講演・口頭発表等 - 黒澤 昌志
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Single-crystalline (110)-oriented Ge strips on insulating substrates by SiGe-mixing triggered rapid-melting-growth from artificial Si-micro-seeds 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Enhancement of SiN-Induced Compressive and Tensile Strains in Si-Pillars by Modulation of SiN Network Structures 国際会議
T. Sadoh, M. Kurosawa, A. Heya, N. Matsuo, M. Miyao
7th International Conference on Silicon Epitaxy and Heterostructures (ICSI-7)
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Low temperature (~250oC) crystallization of poly-SiGe films by gold-induced layer-exchange technique for flexible electronics 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, M. Miyao, and T. Sadoh
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011)
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Low-temperature formation of (111)Si1-xGex (0<x<1) on insulator by Al-induced crystallization 国際会議
M. Kurosawa, T. Sadoh, and M. Miyao
2011 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices (AWAD2011)
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Au-catalyst induced low temperature (~250C) layer exchange crystallization for SiGe on insulator 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
219th Electrochemical Society (ECS) Meeting
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Lateral-liquid phase epitaxy of (101) Ge-on-insulator from Si template by metal-induced crystallization 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, R. Kato, T. Sadoh, and M. Miyao
219th Electrochemical Society (ECS) Meeting
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AIC初期過程におけるSi0.5Ge0.5薄膜の微細構造解析
犬塚純平,光原昌寿,板倉賢,西田稔,黒澤昌志,佐道泰造,宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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偏光ラマン分光法によるIV族半導体のひずみ評価〜1軸・2軸ひずみの分離とその応用〜
黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法とMILC法の重畳による人工単結晶GOI(110)の創製
黒澤昌志, 川畑直之, 加藤立奨, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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SiGeミキシング誘起溶融成長法で形成したGOI細線のひずみ評価
加藤立奨, 黒澤昌志, 都甲薫, 佐道泰造, 宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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金属誘起反応を用いたSi1-xGex/絶縁膜(x:0~1)の低温結晶成長
佐道泰造, 黒澤昌志, 川畑直之, パク・ジョンヒョク, 都甲薫, 宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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エキシマレーザアニールによるSiN誘起ローカル歪みの増強
佐道泰造, 黒澤昌志, 部家彰, 松尾直人, 宮尾正信
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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次世代フレキシブルデバイスの為の多結晶Si1-xGex(x=0-1)/絶縁膜の極低温層交換成長(~250oC)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
2011年(平成23年)春季 第58回応用物理学関係連合講演会
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Si1-xGex (0<x<1) oriented-growth on transparent-insulating-substrates by Al-induced layer-exchange crystallization 国際会議
M. Kurosawa, N. Kawabata, T. Sadoh, and M. Miyao
International Thin-Film Transistor Conference 2011 (ITC'11)
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Gold-Induced Crystallization of Si at Low-Temperature (<250C) for Flexible Electronics 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
International Conference on Enabling Science and Nanotechnology (ESciNano 2010)
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Al誘起結晶化初期過程におけるSiGe薄膜の微細構造解析
犬塚純平, 光原昌寿, 板倉賢, 西田稔, 池田賢一, 黒澤昌志, 佐道泰造, 宮尾正信
平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会
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フレキシブルデバイス実現に向けたSi及びGe結晶/絶縁膜の極低温成長(~250℃)
パク・ジョンヒョク, 黒澤昌志, 川畑直之, 宮尾正信, 佐道泰造
平成22年度 応用物理学会九州支部学術講演会
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Low-temperature (<250C) crystallization of Si on insulating substrate by gold-induced layer-exchange technique 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
IEEE Region 10 International Conference 2010 (TENCON2010)
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Layer-Exchange-Induced Low-temperature crystallization (<250oC) of Si on insulator 国際会議
J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh
The 4th International Workshop on Electrical Engineering
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High-mobility Defect-free Ge Single-crystals by Rapid Melting Growth on Insulating Substrates 国際会議
M. Miyao, K. Toko, M. Kurosawa, T. Tanaka, T. Sakane, Y. Ohta, N. Kawabata, H. Yokoyama, and T. Sadoh
International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT2010)