講演・口頭発表等 - 大野 雄高
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メタモルフィックInAlAs/InGaAsHEMTsの電気的特性評価
川田健二，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝，高草木操，中田弘章
電子情報通信学会電子デバイス研究会
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Experimental Demonstration of a Resonant Tunneling Delta-Sigma Modulator for High-Speed, High-Resolution Analog-to-Digital Converter 国際会議
Y. Yokoyama, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani
Int. Symp. on Compound Semiconductors
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GaAs基板上へのメタモルフィックIn0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47AsRTD/HEMTの集積化
岩瀬貴司，川野陽一，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝，高草木操，中田弘章
第63回応用物理学会学術講演会
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金属内包フラーレン・ピーポッドFETの電気的特性
嶋田行志，大野雄高，岡崎俊也，末永和知，岩附伸也，岸本茂，水谷孝，谷口里紗，加藤治人，菅井俊樹，篠原久典
第63回応用物理学会学術講演会
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カーボンナノチューブFETの作製と電気的特性評価
岩附伸也，大野雄高，平岡樹，岡崎俊也，篠原久典，岸本茂，水谷孝
第63回応用物理学会学術講演会
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SiO2系絶縁膜塗布液を用いたGaAsSOI基板上MESFETの作製
佐藤邦徳，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
第63回応用物理学会学術講演会
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Si3N4ゲート絶縁膜を有するAlGaN/GaNMIS-HEMTs
落合大，秋田光俊，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
第63回応用物理学会学術講演会
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GaNHEMTのオフ耐圧の温度依存性
仲尾健，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
第63回応用物理学会学術講演会
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AlGaN/GaN heterostructure MIS-HEMTs with Si3N4 gate insulator 国際会議
M. Ochiai, M. Akita, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials
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Comparison of electrical characteristics of metamorphic HEMTs with InP HEMTs and PHEMTs 国際会議
K. Kawada, Y. Ohno, T. Murata, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, M.Takakusaki, H. Nakata
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2002)
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Self-assembly of III-V device blocks on Si substrates 国際会議
I. Soga, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2002)
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Self-Assembly of Thin Disk-Shaped GaAs Blocks on Si Substrates 国際会議
I. Soga, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2002)
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Electric Transport Properties of C60, C90 and Gd@C82 Fullerene-Carbon Nanotube Peapods 国際会議
T. Shimada, T. Okazaki, Y. Ohno, K. Suenaga, S. Kishimoto, T. Mizutani, R. Taniguchi, T. Inoue, et al
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2002)
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Characterization of electrical properties of micro-Schottky contacts on ELO GaN 国際会議
K. Kumada, T. Murata, Y. Ohno, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, N. Sawaki
Int. Conf. on Solid State Devices and Materials (SSDM2002)
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共鳴トンネルダイオードを用いたΔΣ変調器IC
横山雄司，川野陽一，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
電子情報通信学会ソサイエティ大会
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光学的手法によるGaNHEMTの動作解析
大野雄高，仲尾健，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
電子情報通信学会ソサイエティ大会
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共鳴トンネル素子を用いた50GHzカオス集積回路
川野陽一，大野雄高，岸本茂，前澤宏一，水谷孝
電子情報通信学会ソサイエティ大会
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電界効果型トランジスター構造をもちいた金属内包フラーレン・ピーポッドの電子物性
嶋田行志，岡崎俊也，大野雄高，末永和知，岩附伸也，岸本茂，水谷孝，菅井俊樹，篠原久典
日本物理学会2002年大会
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Carbon Nanotube FETs Fabricated by CVD Synthesis 国際会議
Y. Ohno, S. Iwatsuki, S. Kishimoto, K. Maezawa, T. Mizutani, T. Hiraoka, T. Okazaki, H. Shinohara
Int. Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics
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Electronic Properties of Metallofullerene- Peapods FETs 国際会議
T. Shimada, T. Okazaki, T. Sugai, H. Shinohara, Y. Ohno, S. Iwatsuki, S. Kishimoto, T. Mizutani et al
Int. Workshop on Quantum Nonplanar Nanostructures & Nanoelectronics