society of Japan 2007 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

15aPS-5 Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of carbon nanostructure International conference

Noguchi T, Nakaoka N, Araidai M, Watanabe K

The Physical Society of Japan 2004 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

Charge injection Super-lattice Phase Change Memory for low power and high density storage device applications

N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Kitamura, M. Tai, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

2013 Symposia on VLSI Technology and Circuits 2013.6.11

第一原理計算による超格子GeTe/Sb₂Te₃相変化メモリの理論的検討 International conference

野原弘晶, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

電子情報通信学会 2018.6.25 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリ(TRAM)のスイッチングメカニズムの検討 International conference

高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015.1.24

First-Principles Study on Structure and Electron Transport Properties of Phase-Change Memory Device International conference

Araidai M, Kato S, Yamamoto T, Shiraishi K

The Physical Society of Japan 2013.3.26

磁気抵抗メモリの電流誘起磁化スイッチングに関する第一原理計算 International conference

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会 2013年秋季大会 2013.9.25

磁気抵抗メモリにおける電子散乱過程の第一原理シミュレーション International conference

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

電子情報通信学会 ED/CPM/SDM研究会 2014.5.28

Formation of Ultrathin Segregated-Ge Crystal on Al/Ge(111) Surface by Thermal Annealing International conference

2019.6.21

Field Emission from Carbon Nanostructures : From Atom to Diamond International conference

ARAIDAI Masaaki, KANAI Chisato, TADA Kazuhiro, YAMAUCHI Akihiro, WATANABE Kazuyuki

The Institute of Electronics, Information and Communication Engineers 2002.12.6 IEICE technical report. Electron devices

Language：Japanese Presentation type：Oral presentation (general)

Edge states in hydrogenated silicene, germanene, stanene ribbons International conference

Hattori A, Araidai M, Hatsugai Y, Yada K, Shiraishi K, Sato M, Tanaka Y

The Physical Society of Japan 2016.3.21 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

水素終端シリセン、ゲルマネン、スタネンリボンにおけるエッジ状態 International conference

服部綾実, 洗平昌晃, 初貝安弘, 矢田圭司, 白石賢二, 佐藤昌利, 田仲由喜夫

日本物理学会第71回年次大会（2016年） 2016.3.19

Time-dependent density-functional calculation of photoabsorption spectra of organic molecule International conference

Noguchi Tomoyuki, Nakaoka Noriyuki, Araidai Masaaki, Watanabe Kazuyuki

The Surface Science Society of Japan 2004 Abstract of annual meeting of the Surface Science of Japan

Chemical synthesis of group-IV nanosheets from layered compounds International conference

Asaeda Shungo, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Araidai Masaaki, Zaima Shigeaki

The Surface Science Society of Japan 2016.11.29

Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction : Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin International conference

Araidai M, Tsukada M

The Physical Society of Japan 2010.3.21

シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算 International conference

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島博之, 遠藤哲郎, 白石賢二

シリコン材料・デバイス研究会 (SDM) 2015.6.19

First-principles study on hydrogen absorption and desorption of germanene International conference

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan 2018.3.24

エピタキシャルAg(111)上の極薄Ⅳ族結晶形成 International conference

伊藤公一, 大田晃生, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 池田弥央, 牧原克典, 宮崎誠一

電子情報通信学会 2017.6.20 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

Electric conduction properties in edge hydrogenated monolayer nanoribbons of group-IV materials International conference

Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan 2016.9.14

Electronic states of germanene and stanene on Al2O3 surfaces International conference

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan 2016.9.14

Electronic states of two-dimensional crystals of group IV element on amorphous insulating films International conference

Araidai Masaaki, Kurosawa Masashi, Ohta Akio, Shiraishi Kenji

The Physical Society of Japan 2017.3.17

Understanding the switching mechanism of charge-injection GeTe/Sb2Te3 phase change memory through electrical measurement and analysis of 1R test structure

N. Takaura, T. Ohyanagi, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

27th International Conference on Microelectronic Test Structures 2014.3.25

Theoretical study on the identity of positive mobile ions in SiC-MOSFET and their diffusion process

H. Shirakawa, M. Araidai, K. Kamiya, H. Watanabe, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015.10.4

Theoretical Studies on Electronic Structures of Silicene Ribbon and Silicene on Insulator

K. Shiraishi, A. Hattori, S. Tanaya, M. Araidai, A. Ohta, M. Kurosawa, Y. Hatsugai, M. Sato, Y. Tanaka

International Symposium on 2D Layered Materials and Art: Two Worlds Meet 2016.3.23

Theoretical Calculations of Electron Transport in Molecular Junction: Inflection Behavior in Fowler-Nordheim Plot and Its Origin

Masaaki Araidai

International Workshop on Advanced Nanomaterials for Future Electron Devices 2015 (IWAN2015) 2015.11.7

First principle calculation investigation for Si related defect induced by SiC oxidation International conference

2013.12.9

SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討 International conference

小嶋英嗣, 遠藤賢太郎, 白川裕規, 洗平昌晃, 海老原康裕, 金村高司, 恩田正一, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016.3.19

SiC-MOSFETにおけるSiO2絶縁膜中のプロトン拡散についての第一原理計算による検討 International conference

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 渡部平司, 白石賢二

ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」（第20回） 2015.1.24

Si1-xSnx半導体のエネルギーバンド構造に関する理論的および実験的分析 International conference

長江祐樹, 柴山茂久, 黒澤昌志, 洗平昌晃, 中塚理, 白石賢二, 財満鎭明

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016.1.22

Neural network potential for Si/SiO2 interface International conference

Mataka M, Araidai M, Nagura T, Shiraishi K

The Physical Society of Japan 2018.9.10 Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan

Si/SiO2(100)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性に関する理論的研究 International conference

川内伸悟, 白川裕規, 洗平昌晃, 影島愽之, 遠藤哲郎, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016.1.22

Si and Ge Ultrathin Films by Ag-Induced Layer-Exchange Growth

M. Kurosawa, A. Ohta, M. Araidai, S. Zaima

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015.12.10

Sb2Te3/GeTe超格子膜からなるTRAMにおけるGeTe配列とスイッチング動作 International conference

大柳孝純, 北村匡史, 加藤重徳, 洗平昌晃, 高浦則克, 白石賢二, 田井光春, 木下勝治, 森川貴博, 秋田憲二

2014年電気化学秋季大会 2014.9.27

Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in MTJ

Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

2014 Workshop on Innovative Nanoscale Devices and Systems (WINDS) 2014.11.30

Non-Equilibrium First-Principles Study on Electron Scattering Processes in Magnetic Tunnel Junction

M. Araidai, T. Yamamoto, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015.10.18

MONOS型メモリにおける絶縁膜中の原子欠陥に関する第一原理計算 International conference

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3.11

MONOSメモリにおけるSiO2膜中の窒素原子に起因する原子欠陥の理論的考察 International conference

白川裕規, 洗平昌晃, 神谷克政, 白石賢二

電子デバイス界面テクノロジー研究会（第21回） 2016.1.22

The electric field effect and the dependence of nanoribbon width in monolayer nanoribbons of IV group materials International conference

Hattori Ayami, Yada Keiji, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan 2018.9.9

Edge magnetization and an electric field effect in monolayer nanoribbons of IV group materials International conference

Hattori Ayami, Araidai Masaaki, Tanaka Yukio

The Physical Society of Japan 2018.3.22

Control of Chemical Reaction between Ag Thin Film and Group-IV Semiconductors International conference

Ito Koichi, Akio Ohta, Kurosawa Masashi, Araidai Masaaki, Ikeda Mitsuhisa, Makihara Katsunori, Miyazaki Seiichi

The Surface Science Society of Japan 2016.11.29

GeSbTe相変化メモリ素子の電気伝導特性におけるスピン軌道相互作用の効果 International conference

洗平昌晃, 加藤重徳, 山本貴博, 白石賢二

日本物理学会第69回年次大会 2014.3.27

GaN結晶成長メカニズムの熱力学解析 International conference

関口一樹, 白川裕規, 山本芳裕, 洗平昌晃, 白石賢二

第63回応用物理学会春季学術講演会 2016.3.19

Multi-Physics Simulation of GaN MOVPE Growth International conference

2017.11.9

Theoretical Calculations of Franck-Condon Blockade Phenomena International conference

Araidai M, Tsukada M

The Physical Society of Japan 2012.9.26

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV element on insulating film

M. Araidai, M. Kurosawa, A. Ohta, K. Shiraishi

23rd International Colloquium on Scanning Probe Microscopy (ICSPM23) 2015.12.10

First-Principles Study on Hydrogen Annealing Effect in Si/SiO2 Interface by Thermal Oxidation

S. Kawachi, H. Shirakawa, M. Araidai, H. Kageshima, T. Endoh, K. Shiraishi

2015 International Conference on Solid State Devices and Materials 2015.9.27

First-Principles Study on Current-Induced Magnetization Switching in Magnetic Tunnel Junctions

Masaaki Araidai, Takahiro Yamamoto, Kenji Shiraishi

IVC-19/ICSS-15 and ICN+T 2013 2013.9.9

First principles study on switching mechanism of superlattice(GeTe)2/Sb2Te3 phase change memory

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

AVS 62nd International Symposium & Exhibition (AVS-62) 2015.10.18

First principles examination of the switching mechanism of the phase change memory (TRAM) using superlattice GeTe/Sb2Te3

M. Takato, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

46th Semiconductor Interface Specialists Conference (SISC2015) 2015.12.2

First principal calculation of electronic properties on 4H-AlN/4H-SiC(11-20) and 4H-SiC-4H-AlN(0001) interfaces

K. Endo, H. Shirakawa, M. Araidai, K. Shiraishi

16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2015.10.4

Evaluation of Energy Band Structure of Si1-xSnx by Density Functional Theory Calculation and Photoelectron Spectroscopy

Y. Nagae, S. Shibayama, M. Kurosawa, M. Araidai, M. Sakashita, O. Nakatsuka, K. Shiraishi, S. Zaima

2015 International Workshop on DIELECTRIC THIN FILMS FOR FUTURE ELECTRON DEVICES -SCIENCE AND TECHNOLOGY- (IWDTF) 2015.11.2

Charge-injection phase change memory with high-quality GeTe/Sb2Te3 superlattice featuring 70-μA RESET, 10-ns SET and 100M endurance cycles operations

T. Ohyanagi, N. Takaura, M. Tai, M. Kitamura, M. Kinoshita, K. Akita, T. Morikawa, S. Kato, M. Araidai, K. Kamiya, T. Yamamoto, K. Shiraishi

2013 IEEE International Electron Devices Meeting 2013.12.9

絶縁膜上にあるIV族系二次元結晶の電子状態解析 International conference

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本物理学会第71回年次大会（2016年） 2016.3.19

電流誘起磁化反転における電子散乱過程の非平衡第一原理計算 International conference

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

第19回半導体スピン工学の基礎と応用 2014.12.15

電流誘起磁化反転における電子散乱過程に関する非平衡第一原理計算 International conference

洗平昌晃, 山本貴博, 白石賢二

2015年第62回応用物理学会春季学術講演会 2015.3.11

Atomic Structure and Surface Atom Migration in Gold Junction International conference

Araidai M, Tsukada M

The Physical Society of Japan 2009.3.29

Ab Initio Study on Electromigration of Gold atom International conference

Araidai M, Tsukada M

The Physical Society of Japan 2008.9.22

超格子GeTe/Sb₂Te₃メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション International conference

小川湧太郎, 野原弘晶, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

電子情報通信学会 2019.6.21 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報

超格子GeTe/Sb2Te3を用いた相変化メモリのスイッチングメカニズムに関する第一原理計算 International conference

高戸真之, 白川裕規, 洗平昌晃, 白石賢二

日本物理学会第70回年次大会(2015年) 2015.3.21

絶縁膜上のIV 族系二次元結晶に関する第一原理計算 International conference

洗平昌晃, 黒澤昌志, 大田晃生, 白石賢二

日本表面科学会第35回表面科学学術講演会 2015.12.1

First-principles study on two-dimensional crystals of group IV material on insulating film International conference

Araidai M, Kurosawa M, Ohta A, Shiraishi K

The Physical Society of Japan 2016.3.19

0.37Vで動作する超低電圧デバイスを開発 -ＩＴ機器の消費電力1/10などの実現に道-

2013.6

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